一种异质结红外光电传感器及其制备方法技术

本公开提供了一种异质结红外光电传感器及其制备方法，采用基于Cu/SnSe/Ge/In

【技术实现步骤摘要】
一种异质结红外光电传感器及其制备方法


[0001]本公开属于光电材料与器件
，具体涉及一种异质结红外光电传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]本部分的陈述仅仅是提供了与本公开相关的
技术介绍
信息，不必然构成在先技术。
[0003]传感器是物联网技术的最底层和最前沿，是实现自动检测和自动控制的首要环节，对物联网产业的发展具有十分重要的意义。因此，伴随智能识别、移动互联等新兴“感知技术”的浪潮，红外传感器产业也迎来了巨大的发展契机，市场需求规模迅速扩大。但是，目前市面上的红外传感器普遍存在灵敏度低、响应时间长、体积大，以及需要外部供电等弊端，难以满足便携式、低能耗、移动互联等一系列新兴领域的技术要求。在此背景下，设计研发一种基于红外光子能量的异质结光电传感器显得格外的重要。
[0004]二维半导体范德华异质结因其诸多的新特性，在电子、光电子器件领域具有广阔的应用前景，引起了人们的广泛关注。二维范德华异质结能够展现出超越两种材料的性能，且通过微弱的范德华力组合在一起，因此在材料类型和晶格结构的选择上更具灵活性，能够避免界面悬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结红外光电传感器，其特征在于，采用基于Cu/SnSe/Ge/In
‑
Ga的异质结的光电传感器；将SnSe/Ge的异质结作为光吸收活性层，在SnSe/Ge的异质结的界面处形成电场；将Cu的微栅格结构作为顶电极，与SnSe的晶体薄膜形成欧姆接触；将In
‑
Ga合金或In的晶体薄膜作为底电极，与Ge的晶体基片形成欧姆接触。2.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述SnSe的晶体薄膜厚度设置为50
‑
90nm，电阻率设置为2.20
×
103Ω
·
cm，电导类型设置为P型。3.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述Ge的晶体基片厚度设置为100
‑
200μm，电阻率设置为1.0
‑
5.0Ω
·
cm，电导类型设置为N型。4.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述顶电极的厚度设置为60
‑
100nm，结构设置为鱼骨状结构，线宽设置为100μm，线长设置为4.8mm，间隔设置为500μm。5.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述底电极的厚度设置为60
‑
100nm。6.如权利要求1中所述的一种异质结红外光电传感器，其特征在于，所述Cu/SnSe/Ge/In
‑
Ga的异质结的光电传感器设置为方形...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洪宾，陆佳俊，佀国翔，吕绍艳，程瑞杉，徐彦彩，李娇，孙硕齐，
申请(专利权)人：山东师范大学，
类型：发明
国别省市：