一种温度检测电路、芯片及温度检测方法技术

本发明专利技术提供了一种温度检测电路、芯片及温度检测方法。温度检测电路包括第一MOS管～第七MOS管、第一电阻～第六电阻和第一反相器；第一MOS管的栅极及其漏极、第二MOS管的栅极、第三MOS管的漏极相互连接于第一节点；第二MOS管的漏极、第四MOS管的漏极、第五MOS管的栅极、第六MOS管的栅极及其漏极相互连接于第二节点；第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极、第二电阻的一端、第三电阻的一端相互连接于第三节点，第三MOS管的源极与第五电阻的一端相连；第四MOS管的源极与第五电阻的另外一端及第四电阻的一端相互连接。温度检测电路可以对芯片的温度进行检测，并且面积小，结构简单，功耗低。功耗低。功耗低。

【技术实现步骤摘要】
一种温度检测电路、芯片及温度检测方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种温度检测电路、芯片及温度检测方法。

技术介绍

[0002]在集成电路技术中，温度检测电路是一种实时监测片上温度的模块，用于实现过温控制，温度补偿等功能，在现代SOC(system
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chip，片上系统)芯片产品中得到了广泛应用。
[0003]传统的温度检测电路通常利用BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型晶体管)的电流与温度之间的指数关系来构建温度检测电路，但BJT型温度检测电路存在面积大，结构复杂，功耗过高的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种温度检测电路、芯片及温度检测方法，以解决现有的温度检测电路存在面积大、结构复杂和功耗过高的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种温度检测电路，所述温度检测电路包括第一MOS管～第七MOS管、第一电阻～第六电阻和第一反相器；
[0006]所述第一MOS管的栅极及其漏极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的漏极相互连接于第一节点；
[0007]所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极及其漏极相互连接于第二节点；
[0008]所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极、所述第二电阻的一端、第三电阻的一端相互连接于第三节点，所述第三MOS管的源极与所述第五电阻的一端相连；
[0009]所述第四MOS管的源极与所述第五电阻的另外一端及所述第四电阻的一端相互连接；
[0010]所述第五MOS管的漏极、所述第六MOS管的源极、所述第六电阻的一端、所述第一反相器的输入端相互连接于第四节点；
[0011]所述第七MOS管的栅极和所述第一反相器的输出端相互连接，所述第七MOS管的漏极与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的另外一端相互连接于第六节点；
[0012]所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第五MOS管的源极均与电源正极相连；
[0013]所述第七MOS管的源极与电源负极相连；
[0014]所述第一电阻的另外一端、所述第四电阻的另外一端、所述第六电阻的另外一端分别与所述电源负极相连；
[0015]所述第三电阻的另外一端与所述电源正极相连；
[0016]所述第一反相器的输出端为所述温度检测电路的第一输出端；
[0017]其中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管和所述第六MOS管均为PMOS
管，所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第七MOS管均为NMOS管。
[0018]可选的，所述温度检测电路还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端相互连接，所述第二反相器的输出端为所述温度检测电路的第二输出端。
[0019]本专利技术还提供了另一种温度检测电路，所述温度检测电路包括第一MOS管～第七MOS管、第一电阻～第六电阻和第一反相器；
[0020]所述第一MOS管的栅极及其漏极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的漏极相互连接于第一节点；
[0021]所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极及其漏极相互连接于第二节点；
[0022]所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极、所述第二电阻的一端、第三电阻的一端相互连接于第三节点，所述第三MOS管的源极与所述第五电阻的一端相连；
[0023]所述第四MOS管的源极与所述第五电阻的另外一端及所述第四电阻的一端相互连接；
[0024]所述第五MOS管的漏极、所述第六MOS管的源极、所述第六电阻的一端、所述第一反相器的输入端相互连接于第四节点；
[0025]所述第七MOS管的栅极和所述第一反相器的输出端相互连接，所述第七MOS管的漏极与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的另外一端相互连接于第六节点；
[0026]所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第五MOS管的源极均与电源负极相连；
[0027]所述第七MOS管的源极与电源正极相连；
[0028]所述第一电阻的另外一端、所述第四电阻的另外一端、所述第六电阻的另外一端分别与所述电源正极相连；
[0029]所述第三电阻的另外一端与所述电源负极相连；
[0030]所述第一反相器的输出端为所述温度检测电路的第一输出端；
[0031]其中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管和所述第六MOS管均为NMOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第七MOS管均为PMOS管。
[0032]本专利技术还提供了一种芯片，所述芯片中设置有上述所述的一种温度检测电路。
[0033]可选的，所述芯片中设置有多个所述温度检测电路。
[0034]可选的，多个所述温度检测电路均匀分布在所述芯片中。
[0035]本专利技术还提供了一种温度检测方法，所述温度检测方法包括以下步骤：
[0036]将上述任一项所述的一种温度检测电路集成到一个芯片中；
[0037]使所述第三MOS管和第四MOS管工作在亚阈值区；
[0038]判断所述第一反相器的输出端的电位是否发生跳变，如果是，则判定所述芯片的温度超过预设阈值；如果否，则判定所述芯片的温度未超过所述预设阈值。
[0039]本专利技术还提供了另一种温度检测方法，所述温度检测方法包括以下步骤：
[0040]将上述所述的一种温度检测电路集成到一个芯片中；
[0041]使所述第三MOS管和第四MOS管工作在亚阈值区；
[0042]判断所述第二反相器的输出端是否由高电平变为低电平，如果是，则判定所述芯
片的温度超过预设阈值；如果否，则判定所述芯片的温度未超过所述预设阈值。
[0043]本专利技术提供的一种温度检测电路、芯片及温度检测方法可以对芯片的温度进行检测，并且温度检测电路的面积小，结构简单，功耗低，易于实现，而且可靠性高，适用于工业生产。
附图说明
[0044]图1是本专利技术一实施例提供的一种温度检测电路的结构示意图。
[0045]图2是本专利技术一实施例提供的一种温度检测方法的流程示意图。
[0046][附图标记说明如下]：
[0047]第一MOS管
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M1、第二MOS管
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M2、第三MOS管
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M3、第四MOS管
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M4、第五MOS管
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M5、第六MOS管
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M6、第七MOS管
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M7；
[0048]第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；
[0049本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种温度检测电路，其特征在于，所述温度检测电路包括第一MOS管～第七MOS管、第一电阻～第六电阻和第一反相器；所述第一MOS管的栅极及其漏极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的漏极相互连接于第一节点；所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极及其漏极相互连接于第二节点；所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极、所述第二电阻的一端、第三电阻的一端相互连接于第三节点，所述第三MOS管的源极与所述第五电阻的一端相连；所述第四MOS管的源极与所述第五电阻的另外一端及所述第四电阻的一端相互连接；所述第五MOS管的漏极、所述第六MOS管的源极、所述第六电阻的一端、所述第一反相器的输入端相互连接于第四节点；所述第七MOS管的栅极和所述第一反相器的输出端相互连接，所述第七MOS管的漏极与所述第一电阻的一端及所述第二电阻的另外一端相互连接于第六节点；所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第五MOS管的源极均与电源正极相连；所述第七MOS管的源极与电源负极相连；所述第一电阻的另外一端、所述第四电阻的另外一端、所述第六电阻的另外一端分别与所述电源负极相连；所述第三电阻的另外一端与所述电源正极相连；所述第一反相器的输出端为所述温度检测电路的第一输出端；其中，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第五MOS管和所述第六MOS管均为PMOS管，所述第三MOS管、所述第四MOS管和所述第七MOS管均为NMOS管。2.如权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，所述温度检测电路还包括第二反相器，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端相互连接，所述第二反相器的输出端为所述温度检测电路的第二输出端。3.一种温度检测电路，其特征在于，所述温度检测电路包括第一MOS管～第七MOS管、第一电阻～第六电阻和第一反相器；所述第一MOS管的栅极及其漏极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的漏极相互连接于第一节点；所述第二MOS管的漏极、所述第四MOS管的漏极、所述第五MOS管的栅极、所述第六MOS管的栅极及其漏极相互连接于第二节点；所述第三MOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：段杰斌，李琛，陈卓雅，郭令仪，杨何勇，
申请(专利权)人：成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：