晶片测厚用垫块制造技术

本实用新型专利技术涉及晶片厚度测量技术领域，公开一种晶片测厚用垫块，垫块表面在中心线两侧分别开设有多条平行于中心线的沟槽，沟槽面积占垫块表面面积的30%～50%，沟槽宽5～8mm、深2～5mm。采用陶瓷垫块，耐腐蚀性能优，表面平整度好，成本低廉，易于修复且修复后重新使用；对垫块表面沟槽所占面积进行限定，将沟槽宽度和深度进行改进，使晶片与垫块表面接触面积减小，确保晶片测厚完毕后能快速取放，不发生粘附问题。附问题。附问题。

【技术实现步骤摘要】
晶片测厚用垫块


[0001]本技术涉及晶片厚度测量
，具体地，涉及一种晶片测厚用垫块。

技术介绍

[0002]砷化镓晶体生长到砷化镓晶片成品及进入实际应用的生产过程中，需要经过一系列复杂的加工工艺，其中，在无蜡抛光工艺过程中，为确保晶片厚度达到客户要求，必须在粗抛完后对晶片进行厚度测量；测厚时对测量平台的平整度精度要求非常高，TTV要求≤2um；目前行业内一般都是使用日本三丰的测量平台，虽然三丰的测量平台在精度上符合使用要求，但该测量平台是用不锈钢材料制成的，虽然具有一定的耐腐蚀性，但使用一段时间后，在碱性药液的腐蚀下也还是会生锈，这将影响晶片的测量精度及产品质量；此外，该测量平台的开槽设计不合理，距离过窄且深度浅，沾水后，晶片会粘附在平台上，取放晶片很不方便，影响效率，还容易造成晶片主、背面的划伤，严重时甚至会碎片。
[0003]也有一些厂家采用石英测量平台或特种大理石平台，石英测量平台需要做双面抛光后才能达到相应的使用精度要求，价格昂贵且易碎，不能返修，需要定期更换，成本高；特种大理石平台材料昂贵，且不耐磨，会污染晶片，加工成本也高。

技术实现思路

[0004]本技术解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷，提供一种不粘附晶片且可修复重复使用的晶片测厚用垫块。
[0005]本技术的目的通过以下技术方案实现：
[0006]一种晶片测厚用垫块，垫块表面在中心线两侧分别开设有多条平行于中心线的沟槽，沟槽面积占垫块表面面积的30%～50%。
[0007]进一步地，沟槽宽5～8mm、深2～5mm。
[0008]更进一步地，垫块中心线任意一侧相邻沟槽之间间距相等。
[0009]更进一步地，靠近中心线布置的第一条沟槽距离中心线的垂直距离为20～30mm。
[0010]更进一步地，垫块平面度小于等于0.002mm。
[0011]更进一步地，垫块中心线两侧沟槽各分布4～6条。
[0012]更进一步地，垫块表面棱边处具有倒角。
[0013]进一步地，垫块为陶瓷垫块。
[0014]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0015]1）采用陶瓷垫块，耐腐蚀性能优，表面平整度好，成本低廉，易于修复且修复后重新使用；
[0016]2）对垫块表面沟槽所占面积进行限定，将沟槽宽度和深度进行改进，使晶片与垫块表面接触面积减小，确保晶片测厚完毕后能快速取放，不易发生粘附问题；
[0017]3）垫块边缘进行倒棱，避免了晶片测厚过程中意外撞到棱边发生破损的风险。
附图说明
[0018]图1为实施例1所述的晶片测厚用垫块的俯视图。
具体实施方式
[0019]下面结合具体实施方式对本技术作进一步的说明，其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0020]实施例1
[0021]提供一种晶片测厚用垫块，尤其适用于砷化镓、锗，磷化铟等半导体晶片的测厚过程，本实施例以直径为4寸（100mm）的晶片测厚进行说明，如图1所示，垫块为陶瓷垫块，长
×
宽
×
高为90mm
×
90mm
×
15mm，垫块平面度小于等于0.002mm，垫块表面在中心线两侧分别开设有四条平行于中心线的沟槽1，任意一侧相邻沟槽1之间间距相等为8～10mm，沟槽面积占垫块表面面积的30%～50%。
[0022]具体地，沟槽1宽5mm、深2mm，该尺寸下晶片测厚过程中不易与垫块表面发生粘附，晶片取放方便快捷。
[0023]其中，每侧靠近中心线布置的第一条沟槽距离中心线的垂直距离为20mm，该区域为接触式千分表的探头落点。
[0024]垫块四个角处具有倒角2，此外，垫块表面棱边3处进行倒棱，倒出0.3～1.5mm的边宽，这样既可避免晶片测厚过程中撞到边缘或棱角处造成破损，也可防止垫块不慎摔落时发生损坏。
[0025]晶片测厚操作如下：先用无尘纸沾酒精擦垫块，确保其表面无肉眼可见灰尘，然后将垫块置于千分表的卡座下，千分表表头落点位于垫块的正中心；测厚前将千分表读数归零，测厚时，一手抬起千分表探头，一手掐住晶片边缘置于表头上，然后轻轻放下探头，记录千分表读数，抬起探头，取出晶片，测厚完成；如此循环，即完成粗抛后晶片的厚度测量。
[0026]实施例2
[0027]本实施例与实施例1的区别是：垫块为6
‑
8寸晶片测厚使用，垫块规格为长
×
宽
×
高为150mm
×
150mm
×
20mm，中心线两侧沟槽各分布6条，靠近中心线布置的第一条沟槽距离中心线的垂直距离为30mm，沟槽宽8mm、深5mm。
[0028]本申请的开槽垫块尤其适用于湿晶片测厚，在实际测厚过程中，如晶片是干燥的，也可以选用表面不开槽的陶瓷垫块。
[0029]采用本申请的陶瓷垫块可避免由传统测厚平台带来的晶片污染问题，同时也提升了测量精度，最关键的是降低了测厚辅助成本，一块高平整度的石英垫块价格需5000多元，不耐磨，不能返修，使用一年即会出现严重的磨痕，且有摔损的风险；而不锈钢平台价格5000多元，生锈后既影响晶片测量精度，也有污染晶片表面质量的风险；而一个陶瓷垫块价格仅需要1000元左右；在同等使用环境下，采用陶瓷垫块每年可节省数万元的生产成本。
[0030]显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术的技术方案所作的举例，而并非是对本技术的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷
举。凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术权利要求的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片测厚用垫块，其特征在于，垫块表面在中心线两侧分别开设有多条平行于中心线的沟槽，沟槽面积占垫块表面面积的30%～50%，沟槽宽5～8mm。2.根据权利要求1所述的晶片测厚用垫块，其特征在于，沟槽深2～5mm。3.根据权利要求1或2所述的晶片测厚用垫块，其特征在于，垫块中心线任意一侧相邻沟槽之间间距相等。4.根据权利要求1或2所述的晶片测厚用垫块，其特征在于，靠近中心线布置的...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖进龙，汤桂贤，杨士超，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：