半导体结构及其形成方法技术

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；第一隧穿氧化层，位于所述第一区域的半导体衬底上；第二隧穿氧化层，位于所述第二区域的半导体衬底上，所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度；浮置栅极，位于所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层上。本申请所述的半导体结构及其形成方法，将常规半导体结构中的隧穿氧化层分为厚度不同的两部分，可以同时兼顾闪存器件擦除速度以及应力诱导泄漏电流，即保证擦除速度的同时尽量降低应力诱导泄漏电流。度的同时尽量降低应力诱导泄漏电流。度的同时尽量降低应力诱导泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。在存储器件中，快闪存储器(flash memory，简称闪存)已经成为非挥发性存储器的主流。
[0003]闪存可以分为浮栅结构闪存(floating gate Flash)和电荷能陷存储结构闪存(CTF，charge-trapping Flash)两类。对于浮栅结构闪存，由于浮置栅极的存在，使闪存可以完成信息的读(read)、写(program)、擦除(erase)，即便在没有电源供给的情况下，浮置栅极的存在可以保持存储数据的完整性，具有集成度高、存取速度较快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。
[0004]然而，目前的闪存器件中仍然存在难以兼顾闪存器件擦除速度以及应力诱导泄漏电流的问题，因此，有必要提出一种新的闪存器件及其制作方法，来同时兼顾闪存器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底上形成第一隧穿氧化层；在所述第二区域的半导体衬底上形成第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度；在所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层上形成浮置栅极。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的半导体衬底上形成第一隧穿氧化层，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度的方法包括：在所述第一区域和第二区域的半导体衬底上形成第一隧穿氧化材料层；去除所述第一区域的半导体衬底上的第一隧穿氧化材料层；在所述第一区域的半导体衬底上和所述第二区域的第一隧穿氧化材料层上形成第二隧穿氧化材料层，所述第一区域上的第二隧穿氧化材料层构成所述第一隧穿氧化层，所述第二区域上的第一隧穿氧化材料层和第二隧穿氧化材料层构成所述第二隧穿氧化层。3.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域的半导体衬底上形成第一隧穿氧化层，在所述第二区域的半导体衬底上形成第二隧穿氧化层，所述第二隧穿氧化层的厚度大于所述第一隧穿氧化层的厚度的方法包括：在所述第一区域和第二区域的半导体衬底上形成隧穿氧化材料层；回刻蚀部分所述第一区域的半导体衬底上的隧穿氧化材料层，所述第一区域上的隧穿氧化材料层构成所述第一隧穿氧化层，所述第二区域上的隧穿氧化材料层构成所述第二隧穿氧化层。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隧穿氧化层与所述第一隧穿氧化层的厚度差为5埃至50埃。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的长度为5纳米至150纳米，所述第二隧穿氧化层的长度为10纳米至150纳米。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二隧穿氧化层的厚度为70埃至110埃，第一隧穿氧化层的厚度为20埃至105埃。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：