直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质技术

本申请涉及一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质，该方法包括分别计算得到输入电容的第一阻抗函数以及电感的第二阻抗函数；分别对第一阻抗函数和第二阻抗函数展开，得到分数阶电容逼近电路、以及分数阶电感逼近电路；采用双脉冲实验对半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到半导体开关器件的半导体开关器件模型；基于分数阶电容逼近电路、分数阶电感逼近电路以及半导体开关器件模型，生成仿真电路。本申请得到的仿真电路更准确。的仿真电路更准确。的仿真电路更准确。

【技术实现步骤摘要】
直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质


[0001]本申请涉及电路仿真领域，尤其涉及一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质。

技术介绍

[0002]电路仿真，就是将设计好的电路图通过仿真软件进行实时模拟，模拟出实际功能。Boost(直流升压)PFC(power factor correction，功率因数校正)变换器理论分析的前提是对实际系统建立准确地的数学模型。因此如何建立符合Boost PFC变换器的数学模型成为本领域人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质，用以解决建立Boost PFC变换器的数学模型。
[0004]第一方面，提供一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法，所述直流升压功率因数校正电路的仿真电路包括用分数阶电容逼近电路表示的输入电容、用分数阶电感逼近电路表示的电感和半导体开关器件；
[0005]所述方法包括：
[0006]分别计算得到所述输入电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法，其特征在于，所述直流升压功率因数校正电路的仿真电路包括用分数阶电容逼近电路表示的输入电容、用分数阶电感逼近电路表示的电感和半导体开关器件；所述方法包括：分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数；对所述第一阻抗函数展开得到所述分数阶电容逼近电路、以及对所述第二阻抗函数展开得到所述电感分数阶电感电路；采用双脉冲实验对所述半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到所述半导体开关器件的半导体开关器件模型；基于所述分数阶电容逼近电路、所述分数阶电感逼近电路以及所述半导体开关器件模型，生成所述仿真电路。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用双脉冲实验对所述半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到所述半导体开关器件的半导体开关器件模型，包括：确定所述半导体开关器件建模过程中所需的额定电压和额定电流；在所述额定电压和所述额定电流下，对所述半导体开关器件进行双脉冲实验，测量得到反映所述半导体开关器件的动态特性的参数；从所述半导体开关器件的数据手册中获取用于反映所述半导体开关器件的静态特性的参数；将所述动态特性参数和所述动态特性参数输入所述半导体开关器件对应的模型中，得到所述半导体开关器件模型。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数，包括：采用Charef逼近方法分别计算得到所述输入电容的第一阻抗函数以及所述电感的第二阻抗函数，所述第一阻抗函数和所述第二阻抗函数均为正实函数，所述第一阻抗函数的分子分母的幂次相同，所述第二阻抗函数的分子分母的幂次相同。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一阻抗函数展开得到所述分数阶电容逼近电路，包括：采用福斯特综合法对所述第一阻抗函数展开，得到所述分数阶电容逼近电路，所述分数阶电容逼近电路包括M个分数阶电容逼近电路单元，M为正整数；每个所述分数阶电容逼近电路单元包括并联设置的电阻模块和电容模块，在M≥2的情况下，M个所述分数阶电容逼近电路单元串联设置。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二阻抗函数展开得到所述分数阶电感电路，包括：采用福斯特综合法对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍星星，高小丽，宋蒙恩，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：