一种多孔氮化铜纳米线阵列及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种多孔氮化铜纳米线阵列及其制备方法与应用，制备方法包括步骤：将氢氧化钠和过硫酸铵溶于水配置成混合液，将铜箔置于所述混合液内，静置反应，洗涤烘干后得到前驱体Cu(OH)2纳米线阵列；将所述前驱体Cu(OH)2纳米线阵列在预设条件下进行煅烧，得到多孔氮化铜纳米线阵列。本发明专利技术提供的多孔氮化铜纳米线阵列尺寸可控，在常温下具有良好的稳定性，可用于无负极集流体，组装全电池，抑制锂枝晶的生长，改善循环稳定性；制备方法流程简便、操作简单、能耗较低，有利于市场化推广。有利于市场化推广。有利于市场化推广。

【技术实现步骤摘要】
一种多孔氮化铜纳米线阵列及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及纳米材料与电化学
，具体而言，涉及一种多孔氮化铜纳米线阵列及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]锂金属凭借其极高的比容量(3860mAh/g)以及最低的氧化还原电位(
‑
3.04Vvs标准氢电极)被认为是高比能二次电池负极的终极选择。但锂本身也存在着库伦效率低、枝晶生长等问题。为了将金属锂作为负极材料应用，研究者们提出了许多有效的改性策略。但这些策略往往是基于厚锂片(＞200μm)展开的，使用过量锂源可能会掩盖全电池中负极的问题，同时也会极大降低电池的能量密度。而采用无锂负极(负极不含锂源及活性物质)的电池结构，有利于更清晰的认识改性策略的有效性，同时也有助于提升全电池能量密度。
[0003]铜集流体是目前最常用的负极集流体，但使用中易出现与锂金属亲和性不好、无法抑制锂枝晶的生长等问题。因此，如何通过修饰铜集流体，以应用于无锂负极锂硫全电池时能减少锂枝晶的产生、增加电池的安全性，依然是目前亟待解决的问题。
专利
技术实现思路

[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多孔氮化铜纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、将氢氧化钠和过硫酸铵溶于水配置成混合液，将铜箔置于所述混合液内，静置反应，洗涤烘干后得到前驱体Cu(OH)2纳米线阵列；S2、将所述前驱体Cu(OH)2纳米线阵列在预设条件下进行煅烧，得到多孔氮化铜纳米线阵列。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1所述混合液中，所述氢氧化钠和所述过硫酸铵的质量比在3：1至5：1范围内。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S1所述静置反应的条件包括反应温度在20℃至30℃范围内、反应时间在6min至60min范围内。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1所述铜箔进行了预处理，所述预处理步骤包括将所述铜箔依次用酸性溶液和有机溶液清洗。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：许絮，龚闵剑，沈春丽，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：