一种红外探测器材料的像元台面制造技术

本实用新型专利技术涉及一种红外探测器材料的像元台面，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；顶电极接触层和势垒层上部构成尺寸为15

【技术实现步骤摘要】
一种红外探测器材料的像元台面


[0001]本技术涉及一种红外探测器材料的像元台面，特别是关于PBn型和nBn 型InAsSb红外探测器材料的像元台面，属于光电子材料与器件


技术介绍

[0002]PBn和nBn势垒型红外焦平面探测器像元台面普遍采用深台面或浅台面结构。深刻蚀工艺制备的器件，通过顶电极接触层刻蚀并在底电极接触层停止，消除了横向扩散，但沿器件台面侧壁引入了表面漏电流，增加了暗电流，深刻蚀结构的器件失效率也很高。浅刻蚀工艺制备的器件，通过顶部接触层刻蚀并在势垒处停止，表面漏电不明显，但显示出较大的横向扩散电流，在小像元器件中还会导致探测器阵列中的像素间串扰。

技术实现思路

[0003]为克服现有技术存在的缺陷，本技术的目的在于提供一种红外探测器材料的像元台面，所述像元台面不仅能使势垒层起到器件自钝化作用有效抑制器件的暗电流，而且能实现小像元设计，减小损伤，提高器件的量子效率。
[0004]为实现本技术的目的，提供以下技术方案。
[0005]一种红外探测器材料的像元台面，所述红外探测器材料为PBn本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外探测器材料的像元台面，其特征在于：所述红外探测器材料结构为PBn和nBn型InAsSb红外探测器材料结构；所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层(1)、势垒层(2)、吸收层(3)、底电极接触层(4)、缓冲层(5)以及衬底(6)；顶电极接触层(1)和势垒层(2)上部构成像元台面，像元台面的尺寸为15μm
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15μm～30μm
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【专利技术属性】
技术研发人员：邓功荣，杨文运，李德香，唐遥，张伟伟，杜润来，黎秉哲，赵鹏，黄晖，
申请(专利权)人：昆明物理研究所，
类型：新型
国别省市：