防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片技术

本申请实施例公开了一种防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片，其中防伪结构包括：基底层；多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。当入射光照射在防伪结构上时，入射光会与多个凸起结构产生米氏共振现象，使得防伪结构的凸起结构上不同角度反射的光线不同，进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色，基于此即可实现防伪作用，本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色，无需依赖于颜料，分辨率高，使得防伪结构难以被仿制，且本申请实施例提供的防伪结构无需依赖于化学染料，能够降低对环境的污染。能够降低对环境的污染。能够降低对环境的污染。

【技术实现步骤摘要】
防伪结构、防伪结构的制备方法和芯片


[0001]本申请实施例涉及显色
，尤其涉及一种防伪结构、一种防伪结构的制备方法和一种芯片。

技术介绍

[0002]防伪结构广泛地应用在很多商品上，其用于甄别产品是否属于假冒和仿冒。目前技术中大多是通过在产品上涂布颜料，通过颜料不同的色彩来进行防伪，但是传统颜料的分辨率低，导致目前的防伪结构容易被仿制，防伪性能差。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0004]为此，本专利技术的第一方面提供了一种防伪结构。
[0005]本专利技术的第二方面提供了一种防伪结构的制备方法。
[0006]本专利技术的第三方面提供了另一种防伪结构的制备方法。
[0007]本专利技术的第四方面提供了一种芯片。
[0008]有鉴于此，根据本申请实施例的第一方面提出了一种防伪结构，包括：
[0009]基底层；
[0010]多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。
[0011]在一种可行的实施方式中，所述基底层的材料和用于制备所述凸起结构的材料相同。
[0012]在一种可行的实施方式中，制备所述凸起结构的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。
[0013]在一种可行的实施方式中，所述凸起结构沿高度方向的截面为椭圆形；所述凸起结构的高度为140纳米至240纳米。
[0014]在一种可行的实施方式中，所述椭圆形的短轴直径为80纳米至240纳米；所述椭圆形的长轴直径为80纳米至240纳米，所述长轴直径的取值大于所述短轴直径的取值。
[0015]在一种可行的实施方式中，多个所述凸起结构在所述基底层上呈矩形阵列排布；其中，矩形阵列排布的X轴排布周期与Y轴排布周期相同，所述X轴排布周期和所述Y轴排布周期的取值为290纳米至310纳米。
[0016]在一种可行的实施方式中，防伪结构还包括：
[0017]金属层，覆盖在所述凸起结构背离于所述基底的一侧；
[0018]所述金属层的厚度为25纳米至35纳米。
[0019]在一种可行的实施方式中，制备所述金属层的材料包括金、银、铝和铬中的至少一种。
[0020]根据本申请实施例的第二方面提出了一种防伪结构的制备方法，用于制备上述任
一技术方案所述的防伪结构，所述制备方法包括：
[0021]提供基底，用于制备所述基底的材料的折射率大于1.4；
[0022]对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构。
[0023]在一种可行的实施方式中，所述对所述基底进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构的步骤包括：
[0024]在所述基底上设置金属掩膜层；
[0025]通过电子束光刻工艺刻蚀所述基底，以在所述基底上形成多个凸起结构。
[0026]在一种可行的实施方式中，制备所述基底的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。
[0027]根据本申请实施例的第三方面提出了另一种防伪结构的制备方法，用于制备上述任一技术方案所述的防伪结构，所述制备方法包括：
[0028]提供基底；
[0029]在所述基底上形成薄膜结构，用于制备所述薄膜结构的材料的折射率大于1.4；
[0030]对所述薄膜结构进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构。
[0031]在一种可行的实施方式中，所述对所述薄膜结构进行刻蚀，以在所述基底上形成多个凸起结构的步骤包括：
[0032]在所述薄膜结构上设置金属掩膜层；
[0033]通过电子束光刻工艺刻蚀所述薄膜结构，以在所述基底上形成多个凸起结构。
[0034]在一种可行的实施方式中，制备所述薄膜结构的材料包括PMMA胶、硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。
[0035]根据本申请实施例的第四方面提出了一种芯片，包括：
[0036]如上述任一技术方案所述的防伪结构。
[0037]相比现有技术，本专利技术至少包括以下有益效果：本申请实施例提供的防伪结构包括了基底层和设置在基底层上的多个凸起结构，且用于制备凸起结构的材料的折射率大于1.4，基于此当入射光照射在防伪结构上时，入射光会与多个凸起结构产生米氏共振现象，使得防伪结构的凸起结构上不同角度反射的光线不同，进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色，基于此即可实现防伪作用，本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色，无需依赖于颜料，分辨率高，使得防伪结构难以被仿制，且本申请实施例提供的防伪结构无需依赖于化学染料，能够降低对环境的污染。
附图说明
[0038]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0039]图1为本申请提供的一种实施例的防伪结构的示意性结构图；
[0040]图2为本申请提供的一种实施例的防伪结构的另一个角度的示意性结构图；
[0041]图3为本申请提供的一种实施例的防伪结构的又一个角度的示意性结构图；
[0042]图4为本申请提供的一种实施例的防伪结构的制备方法的示意性步骤流程图；
[0043]图5为本申请提供的另一种实施例的防伪结构的制备方法的示意性步骤流程图；
[0044]图6为本申请提供的又一种实施例的防伪结构的制备方法的示意性步骤流程图；
[0045]图7为本申请提供的又一种实施例的防伪结构的制备方法的工艺流程图。
[0046]其中，附图标记与部件名称之间的对应关系为：
[0047]100基底层、200凸起结构、300金属层。
具体实施方式
[0048]为了更好的理解上述技术方案，下面通过附图以及具体实施例对本申请实施例的技术方案做详细的说明，应当理解本申请实施例以及实施例中的具体特征是对本申请实施例技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0049]如图1至图3和图7所示，根据本申请实施例的第一方面提出了一种防伪结构，包括：基底层100；多个凸起结构200，形成于基底层100上，其中，用于制备凸起结构200的材料的折射率大于1.4。
[0050]本申请实施例提供的防伪结构包括了基底层100和设置在基底层100上的多个凸起结构200，且用于制备凸起结构200的材料的折射率大于1.4，基于此当入射光照射在防伪结构上时，入射光会与多个凸起结构200产生米氏共振现象，使得防伪结构的凸起结构200上不同角度反射的光线不同，进而使得经由不同的角度看向防伪结构时会呈现不同的颜色，基于此即可实现防伪作用，本申请实施例提供的防伪结构基于结构色进行显色，无需依赖于颜料，分辨率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防伪结构，其特征在于，包括：基底层；多个凸起结构，形成于所述基底层上，其中，用于制备所述凸起结构的材料的折射率大于1.4。2.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，所述基底层的材料和用于制备所述凸起结构的材料相同。3.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，制备所述凸起结构的材料包括硅、二氧化钛、氧化铝和氧化铪中的至少一种。4.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，所述凸起结构沿高度方向的截面为椭圆形；所述凸起结构的高度为140纳米至240纳米。5.根据权利要求4所述的防伪结构，其特征在于，所述椭圆形的短轴直径为80纳米至240纳米；所述椭圆形的长轴直径为80纳米至240纳米，所述长轴直径的取值大于所述短轴直径的取值。6.根据权利要求1所述的防伪结构，其特征在于，多个所述凸起结构在所述基底层上呈矩形阵列排布；其中，矩形阵列排布的X轴排布周期与Y轴排布周期相同，所述X轴排布周期和所述Y轴排布周期的取值为290纳米至310纳米。7.根据权利要求1至5中任一项所述的防伪结构，其特征在于，还包括：金属层，覆盖在所述凸起结构背离于所述基底的一侧；所述金属层的厚度为25纳米至35纳米。8.根据权利要求7所述的防伪结构，其特征在于，制备所述金属层的材料包括金、银、铝和铬中的至少一种。9.一种防伪结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：史丽娜，尚潇，李龙杰，陈生琼，谢常青，李泠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：