【技术实现步骤摘要】
一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构
[0001]本技术涉及LED封装
,更具体地说是涉及一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构。
技术介绍
[0002]随着LED技术的发展和照明、背光领域的广泛应用,市场对LED发光效率、可靠性和寿命有了进一步的提高;ESD(Electro
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Static Discharge静电释放)问题,不但影响了LED的发光效率,还大大缩短了LED的寿命。
[0003]因此,如何提供一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,使其能够克服上述问题,是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本技术提供了一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构。解决了LED抗静电能力差和发光效率低的问题。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:
[0006]一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,包括:
[0007]封装板,在所述封装板上镀附有两 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,其特征在于,包括:封装板(1),在所述封装板(1)上镀附有两块具有绝缘间隙的金属基板(2);发光二极管芯片(3),所述发光二极管芯片(3)布置在一块所述金属基板(2)上且其正负极分别与对应的两块所述金属基板(2)电性连接;齐纳二极管(4),所述齐纳二极管(4)内部设置有保护电路且其布置在一块所述金属基板(2)上,所述齐纳二极管(4)的外表面均匀涂覆有高反射率白胶(5),所述齐纳二极管(4)的正负极分别对应与两块所述金属基板(2)电性连接;封装胶,通过所述封装胶将所述金属基板(2)、所述发光二极管芯片(3)以及所述齐纳二极管(4)共同封装在所述封装板(1)上。2.根据权利要求1所述的一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,其特征在于,所述发光二极管芯片(3)为正装芯片或倒装芯片或垂直结构芯片中的一种。3.根据权利要求2所述的一种含涂覆有高反射率白胶的齐纳二极管的LED封装结构,其特征在于,所述发光二极管芯片(3)为正装芯片或所述垂直结构芯片时,所述发光二极管芯片(3)的正负极与两块所述金属基板(2)之间通过金属导线(6)...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱其,
申请(专利权)人:宜昌惠科科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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