【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及磁共振成像扫描器,具体涉及其中的磁场发生器。
技术介绍
磁共振成像(MRI)系统或扫描器通常用于精密测定有机分子结构。将测量对象置于强磁场下的成像空间或成像区中,通过氢核或碳核的射频电磁幅射的吸收与再发射进行分析。这种吸收与再发射的共振频率则是此种核与所加磁场的回转磁比的函数。MRI成像法是从有机化学家用来测定有机分子结构的核磁共振(NMR)频谱法导出的。在NMR频谱法中是把作为频率函数的发射强度变化用来推断所研究的有机分子结构的变化。这种频率变化则产生于有机分子的电子与分子结构变化导致的局部磁场变化。在MRI成像作业中。作为频率函数的发射强度的变化被用来产生通常是病人一个被选定部分的靶的图像。频率用来对空间地址信息编码。通过脉冲式梯度线圈系统所形成的局部磁场变化,给出了离散的和稍有不同的磁场,且与视场中各体元相对应。在NMR频谱法中所加的磁场是非常高的同时要求有超导性的磁铁。为MRI成像所加的磁场则显著地较低且通常是由超导磁体提供,而新近则是由具有甚至更低磁场强度的永磁铁提供。将永磁铁用于MRI扫描器的磁场发生器中可显著地降低其复杂性与成本 ...
【技术保护点】
磁共振成像扫描器,它包括:磁轭;安装在所述磁轭上且相互分开的一对磁场发生垫,所述的垫是包括有同过渡金属与硼两者合金化的元素CePrNd的稀土元素磁铁;相邻于这对垫的每一个分别设置的一对极片,用于调节其间成像区的磁场;相邻于所述极片设置的多个梯度式线圈,用于局部地改变所述成像区中的磁场;围绕此成像区设置的射频线圈,用于在此辐射激励能;以及与此梯度式线圈和射频线圈作可工作地结合而于此成像区中使靶磁共振成像的装置。
【技术特征摘要】
US 1999-2-12 09/2489501.磁共振成像扫描器,它包括磁轭;安装在所述磁轭上且相互分开的一对磁场发生垫,所述的垫是包括有同过渡金属与硼两者合金化的元素CePrNd的稀土元素磁铁;相邻于这对垫的每一个分别设置的一对极片,用于调节其间成像区的磁场;相邻于所述极片设置的多个梯度式线圈,用于局部地改变所述成...
【专利技术属性】
技术研发人员:MG本兹,JC谢,
申请(专利权)人:通用电气公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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