一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，属于电力电子技术领域，功率模块包括：DBC基板，包括电路层，设有：DC+区、DC

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块


[0001]本技术属于电力电子
，更具体地，涉及一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块。

技术介绍

[0002]buck电路电路广泛应用于各种电子设备。然而现有商用buck电路模块使用功率器件仍然以硅基器件为主，电路的载流能力不高，损耗较高，不适合用于大功率等级电路中。
[0003]与硅基器件相比，碳化硅器件具有更高的载流能力、更高的开关速度、更低的开关损耗，并且能够工作在更高的温度下。然而现有碳化硅商用模块换流回路寄生电感普遍偏大，会增大碳化硅器件承受的开关电压电流应力。并且，单个碳化硅芯片之间的载流能力有限，在大功率场合常常需要通过并联多个功率芯片来提高模块的载流能力，然而驱动回路引入寄生电感不同会导致并联芯片之间的电流不均衡问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本技术提供了一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，旨在解决现有buck电路功率模块存在的寄生电感较大、开关管不均流、通流能力不高的问题。
[0005]为实现上述目的，按照本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，其特征在于，包括：DBC基板，包括电路层，所述电路层设有：DC+区、DC
‑
区、AC区、第一控制区和第二控制区；所述DC
‑
区、AC区、DC+区均由左右对称放置并连接的两块铜层构成，所述DC
‑
区、所述AC区、DC+区从上到下依次排布组成矩形区域；所述第一控制区放置在DC+区下方，所述第二控制区放置在DC
‑
区上方；第一碳化硅功率芯片组，焊接在所述DBC基板上且与所述电路层DC+区连接；包括多个互相并联的第一碳化硅功率芯片；第二碳化硅功率芯片组，焊接在所述DBC基板上且与所述电路层AC区连接；包括多个互相并联的第二碳化硅功率芯片；所述第二碳化硅功率芯片组与所述第一碳化硅功率芯片组串联构成buck电路。2.如权利要求1所述的多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，其特征在于，所述AC区同时和所述DC+区、所述DC
‑
区相邻紧密放置；所述DC+区和所述DC
‑
区形状相同或相近，并关于水平中线对称放置。3.如权利要求2所述的多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，其特征在于，所述DC+区的宽度和所述DC
‑
区的宽度相同或相近，以使所述第一碳化硅功率芯片组和第二碳化硅功率芯片组承受的应力相同或相近，从而提高所述buck电路工作的可靠性。4.如权利要求1所述的多芯片并联的buck型碳化硅功率模块，其特征在于，所述第一控制区、所述第二控制区、所述第一碳化硅功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈材，郭心悦，刘新民，康勇，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：新型
国别省市：