自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质制造方法及图纸

本公开提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质，属于自容式触摸屏技术领域。所述方法包括：确定第一触摸电极，所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极；获取所述第一触摸电极的第一电容数据；根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系，所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。由于所述对应关系为触摸电极的电容数据与断线位置的对应关系。这样，根据第一电容数据和对应关系，能够快速查找到第一触摸电极的断线位置，从而提高触摸触摸电极的断线位置的检测效率。高触摸触摸电极的断线位置的检测效率。高触摸触摸电极的断线位置的检测效率。

【技术实现步骤摘要】
自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质


[0001]本公开涉及触控
，特别涉及一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质。

技术介绍

[0002]自容式触摸屏是电容式触摸屏中的一种，其工作原理为利用导电材质制作成触摸电极，通过手指触控自容式触摸屏时触摸电极的电容的变化来实现触控。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法、装置、设备和介质，能够提高自容式触摸屏的断线位置的检测效率。所述技术方案如下：
[0004]第一方面，提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测方法，所述自容式触摸屏包括触摸芯片、多根引线和阵列布置的多个触摸电极，每个所述触摸电极通过对应的一根所述引线连接至所述触摸芯片，所述方法包括：确定第一触摸电极，所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极；获取所述第一触摸电极的第一电容数据，所述第一电容数据用于反应所述第一触摸电极在未被触摸状态下的对地电容；根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系，所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。
[0005]可选地，所述根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：对所述第一电容数据进行处理，得到第二电容数据；根据所述第一触摸电极的第一位置，确定第一参考电容数据，所述第一位置为所述第一触摸电极在所述引线延伸方向的位置，所述第一参考电容数据为所述对应关系中与所述第一位置对应的参考电容数据；根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置。
[0006]可选地，所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：响应于确定所述第二电容数据的数值小于所述第一参考电容数据的数值，确定所述第一触摸电极的断线位置为第一触摸电极内部；或者，响应于确定所述第二电容数据的数值大于最大值，确定所述第一触摸电极的断线位置为所述数据选择器前端，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值。
[0007]可选地，所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：响应于确定所述第二电容数据的数值大于所述第一参考电容数据的数值且小于最大值，根据所述第二电容数据的数值大小，确定第二参考电容数据，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值，所述第二参考电容数据为所述对应关系中与所述第二电容数据的数值大小最接近的参考电容数据；将所述第二参考电容数据对应的断线位置，确定为所述第一触摸电极的断线位置。
[0008]可选地，所述第一电容数据包括第一电参数和第二电参数，所述对所述第一电容数据进行处理，得到第二电容数据，包括：采用以下公式对所述第一电容数据进行处理：C＝X+M
‑
N*Y，其中，C表示所述第二电容数据，X表示所述第一电参数，Y表示所述第二电参数，M和N为设定值。
[0009]可选地，所述方法还包括：对自容式触摸屏样本的一列第二触摸电极进行划线测试，以确定第二触摸电极在不同断线位置下的第三电容数据；对所述第三电容数据进行处理，得到对应的断线位置下的电容参考数据；根据所述断线位置以及所述断线位置下的电容参考数据，生成所述对应关系。
[0010]第二方面，提供了一种自容式触摸屏的断线位置检测装置，所述自容式触摸屏包括触摸芯片、多根引线和阵列布置的多个触摸电极，每个所述触摸电极通过对应的一根所述引线连接至所述触摸芯片，所述装置包括：第一确定模块，用于确定第一触摸电极，所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极；获取模块，用于获取所述第一触摸电极的第一电容数据，所述第一电容数据用于反应所述第一触摸电极在未被触摸状态下的对地电容；第二确定模块，用于根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系，所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。
[0011]可选地，所述第二确定模块用于对所述第一电容数据进行处理，得到第二电容数据；根据所述第一触摸电极的第一位置，确定第一参考电容数据，所述第一位置为所述第一触摸电极在所述引线延伸方向的位置，所述第一参考电容数据为所述对应关系中与所述第一位置对应的参考电容数据；根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置。
[0012]可选地，所述第二确定模块用于响应于确定所述第二电容数据的数值小于所述第一参考电容数据的数值，确定所述第一触摸电极的断线位置为第一触摸电极内部；或者，响应于确定所述第二电容数据的数值大于最大值，确定所述第一触摸电极的断线位置为所述数据选择器前端，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值。
[0013]可选地，所述第二确定模块用于响应于确定所述第二电容数据的数值大于所述第一参考电容数据的数值且小于最大值，根据所述第二电容数据的数值大小，确定第二参考电容数据，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值，所述第二参考电容数据为所述对应关系中与所述第二电容数据的数值大小最接近的参考电容数据；将所述第二参考电容数据对应的断线位置，确定为所述第一触摸电极的断线位置。
[0014]可选地，所述第一电容数据包括第一电参数和第二电参数，所述第二确定模块用于采用以下公式对所述第一电容数据进行处理：C＝X+M
‑
N*Y，其中，C表示所述第二电容数据，X表示所述第一电参数，Y表示所述第二电参数，M和N为设定值。
[0015]可选地，所述装置还包括对应关系生成模块，用于对自容式触摸屏样本的一列第二触摸电极进行划线测试，以确定第二触摸电极在不同断线位置下的第三电容数据；对所述第三电容数据进行处理，得到对应的断线位置下的电容参考数据；根据所述断线位置以及所述断线位置下的电容参考数据，生成所述对应关系。
[0016]第三方面，提供了一种计算机设备，包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为执行第一方面所述的方法。
[0017]第四方面，提供了一种计算机可读介质，当计算机可读介质中的指令由计算机设备的处理器执行时，使得计算机设备能够执行第一方面所述的方法。
[0018]第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序/指令，其特征在于，所述计算机程序/指令被处理器执行时实现第一方面所述的方法。
[0019]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0020]本公开实施例中，根据第一电容数据和预设的对应关系确定第一触摸电极的断线位置。由于对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系，这样，根据第一电容数据和对应关系，能够快速查找到第一触摸电极的断线位置，从而提高自容式触摸屏的断线位置的检测效率。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本公开实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自容式触摸屏的断线位置检测方法，其特征在于，所述自容式触摸屏包括触摸芯片、多根引线和阵列布置的多个触摸电极，每个所述触摸电极通过对应的一根所述引线连接至所述触摸芯片，所述方法包括：确定第一触摸电极，所述第一触摸电极为所述多个触摸电极中发生断线的触摸电极；获取所述第一触摸电极的第一电容数据，所述第一电容数据用于反应所述第一触摸电极在未被触摸状态下的对地电容；根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，所述对应关系为触摸电极的参考电容数据与断线位置的对应关系，所述断线位置为所述第一触摸电极内部至所述触摸芯片之间的位置。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电容数据和预设的对应关系，确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：对所述第一电容数据进行处理，得到第二电容数据；根据所述第一触摸电极的第一位置，确定第一参考电容数据，所述第一位置为所述第一触摸电极在所述引线延伸方向的位置，所述第一参考电容数据为所述对应关系中与所述第一位置对应的参考电容数据；根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：响应于确定所述第二电容数据的数值小于所述第一参考电容数据的数值，确定所述第一触摸电极的断线位置为第一触摸电极内部；或者，响应于确定所述第二电容数据的数值大于最大值，确定所述第一触摸电极的断线位置为所述数据选择器前端，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二电容数据和所述第一参考电容数据确定所述第一触摸电极的断线位置，包括：响应于确定所述第二电容数据的数值大于所述第一参考电容数据的数值且小于最大值，根据所述第二电容数据的数值大小，确定第二参考电容数据，所述最大值为所述对应关系中参考电容数据最大值，所述第二参考电容数据为所述对应关系中与所述第二电容数据的数值大小最接近的参考电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：具松，金贤善，张光均，罗鸿强，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：