高通量极紫外多层膜光栅光谱仪制造技术

本发明专利技术涉及一种高通量极紫外多层膜光栅光谱仪，包括狭缝、多层膜光栅、探测器、信号处理系统和真空腔体；被测样品、狭缝和作为分光元件的多层膜光栅置于真空腔体内，入射光打到被测样品上产生的极紫外信号通过狭缝入射至多层膜光栅上，从多层膜光栅上衍射出来的信号通过与真空腔体密封连接的探测器探测，探测器探测信号送信号处理系统处理，获得被测样品的极紫外吸收谱数据。采用了多层膜光栅作为分光元件，可以使得光谱仪中光栅的工作角度从掠入射变为近正入射，大幅提高了对光子的利用效率。本发明专利技术结构紧凑，并且在需要同等光通量时，相比现有技术，本发明专利技术使用小尺寸光栅基底的成本更低。本更低。本更低。

【技术实现步骤摘要】
高通量极紫外多层膜光栅光谱仪


[0001]本专利技术涉及一种光谱仪技术，特别涉及一种高通量极紫外多层膜光栅光谱仪。

技术介绍

[0002]X射线近边吸收谱(X
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ray absorption near edge spectroscopy,XANES)是探测过渡金属配合物电子结构的重要技术手段，在阐明金属蛋白、配位化合物、半导体和催化剂结构和功能中起到关键作用。X射线的能量(光子能量>100eV)对应第一行过渡金属元素的K和L吸收边，极紫外近边吸收谱(光子能量50
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100eV)将这一表征技术拓展到了第一行过渡金属元素的M吸收边，对应电子从3p到3d的跃迁。M边近边吸收谱可应用于无机化学、生物无机化学和金属有机化学的研究中。
[0003]然而，目前的极紫外光谱仪一般为掠入射式的光栅光谱仪，立体接收角小，对光子的利用效率低。这是由于材料在极紫外能段的光学常数都接近但小于1，光栅在近正入射的情况下衍射效率极低，只能工作在掠入射几何(入射光线接近光学元件表面)下。而光学系统的立体接收角一般定义为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高通量极紫外多层膜光栅光谱仪，其特征在于，包括狭缝、多层膜光栅、探测器、信号处理系统和真空腔体；被测样品、狭缝和作为分光元件的多层膜光栅置于真空腔体内，入射光打到被测样品上产生的极紫外信号通过狭缝入射至多层膜光栅上，从多层膜光栅上衍射出来的信号通过与真空腔体密封连接的探测器探测，探测器探测信号送信号处理系统处理，获得被测样品的极紫外吸收谱数据。2.根据权利要求1所述高通量极紫外多层膜光栅光谱仪，其特征在于，所述多层膜光栅的光栅线密度随着光学元件表面垂直于光栅线条方向变化，且多层膜周期厚度在光学元件法线方向上变化。3.根据权利要求2所述高通量极紫外多层膜光栅光谱仪，其特征在于，所述多层膜光栅为闪耀型光栅。4.根据权利要求2或3所述高通量极紫外多层膜光栅光谱仪，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨笑微，翁祖谦，
申请(专利权)人：上海科技大学，
类型：发明
国别省市：