一种多层结构的中子慢化屏蔽装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种多层结构的中子慢化屏蔽装置，包括设置在γ屏蔽层内的中子慢化屏蔽体，中子慢化屏蔽体包括核心慢化体，核心慢化体内设有探测器安装孔，探测器安装孔的位置偏向于核心慢化体正对被测物体一侧，在核心慢化体除正对被测物体一侧的外表面设有中子反射层，中子反射层外覆盖有中子屏蔽层。如果核心慢化体已经实现所需的探测效率，则可以取消所述中子反射层。在中子屏蔽层内还可以设置中子吸收层。本实用新型专利技术中探测器的安装位置不再处于慢化体中央，而是偏向于核心慢化体正对被测物体的一侧，从而能够得到最优化的探测效率。中子吸收层、中子屏蔽层的设置可以有效屏蔽其他方向来的干扰中子，γ屏蔽层能够有效降低γ辐射的干扰。低γ辐射的干扰。低γ辐射的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种多层结构的中子慢化屏蔽装置


[0001]本技术属于核辐射测量技术，具体涉及一种多层结构的中子慢化屏蔽装置。

技术介绍

[0002]在进行中子测量时，由于通常使用的中子探测器只对热中子有较高的反应截面，而被测物体发出的中子一般为快中子，因此在测量时需要在探测器外部设计一层慢化体，将快中子慢化为热中子，因此慢化体的结构和材料对中子探测效率有极大的影响，目前中子测量使用的慢化体通常为圆柱形或球形结构，探测器位于慢化体中央，这样的设计对于不同方向的中子具有基本一致的探测效率，但对于已经明确被测物体方向(即中子来源方向)的应用场景，这种慢化体结构不能得到最优化的探测效率，也不能有效屏蔽其他方向来的干扰中子。此外，如果应用场景还同时存在较强的γ辐射场，而γ辐射同样会对中子探测器产生干扰信号，而通常结构的慢化体也无法降低γ辐射的干扰。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于针对现有技术中存在的缺陷，提供一种多层结构的慢化屏蔽装置，从而能够有效提高中子测量效率并降低γ辐射影响。
[0004]本技术的技术方案如下：一种多层结构的中子慢本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层结构的中子慢化屏蔽装置，包括设置在γ屏蔽层(6)内的中子慢化屏蔽体，所述中子慢化屏蔽体包括核心慢化体(2)，核心慢化体(2)内设有探测器安装孔(1)，其特征在于，所述探测器安装孔(1)的位置偏向于核心慢化体(2)正对被测物体一侧，在核心慢化体(2)除正对被测物体一侧的外表面设有中子反射层(3)，中子反射层(3)外覆盖有中子屏蔽层(5)。2.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置，其特征在于，所述核心慢化体(2)采用高密度聚乙烯或超高分子量聚乙烯材料。3.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置，其特征在于，如果所述核心慢化体(2)已经实现所需的探测效率，则取消所述中子反射层(3)。4.如权利要求1所述的多层结构的中子慢化屏蔽装置，其特征在于，在所述中子屏蔽层(5)内还可以设置中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，肖鹏飞，苏家豪，郑皓，刘伟容，贺施政，王欣，王宏凯，
申请(专利权)人：中国核电工程有限公司，
类型：新型
国别省市：