一种谐振驱动电路及其控制方法技术

本发明专利技术提供了一种谐振驱动电路及其控制方法，其中谐振驱动电路主要由驱动信号生成及控制电路、驱动变压器和分压阻抗网络三部分组成；驱动变压器实现原副边隔离的同时，利用其原边励磁电感与副边负载的谐振，通过控制驱动变压器上电平的正负及导通时刻以达到减小功耗和简化电路结构的目的；且通过副边阻抗分压网络实现正负非对称双极性电压输出，从而适用于多种开关器件的驱动，扩大了驱动电路的适用范围；本发明专利技术的优点在于以尽量简单的电路结构实现了适用于多种功率开关器件的非对称双极性谐振驱动，并且具有较高的效率、抗扰性和稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
一种谐振驱动电路及其控制方法


[0001]本专利技术属于开关电源
，涉及一种谐振驱动电路及其控制方法，尤其涉及一种隔离型非对称双极性谐振驱动电路及其控制方法。

技术介绍

[0002]目前常用的开关管(包括MOSFET(金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管))隔离型驱动电路采用驱动电阻的方案，其驱动损耗随开关频率的增加快速增大，高频时驱动损耗很大。
[0003]随着电力电子技术的发展，SiC器件已经逐渐成为主流开关器件，其一般应用在开关频率较高的场合，且其对驱动电路的要求较高，为了满足各种场合的需要，一般要求驱动电路具有正负非对称双极性输出、原副边隔离且具有较小的驱动损耗。目前采用的隔离型谐振驱动方案不仅原边控制复杂，一般需要全桥或者半桥等拓扑且这些小功率的开关管仍需要复杂的驱动电路；另外，谐振方案需要在电路中增加电感或采用变压器漏感的方案，增加电感会增加电路复杂度和成本，而变压器漏感一般难以精确设计；最后，目前产生非对称双极性电压的方法也比较复杂，需要两个电源或者较为复杂的副边电路设计，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振驱动电路，其特征在于，包括：依次进行电路连接的驱动信号生成及控制电路、驱动变压器和分压阻抗网络；所述驱动信号生成及控制电路，用于将所述谐振驱动电路的控制信号转换为驱动脉冲信号，并将所述驱动脉冲信号传输至所述驱动变压器；所述驱动变压器，用于根据输入的所述驱动脉冲信号执行相应动作，并输出对称双极性驱动信号至所述分压阻抗网络，同时为所述谐振驱动电路提供谐振电感；所述分压阻抗网络，用于对所述对称双极性驱动信号进行偏压处理，得到正负非对称双极性驱动信号，并将所述正负非对称双极性驱动信号传输至主开关管，其中，所述正负非对称双极性驱动信号用于控制所述主开关管开启或关断。2.根据权利要求1所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述驱动信号生成及控制电路包括驱动电源、电平转换电路和驱动脉冲生成电路，所述驱动电源同时为所述电平转换电路和驱动脉冲生成电路进行供电，所述电平转换电路的输出端连接于所述驱动脉冲生成电路。3.根据权利要求2所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述电平转换电路由驱动芯片构成或通过模拟电路搭建。4.根据权利要求3所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述驱动脉冲生成电路为半桥电路，由开关管PMOS、NMOS和第一电容C1、第二电容C2组成；所述PMOS和NMOS的门极连接于所述电平转换电路的输出端，所述PMOS的源极连接所述驱动电源正极，所述PMOS的漏极连接于所述NMOS的漏极，所述NMOS的源极接地，所述第一电容C1并联在所述PMOS的源极和漏极上，所述第二电容C2并联在所述NMOS的源极和漏极上，所述PMOS漏极与所述NMOS漏极连接所述驱动变压器原边绕组的一端，所述第一电容C1与所述第二电容C2连接于所述驱动变压器原边绕组的另一端。5.根据权利要求3所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述驱动脉冲生成电路还包括全桥电路或其他电路拓扑结构。6.根据权利要求1所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述驱动变压器包括一个原边绕组和至少一个副边绕组。7.根据权利要求6所述的谐振驱动电路，其特征在于，所述驱动变压器包括一个原边绕组和两个副边绕组，且所述两个副边绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛宇杰，李广，朱春辉，
申请(专利权)人：深圳英飞源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：