一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，包括以下步骤：S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁，使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理；S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口；S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸，再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带；S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带，配置温控箱，温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中，温度调整为90℃加热；S5、当温度达到定值90℃时，保温5分钟后，进行风冷，用细砂带背面来回轻拉一次，再用清洁纸将熔接部位外壁擦拭干净；本发明专利技术工艺方法所恢复的电缆外半导层电缆还原真实度高，性能更加优越。越。越。

【技术实现步骤摘要】
一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法


[0001]本专利技术涉及电工工艺
，尤其是涉及一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法。

技术介绍

[0002]目前，在高压电缆的结构中，电缆内半导和外半导的作用在于优化电缆内部电场，在电缆内部形成“法拉利笼”，其也是整个电缆线路中最薄弱的地方，通常熔接式直通接头在恢复外半导电层的方法为缠绕半导电带，而缠绕电带不可避免会产生空隙、毛刺和台阶，导致电缆内部电场畸变，增加了电缆接头处出现故障的几率。熔接式电缆外半导工艺的改进，还原了电缆的原始结构，使得电缆接头性能更加可靠。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的就是针对上述情况，提供一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，本专利技术工艺方法所恢复的电缆外半导层电缆还原真实度高，性能更加优越。
[0004]本专利技术的具体方案是：一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，包括有以下步骤：S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁，使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理，使得外半导层与电缆的绝缘层无台阶；S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口，半导硫化带搭接位置要从外半导层断口向内延伸5～10mm，缠绕时半导硫化带要采用二分之一搭接的缠绕方法,使其平整、无褶皱；S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸，再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带；S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带，配置一台温控箱，温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中，温控箱的输出端与硅橡胶加热带的一端端部电性连接，将温控箱接入220V电源，温度调整为90℃，打开电源开关进行加热；S5、当温度感应探头检测到的温度达到定值90℃时，保温5分钟后，关闭电源，拆掉硅橡胶加热带、温度感应探头及耐高温PI聚酰亚胺胶带，进行风冷，风冷后，用细砂带背面来回轻拉一次，再用清洁纸将熔接部位外壁擦拭干净，交联外半导层恢复完毕。
[0005]进一步的，本专利技术中所述步骤S2中的半导硫化带为聚乙烯半导硫化带。
[0006]进一步的，本专利技术中所述步骤S4中温控箱的温度感应探头插入位置为所缠绕的硅橡胶加热带的正中间位置处。
[0007]进一步的，本专利技术中所述步骤S5中的风冷采用冷风枪进行快速风冷。
[0008]本专利技术通过对熔接式电缆外半导层恢复工艺的改进，十分真实的还原了电缆的原始结构，使得电缆接头性能更加稳定可靠；整个恢复过程中，紧扣每一个细节，保证了外半导电层的较为真实的还原，通过精细的细节操作，大大提高了恢复的质量，具有很好的实际应用以及推广价值。
附图说明
[0009]图1是本专利技术中熔接式电缆外半导恢复后剖视图；图2是本专利技术中恢复绝缘的电缆结构示意图；图3是本专利技术中外半导层断口处倒角处理示意图；图4是本专利技术中缠绕半导硫化带示意图；图5是本专利技术中包绕锡纸示意图；图6是本专利技术中缠绕耐高温PI聚酰亚胺胶带示意图；图7是本专利技术中硅橡胶加热带加热示意图；图8是本专利技术中冷风枪进行风冷的示意图。
[0010]图中：1—外半导层，2—绝缘层，3—接头部位，4—内半导层，5—导体线芯，6—美工刀片，7—倒角，8—半导硫化带，9—锡纸，10—耐高温PI聚酰亚胺胶带，11—硅橡胶加热带，12—温度感应探头，13—温控箱，14—细砂带，15—冷风枪。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术的附图，对本专利技术的技术方案进行清楚完整的描述，显然所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0012]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术或简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造或操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0013]在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限制，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0014]参见图1
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图8，本专利技术所涉及的电缆包括有外半导层1、绝缘层2、内半导层4、导体线芯5和接头部位3组成的结构，本专利技术是一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，包括有以下步骤：S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁，使用美工刀片6将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理，使得外半导层与电缆的绝缘层无台阶；S2、将半导硫化带8从外半导层一端断口搭接至另一端断口，半导硫化带搭接位置要从外半导层断口向内延伸5～10mm，缠绕时半导硫化带要采用二分之一搭接的缠绕方法,使其平整、无褶皱；S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸9，再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带10；S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带11，配置一台温控箱13，温控箱的温度感应探头12插入硅橡胶加热带中，温控箱的输出端与硅橡胶加热带的一端端部电性
连接，将温控箱接入220V电源，温度调整为90℃，打开电源开关进行加热；S5、当温度感应探头检测到的温度达到定值90℃时，保温5分钟后，关闭电源，拆掉硅橡胶加热带、温度感应探头及耐高温PI聚酰亚胺胶带，进行风冷，风冷后，用细砂带14背面来回轻拉一次，再用清洁纸将熔接部位外壁擦拭干净，交联外半导层恢复完毕。
[0015]进一步的，本实施例中所述步骤S2中的半导硫化带为聚乙烯半导硫化带。
[0016]进一步的，本实施例中所述步骤S4中温控箱的温度感应探头插入位置为所缠绕的硅橡胶加热带的正中间位置处。
[0017]进一步的，本实施例中所述步骤S5中的风冷采用冷风枪15进行快速风冷。
[0018]本专利技术中的熔接式电缆外半导层的恢复采用聚乙烯交联技术，通过加热的方法使聚乙烯半导硫化带交联，此过程使导电材料间不会产生空隙。交联完毕后，使用细微砂纸即细砂带进行外交抛光处理，使得外半导层与原电缆结构无差异，大大提高了接头的稳定性和性能的可靠性。
[0019]本专利技术的工艺成熟，细致入微；整个恢复过程中，紧扣每一个细节，保证了外半导电层的较为真实的还原，通过精细的细节操作，大大提高了恢复的质量，具有很好的实际应用以及推广价值。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法，其特征在于，包括有以下步骤：S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁，使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理，使得外半导层与电缆的绝缘层无台阶；S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口，半导硫化带搭接位置要从外半导层断口向内延伸5～10mm，缠绕时半导硫化带要采用二分之一搭接的缠绕方法,使其平整、无褶皱；S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸，再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带；S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带，配置一台温控箱，温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中，温控箱的输出端与硅橡胶加热带的一端端部电性连接，将温控箱接入220V电源，温度调整为9...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂锋，吴文清，李亮亮，高天元，
申请(专利权)人：黄石市深博电气有限公司，
类型：发明
国别省市：