一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法。包括：采用边缘倒角对晶片边缘加工成R型角；采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对铌酸锂晶片进行化学腐蚀；将腐蚀后的晶片层叠在边缘抛光夹具内，采用水松皮纸间隔晶片；将层叠好的晶片进行边缘粗抛光加工，所采用的抛光液由水，二氧化硅，乙二胺四乙酸盐，氧化半胱氨酸，三聚磷酸钠组成的混合溶液；将边缘粗抛光好的晶片进行边缘精抛光加工，所采用的精抛光液由水，二氧化硅，亚甲基二膦酸，异白氨酸，三乙基己基磷酸组成的混合溶液最终可以得到一种大尺寸超薄铌酸锂晶片，边缘光洁高，真圆度好，良率高。良率高。良率高。

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法


[0001]本专利技术涉及铌酸锂晶体材料，特别是一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法。

技术介绍

[0002]铌酸锂（LiNbO3，以下简称LN）是一种化学物质，属三方晶系，钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构，相对密度4.30g/cm3，莫氏硬度5，居里点1140℃，是集压电、铁电、热释电、非线性、光电、光弹、光折变等功能于一体的多功能材料。LN因其卓越的物理特性，得到了越来越多的关注，在航空、航天、民用光电产品等领域得到广泛应用。其中，作为压电晶体材料,经过退火、极化、定向、切割、滚圆、做基准面、多线切割、倒角、边缘抛光、研磨、抛光等工序制作的晶片具有优良的压电性能，可作为衬底片制作声表面波（SAW）和体波（BAW）器件。由于目前大尺寸超薄铌酸锂晶片更能满足电子元器件小型化、片式化的需求，因此为了获得高质量的电子元器件，对大尺寸超薄铌酸锂晶片的加工工艺提出了更高的要求。
[0003]与硅晶体和蓝宝石晶体相比，铌酸锂的断裂韧性和硬度更低，例如其断裂韧性是硅的三分之一、蓝宝石的十分之一，因此铌酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，包括下列具体步骤：a)将铌酸锂晶片放入边缘倒角机内，使用500#~1000#的R型金属砂轮进行第一次晶片边缘加工，去除量为0.1mm~0.3mm,再使用1500#~3000#的R型金属砂轮进行第二次晶片边缘加工，去除量为0.05mm~0.10mm，获得边缘为R型的铌酸锂晶片；b)将步骤a获得的铌酸锂晶片置于盛有硝酸和氢氟酸均匀混合溶液的密封容器中进行化学腐蚀，获得充分去除边缘应力的铌酸锂晶片；c)将步骤b获得的铌酸锂晶片放在边缘抛光夹具上，在晶片上放置水松皮纸作为间隔，然后再放置晶片，重复此动作进行叠片，同时晶片紧靠定位挡板，使晶片保持在同一中心位置，晶片层叠好后，在晶片上施加压力将其固定，获得待抛光的铌酸锂晶片；d)将步骤c获得的铌酸锂晶片及夹具固定在边缘抛光机内的加工平台上，将粗抛光毛刷移动至与晶片接触1mm~3mm位置，并将此位置坐标设定为加工坐标，然后将粗抛光毛刷复位至待加工位置后开始加工作业，粗抛光毛刷以1500rpm~3000rpm的速度进行旋转并移动至加工坐标，同时加工平台与晶片以30rpm~50rpm的速度进行旋转，抛光液通过设备内管路喷在晶片与毛刷上进行抛光作业，加工时间10min~30min获得边缘粗抛光的铌酸锂晶片；e)将步骤d获得的铌酸锂晶片及夹具从边缘粗抛光机内取出，放入边缘精抛光机内的加工平台上进行边缘精抛光作业，将精抛光毛刷移动至与晶片接触1mm~3mm位置，并将此位置坐标设定为加工坐标，然后将精抛光毛刷复位至待加工位置后开始加工作业，精抛光毛刷以500rpm~1500rpm的速度进行旋转，同时加工平台与晶片以30rpm~50rpm的速度进行旋转，抛光液通过设备内管路喷在晶片与毛刷上进行抛光作业，加工时间10min~20min，晶片边缘光洁度＜1nm，真圆度＜0.03mm，晶片直径≥200mm，厚度＜200μm，获得边缘抛光后...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈浩，徐秋峰，朱海瀛，宋岩岩，张伟明，汪万盾，张芹，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：