在光调制器中，有效地抑制从中继基板(118)与信号输入端子之间的信号连接点会产生的泄漏微波的影响而实现良好的光调制特性。本光调制器具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个信号输入端子，输入向各信号电极施加的电信号；中继基板(118)，形成有多个信号导体图案(330a、330b、330c、330d)及多个接地导体图案(340a、340b、340c、340d、340e)，多个信号导体图案(330a、330b、330c、330d)将信号输入端子与信号电极电连接；及壳体，收容光调制元件及中继基板(118)。中继基板(118)的边中的信号输入边(318a)与信号输出边(318b)在俯视下彼此相对，在所述信号输入边(318a)，信号输入端子与信号导体图案(330a、330b、330c、330d)连接，在所述信号输出边(318b)，信号导体图案(330a、330b、330c、330d)与信号电极连接，光调制器沿着在俯视下将信号输入边(318a)的端部与信号输出边(318b)的端部连接的至少一条边，具备由吸收电磁波的原材料构成的电磁波传播抑制部(152a、152b)，电磁波传播抑制部(152a、152b)具有相比中继基板(118)的表面突出的高度。中继基板(118)的表面突出的高度。中继基板(118)的表面突出的高度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光调制器及使用该光调制器的光发送装置
[0001]本专利技术涉及具备对信号输入端子与光调制元件电极之间的电信号的传播进行中继的中继基板的光调制器及使用该光调制器的光发送装置。
技术介绍
[0002]在高速/大容量光纤通信系统中，多使用装入有波导型的光调制元件的光调制器。其中，将具有电光效应的LiNbO3(以下，也称为LN)使用于基板的光调制元件能实现光的损失少且宽带的光调制特性，因此广泛地使用于高速/大容量光纤通信系统。
[0003]在该使用LN基板的光调制元件中，设有马赫
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曾德型光波导和用于向该光波导施加作为调制信号的高频电信号的信号电极。并且，设置于光调制元件的这些信号电极经由在收容该光调制元件的光调制器的壳体内设置的中继基板，与设置于该壳体的作为信号输入端子的管脚、连接器连接。由此，在搭载有用于使光调制器进行调制动作的电子电路的电路基板连接上述作为信号输入端子的管脚、连接器，由此将从该电子电路输出的电信号经由上述中继基板向上述光调制元件的信号电极施加。
[0004]光纤通信系统中的调制方式受到近年来的传送容量的增大化的潮流的影响，QPSK(Quadrature Phase Shift Keying，四比特相位偏移调制)、DP
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QPSK(Dual Polarization
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Quadrature Phase Shift Keying，双极化四相相移键控)等多级调制、向多级调制取入了偏振合成的传送制式成为主流，除了在基干光传送网络中使用之外，也正被向城域网导入。
[0005]进行QPSK调制的光调制器(QPSK光调制器)、进行DP
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QPSK调制的光调制器(DP
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QPSK光调制器)具备称为所谓嵌套型的成为套匣结构的多个马赫
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曾德型光波导，其分别具备至少一个信号电极。因此，这些光调制器成为具备多个信号电极的结构，向这些信号电极赋予的高频电信号协作地进行上述DP
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QPSK调制动作。
[0006]图22是表示具备这样的中继基板的以往的光调制器的结构的一例的俯视图。光调制器2200具备形成在例如LN基板上的作为DP
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QPSK调制器的光调制元件2202、收容该光调制元件2202的壳体2204。在此，壳体2204由外壳2214a和罩2214b构成。光调制器2200还具有固定于外壳2214a而进行光向上述光调制元件2202的输入输出的输入光纤2208及输出光纤2210。
[0007]在壳体2204的外壳2214a还设有用于从外部的电子电路输入对光调制元件2202进行驱动的高频电信号的四个信号输入端子2224a、2224b、2224c、2224d(以下，也总称为信号输入端子2224)。具体而言，信号输入端子2224是例如高频同轴连接器即电连接器2216a、2216b、2216c、2216d(以下，也总称为电连接器2216)的中心电极。从信号输入端子2224分别输入的高频电信号经由收容在壳体2204内的中继基板2218向设置于光调制元件2202的四个信号电极2212a、2212b、2212c、2212d(以下，也总称为信号电极2212)的一端分别输入，通过在信号电极2212的另一端设置的具有规定的阻抗的终端器2220形成终端。
[0008]在这样的例如向多个信号电极2212分别赋予的高频电信号协作地进行DP
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QPSK调制的光调制器2200中，需要将全部的高频电信号不受噪音等的影响地向光调制元件2202的
信号电极2212输入。然而，另一方面，对这样的光调制器2200的小型化的要求不变，伴随着光调制器2200的壳体2204的小型化而中继基板2218的小型化不断进展。其结果是，在狭窄的中继基板2218中，多个不同的高频信号接近集中传播，形成在中继基板2218上的高频信号线路间的电气性的串扰越来越无法忽视。
[0009]另外，商用的DP
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QPSK调制器虽然当前多以100Gb/s的传送率使用，但是将该传送率向400Gb/s扩大用的开发也在进展，今后，如果传送率扩大，则在上述中继基板产生的高频信号线路间的串扰的问题会成为更深刻的课题。
[0010]作为抑制上述串扰的方法，虽然可考虑扩大相邻的高频信号线路间的距离，但是该方法违反上述那样的对光调制器的小型化的要求，难以采用。因此，可采用例如在设置于高频信号线路间的接地电极设置通孔而连接于中继基板背面的接地层，由此对该接地电极进行强化而提高上述高频信号线路间的屏蔽效果的方法等。
[0011]然而，在400Gb/s或超过400Gb/s的高传送率的DP
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QPSK调制器中，仅是上述那样的通孔的话，有时无法充分地将串扰抑制完全。
[0012]本申请专利技术的专利技术人对于上述串扰的主要原因反复进行了仔细研讨，得到了在上述那样的400Gb/s或超过400Gb/s的高传送率下，对于以往的100Gb/s的传送率下的动作，新的泄漏微波的影响会明显化的见解。
[0013]即，在上述那样的高传送率下，不仅会产生以往已知的接近线路间的高频信号能量的直接的交接的影响、从被输入高频信号的信号输入端子与中继基板的导体图案的连接点及其附近向空间发散的泄漏微波引起的直接的影响，而且也会产生朝向中继基板的侧面方向具有指向性地产生及/或传播的比较强的泄漏微波引起的高频信号的串扰劣化的影响。
[0014]图23是用于说明朝向中继基板的侧面方向的这样的泄漏微波的产生及传播的说明图。在此，图23示出图22所示的光调制器2200中的中继基板2218及其周边。在中继基板2218上形成有将四个信号输入端子2224与光调制元件2202的四个信号电极2212分别连接的信号导体图案2230a、2230b、2230c、2230d(以下，总称为信号导体图案2230)。这些信号导体图案2230在中继基板2218上，与在基板面方向上夹持该信号导体图案2230地配置的接地导体图案2240a、2240b、2240c、2240d、2240e一起构成高频信号线路。
[0015]在图23所示的中继基板2218中，由信号导体图案2230和接地导体图案2240构成的高频信号线路通常是共面线路，在该线路中传播的高频信号的传播模式是共面模式(以下，称为CPW模式)。相对于此，信号输入端子2224通常如上所述由例如同轴连接器、管脚等构成，向中继基板2218输入为止的高频信号的传播模式为同轴模式。
[0016]因此，在将四个信号输入端子2224与中继基板2218的四个信号导体图案2230分别连接的四个连接点(以下，称为信号连接点)，产生从同轴模式向CPW模式的传播模式转换(即，异种模式转换)。其结果是，以同轴模式传播来的高频信号的能量的一部分在信号连接点分别被转换成放射模式，成为泄漏微波会向空中放出的状况。
[0017]即，上述信号连接点分别作为泄漏微波的点波源发挥功能，作为近似的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光调制器，具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个信号输入端子，输入向各所述信号电极施加的电信号；中继基板，形成有多个信号导体图案及多个接地导体图案，所述多个信号导体图案将所述信号输入端子与所述信号电极电连接；及壳体，收容所述光调制元件及所述中继基板，其中，所述中继基板的边中的信号输入边与信号输出边在俯视下彼此相对，在所述信号输入边，所述信号输入端子与所述信号导体图案连接，在所述信号输出边，所述信号导体图案与所述信号电极连接，所述光调制器沿着所述中继基板的边中的在俯视下将所述信号输入边的端部与所述信号输出边的端部连接的至少一条边，具备由吸收电磁波的原材料构成的电磁波传播抑制部，该电磁波传播抑制部具有相比所述中继基板的表面突出的高度。2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述中继基板搭载于与所述壳体分开地构成的基板载体，所述电磁波传播抑制部设置于所述基板载体。3.根据权利要求2所述的光调制器，其中，所述电磁波传播抑制部由金属构成，所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎德一，菅又彻，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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