发光器件及显示基板制造技术

本申请实施例提供了一种发光器件及显示基板。发光器件包括衬底、第一发光结构和第二发光结构；第一发光结构和第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一半导体层设置在衬底上，发光层设置在第一半导体层的远离衬底的一侧，第二半导体层设置在发光层的远离第一半导体层的一侧；发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层，第一电极通过第一过孔与第一发光结构的第一半导体层连接，第三电极通过第二过孔与第一导电层连接，第一导电层与第二发光结构的第二半导体层连接，第二过孔环绕或半环绕第二发光结构的发光层设置，第二过孔在衬底上的正投影位于第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外。第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外。第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及显示基板


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种发光器件及显示基板。

技术介绍

[0002]相关技术中，高压发光二极管(LED)包括两颗串联连接的LED。对于高压发光二极管中的单颗LED来说，其不同部位存在一定的亮度差，导致亮度均一性不佳。因此，如何提高高压发光二极管中单颗LED的亮度均一性是需要解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的在于提供一种发光器件及显示基板，可以提高高压发光二极管中单颗LED的亮度均一性。具体技术方案如下：
[0004]本申请第一方面的实施例提出了一种发光器件，包括衬底、第一发光结构和第二发光结构；所述第一发光结构和所述第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底上，所述发光层设置在所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层设置在所述发光层的远离所述第一半导体层的一侧；
[0005]所述发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层，所述第一电极通过第一过孔与所述第一发光结构的第一半导体层连接，所述第二电极的一端连接所述第一发光结构的第二半导体层，所述第二电极的另一端连接所述第二发光结构的第一半导体层，所述第三电极通过第二过孔与所述第一导电层连接，所述第一导电层与所述第二发光结构的第二半导体层连接，所述第二过孔环绕或半环绕所述第二发光结构的发光层设置，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。
[0006]在本申请的其中一些实施例中所述第二过孔为环绕所述第二发光结构的发光层设置的口字形过孔结构；
[0007]所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
[0008]在本申请的另外一些实施例中，所述第二过孔为半环绕所述第二发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构；
[0009]所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
[0010]在本申请的一些实施例中，其特征在于，所述发光器件还包括第二导电层，所述第二电极通过第三过孔与所述第二导电层连接，所述第二导电层与第一发光结构的第二半导体层连接，所述第三过孔环绕或半环绕所述第一发光结构的发光层设置，所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置
的口字形过孔结构；
[0012]所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构；
[0014]所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述第一发光结构的发光层的尺寸和所述第二发光结构的发光层的尺寸相等，所述第一发光结构的第一半导体层的尺寸和所述第二发光结构的第一半导体层的尺寸相等，所述第一发光结构的第二半导体层的尺寸和所述第二发光结构的第二半导体层的尺寸相等。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述第一过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外；
[0017]所述第二电极通过第四过孔与所述第二发光结构的第一半导体层连接，所述第四过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。
[0018]在本申请的一些实施例中，所述第二电极上设置有金属膜层，所述第三电极上设置有金属膜层。
[0019]在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括平坦层，所述平坦层设置在所述衬底上且覆盖所述第一发光结构、所述第二发光结构、第一导电层和所述第二导电层，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极设置在所述平坦层的远离所述基板的一侧。
[0020]在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第二导电层和所述第一发光结构之间，所述第二导电层通过设置在所述第一绝缘层上的过孔与所述第一发光结构的第二半导体层连接，所述第二绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二发光结构之间，所述第一导电层通过设置在所述第二绝缘层上的过孔与所述第二发光结构的第二半导体层连接。
[0021]在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括反射层，所述反射层设置在所述平坦层和所述衬底之间，所述反射层覆盖所述第一发光结构、所述第二发光结构、所述第一导电层和所述第二导电层。
[0022]本申请另一方面的实施例提出了一种显示基板，包括根据第一方面的实施例任一项中的发光器件。
[0023]本申请实施例有益效果：
[0024]本申请实施例提出的发光器件及显示基板，发光器件包括第一发光结构和第二发光结构，并且第二电极的一端连接第一发光结构的第二半导体层，第二电极的另一端连接第二发光结构的第一半导体层，由此，通过第二电极将第一发光结构与第二发光结构进行串联，从而形成高压发光二极管。在本实施例中，第一电极与第一发光结构的第一半导体层连接，第三电极通过第二过孔与第一导电层连接，第一导电层与第二发光结构的第二半导体层连接。并且，第二过孔环绕或半环绕第二发光结构的发光层设置，第二过孔在衬底上的正投影位于第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外。相关技术中的电极过孔处于发光层的发光面积的覆盖范围之内，导致电极的端部与发光层的垂直距离(在发光器件的厚
度方向上的距离)很小，从而导致第二发光结构在发光时会显示轻微可见的电极图形，进而引起第二发光结构各部位的亮度不均一。在本实施例中，第二过孔环绕或半环绕第二发光结构的发光层设置，并且，第二过孔在衬底上的正投影位于第二发光结构的发光层在衬底上的正投影之外，由此，使第三电极的端部在发光器件的厚度方向上避开第二发光结构的发光层的覆盖范围，这样，能够避免第二发光结构在发光时显示轻微可见电极图形，因此，可以提高第二发光结构的亮度均一性。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0026]图1为本申请一种实施例的发光器件的结构示意图；
[0027]图2为图1中沿A
‑
A方向的剖视示意图(省略了第一绝缘层、第二绝缘层、平坦层、反射层)；
[0028]图3为图1中沿B
‑
B方向的剖视示意图(省略了第一绝缘层、第二绝缘层、平坦层、反射层)；
[0029]图4为本申请另一种实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括衬底、第一发光结构和第二发光结构；所述第一发光结构和所述第二发光结构均包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底上，所述发光层设置在所述第一半导体层的远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层设置在所述发光层的远离所述第一半导体层的一侧；所述发光器件还包括第一电极、第二电极、第三电极和第一导电层，所述第一电极通过第一过孔与所述第一发光结构的第一半导体层连接，所述第二电极的一端连接所述第一发光结构的第二半导体层，所述第二电极的另一端连接所述第二发光结构的第一半导体层，所述第三电极通过第二过孔与所述第一导电层连接，所述第一导电层与所述第二发光结构的第二半导体层连接，所述第二过孔环绕或半环绕所述第二发光结构的发光层设置，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二过孔为环绕所述第二发光结构的发光层设置的口字形过孔结构；所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二过孔为半环绕所述第二发光结构的发光层设置的匚字形过孔结构；所述第二过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第二发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第二导电层，所述第二电极通过第三过孔与所述第二导电层连接，所述第二导电层与第一发光结构的第二半导体层连接，所述第三过孔环绕或半环绕所述第一发光结构的发光层设置，所述第三过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影之外。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第三过孔为环绕所述第一发光结构的发光层设置的口字形过孔结构；所述第三过孔的各部分在所述衬底上的正投影，到所述第一发光结构的发光层在所述衬底上的正投影的距离均相等。6.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕万鹏，刘伟星，张春芳，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：