一种太阳能防反灌控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能防反灌控制电路，包括N沟道场效应管，电压比较模块，boost升压电路。本发明专利技术采用可靠的高压电源，为系统提供工作电压，驱动低成本，高性能的N沟道场效应管，实现双电源热切换功能，占用面积较小，方便PCB的布局，相对于以往的高侧P沟道理想二极管和高侧N沟道电荷泵驱动型理想二极管，本方案设计的理想二极管具备了驱动简单，稳定性好，效率高，经济性高这些优点，使用稳定，可靠的boost升压电路来产生驱动高侧N沟道场效应管的电压，避开电荷泵不稳定的缺点。避开电荷泵不稳定的缺点。避开电荷泵不稳定的缺点。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能防反灌控制电路


[0001]本技术涉及二极管电路
，尤其涉及一种太阳能防反灌控制电路。

技术介绍

[0002]目前市场上成熟的集成理想二极管控制器主要有凌特LT4320，德州仪器的LM5050，德州仪器的LM5050采用的是用的是内置电荷泵驱动的高侧N沟道场效应管，凌特LT4320采用的是直接驱动高侧p沟道场效应管。他们各有以下优缺点，高侧P沟道优点，驱动简单，稳定性好，缺点，效率低，经济性低。高侧N沟道优点，效率高，经济性高，但是电荷泵稳定性差，而我们设计的理想二极管具备了两者的优点，具有驱动简单，稳定性好，效率高，经济性高这些优点。
[0003]本专利技术提供了一种防反灌电流MOS管驱动电路，包括N沟道场效应管，电压比较模块(高精度运算放大器)，boost升压电路。本专利技术的有益效果是：采用可靠的高压电源，为系统提供工作电压，驱动低成本，高性能的N沟道场效应管，实现双电源热切换功能，占用面积较小，方便PCB的布局。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是为了设计一款驱动简单，稳定性好，效率高，经济性高；适用于太阳能无人机电源防反灌系统的电路。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0006]一种太阳能防反灌控制电路，包括boost升压模块、电压比较模块和高侧N沟道场效应管；
[0007]所述boost升压模块包括二极管D1，电阻R1、R3和R6，电容C1、C3和C4，升压芯片，二极管D1的源极接信号输出端中间过火线L1，电阻R1、R3和电阻R6之间并联连接口接地，电阻R6和电容C1串联连接后接地，电阻R1、R3和电容C1串联连接后接地，升压芯片与各单元构成升压端后接地；
[0008]所述boost升压模块与所述电压比较模块电性连接，所述电压比较模块包括电容C2、电阻R5和R2、电压级芯片，电容C2与所述boost升压模块串联连接后接地，所述boost升压模块过电压级芯片后接地，电压级芯片与门回路连接，电压级芯片正负极端分别与电阻R5和电阻R2串联；
[0009]所述电压比较模块过电阻R5和电阻R2与高侧N沟道场效应管并联连接，所述高侧N沟道场效应管包括NMOS管，NMOS管设置1至8个端口，1至3号端口为S极，4号端口为G极，5至8号端口为D极，S极与G过电阻R4接输入端，D极接输出端。
[0010]与现有技术相比，本技术具备以下优点：
[0011]相对于以往的高侧P沟道理想二极管和高侧N沟道电荷泵驱动型理想二极管，本方案设计的理想二极管具备了驱动简单，稳定性好，效率高，经济性高这些优点，使用稳定，可靠的boost升压电路来产生驱动高侧N沟道场效应管的电压，避开电荷泵不稳定的缺点。
附图说明
[0012]图1为本技术提出的一种太阳能防反灌控制电路的结构示意图；
[0013]图2为本技术中电路板的结构示意图。
[0014]图中：1boost升压模块、2电压比较模块、3高侧N沟道场效应管。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0016]参照图1和图2，太阳能防反灌控制电路包括boost升压模块1、电压比较模块2和高侧N沟道场效应管3；
[0017]高侧N沟道场效应管boost升压模块1包括二极管D1，电阻R1、R3和R6，电容C1、C3和C4，升压芯片；
[0018]二极管D1的源极接信号输出端中间过火线L1，电阻R1、R3和电阻R6之间并联连接口接地，电阻R6和电容C1串联连接后接地，电阻R1、R3和电容C1串联连接后接地，升压芯片与各单元构成升压端后接地；
[0019]高侧N沟道场效应管boost升压模块1与高侧N沟道场效应管电压比较模块2电性连接，高侧N沟道场效应管电压比较模块2包括电容C2、电阻R5和R2、电压级芯片，电容C2与高侧N沟道场效应管boost升压模块1串联连接后接地；
[0020]高侧N沟道场效应管boost升压模块1过电压级芯片后接地，电压级芯片与门回路连接，电压级芯片正负极端分别与电阻R5和电阻R2串联；
[0021]高侧N沟道场效应管电压比较模块2过电阻R5和电阻R2与高侧N沟道场效应管3并联连接，高侧N沟道场效应管高侧N沟道场效应管3包括NMOS管，NMOS管设置1至8个端口，1至3号端口为S极，4号端口为G极，5至8号端口为D极，S极与G过电阻R4接输入端，D极接输出端；
[0022]电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6的阻值分别为270kΩ、1mΩ、10kΩ、10kΩ、1mΩ、2.2kΩ；
[0023]电容C1、C2、C3和C4的容量分别为10uf、0.1uf、10uf和330nf；
[0024]本电路的原理如下：
[0025]高精度运算放大器，通过比较场效应管两端的电压来判断当前是属于来判断当前处于正向导通状态还是反向导通状态。如果是正向导通状态，就输出一个高电平驱动高侧场效应管正常导通，如果属于反向状态，就是输出一个低电平驱动长线管关断输出，从而达到单向导通，防止防电流反灌的目的，使用稳定，可靠的boost升压电路来产生驱动高侧N沟道场效应管的电压，避开电荷泵不稳定的缺点。
[0026]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能防反灌控制电路，包括boost升压模块(1)、电压比较模块(2)和高侧N沟道场效应管(3)，其特征在于：所述boost升压模块(1)包括二极管D1，电阻R1、R3和R6，电容C1、C3和C4，升压芯片，二极管D1的源极接信号输出端中间过火线L1，电阻R1、R3和电阻R6之间并联连接口接地，电阻R6和电容C1串联连接后接地，电阻R1、R3和电容C1串联连接后接地，升压芯片与各单元构成升压端后接地；所述boost升压模块(1)与所述电压比较模块(2)电性连接，所述电压比较...

【专利技术属性】
技术研发人员：林涌鑫，周源，江鸿浩，冯家伟，陈凯婕，马炜仪，郝云峰，杨熙泉，卢吉辰，陈燕婷，
申请(专利权)人：林涌鑫，
类型：新型
国别省市：