一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头及测试装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头及测试装置，用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。本申请可获得晶棒准确的电性能参数，为晶片分级、客户分类及技术调整提供有力的参考依据，有效防止了因电性能参数问题而导致的客户退货问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头及测试装置


[0001]本专利技术涉及一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头及测试装置，属于InP磷化铟单晶片电性能测试


技术介绍

[0002]由于不同的用途，会导致对InP磷化铟单晶片电性能的不同要求，如用于5G通信、芯片、光纤传输、无线WiFi、微波遥控或航空航天等的电性能要求各不同。在本专利申请之前，InP磷化铟衬底在电性能测试时，采用锗工艺4针探头仅检测电阻值，通过4针探头测试晶棒表面位置得出数值，手段比较单一，且晶棒与晶片测量误差较大，同时电阻值并不能完全体现InP磷化铟衬底的电性能，不能准确的得知晶体的电性能情况，不能保障晶片的电性能符合客户要求。
[0003]迁移率是衡量半导体性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。迁移率μ的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。2.如权利要求1所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：铂铑丝的直径为0.08～0.12mm。3.如权利要求1或2所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：每根铂铑丝的长度为4～6mm。4.如权利要求1或2所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：测试样片为边长为5～15mm的方形片。5.一种具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，与权利要求1
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4任意一项所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头配套使用，其特征在于：包括第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锐，柯尊斌，王卿伟，郭友林，
申请(专利权)人：中锗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：