像素驱动电路及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，用于避免显示残像和显示亮点，同时降低功耗。该像素驱动电路包括驱动晶体管和与驱动晶体管耦接的开关晶体管，驱动晶体管包括第一有源层，第一有源层具有第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；开关晶体管包括第二有源层，第二有源层具有第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；其中，第二沟道区与第一沟道区的半导体基材相同，掺杂类型相同，第一沟道区的掺杂浓度大于第二沟道区的掺杂浓度。大于第二沟道区的掺杂浓度。大于第二沟道区的掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及其制备方法、阵列基板和显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板和显示装置。

技术介绍

[0002]目前，有机电致发光二极管显示装置(Organic Light
‑
Emitting Diode Display，简称OLED)由于具有自发光、响应速度快、功耗低等优点，因而得到了越来越广泛的应用。
[0003]OLED显示装置所包括像素驱动电路中，一般通过多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)来控制OLED的发光与否以及发光亮度。薄膜晶体管的形成离不开半导体材料，而受制于半导体材料的自身的特性，导致薄膜晶体管会存在漏电、导通电流变小等问题，并最终导致显示装置的显示画面出现亮点、残像等，使显示画面的观感变差，对显示装置的良率产生不利影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施例提供一种像素驱动电路及其制备方法、阵列基板和显示装置，用于避免显示残像和显示亮点，同时降低功耗。
[0005]为达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：驱动晶体管，所述驱动晶体管包括第一有源层，所述第一有源层具有第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；与所述驱动晶体管耦接的开关晶体管，所述开关晶体管包括第二有源层，所述第二有源层具有第二沟道区、第二源极区和第二漏极区；其中，所述第二沟道区与所述第一沟道区的半导体基材相同，掺杂类型相同，所述第一沟道区的掺杂浓度大于所述第二沟道区的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一沟道区的掺杂浓度为所述第二沟道区的掺杂浓度的1.375～2倍。3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第二沟道区的掺杂浓度为5*10^11/cm2～8*10^11/cm2，所述第一沟道区的掺杂浓度比所述第二沟道区的掺杂浓度大3*10^11/cm2～5*10^11/cm2。4.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一沟道区和所述第二沟道区中掺杂的离子为硼离子、铝离子、镓离子和铟离子中的任一者。5.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一沟道区的宽长比小于所述第二沟道区的宽长比。6.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一沟道区的宽度与所述第二沟道区的宽度相等，所述第一沟道区的长度大于所述第二沟道区的长度。7.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一沟道区的掺杂浓度小于所述第一源极区和所述第一漏极区的掺杂浓度；所述第二沟道区的掺杂浓度小于所述第二源极区和所述第二漏极区的掺杂浓度。8.根据权利要求1～7中任一项所述的像素驱动电路，其特征在于，所述半导体基材为多晶硅。9.一种阵列基板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭华强，孙文，施运泽，高雅瑰，周勇，赵佳星，
申请(专利权)人：绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：