胺化合物和包括其的有机发光装置制造方法及图纸

提供了由式1表示的胺化合物和包括其的有机发光装置。有机发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间且包括发射层的有机层，其中有机发光装置包括至少一种由式1表示的胺化合物。置包括至少一种由式1表示的胺化合物。置包括至少一种由式1表示的胺化合物。

【技术实现步骤摘要】
胺化合物和包括其的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0063270号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍
1.

[0003]本公开的一个或多个实施方式涉及胺化合物和包括其的有机发光装置。
[0004]2.相关技术描述
[0005]有机发光装置(OLED)是自发射装置，与其他装置比较，其具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越特性，并且产生全色图像。
[0006]OLED可包括在基板上的第一电极，以及顺序堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以生产激子。这些激子从激发态跃迁(例如，弛豫)到基态，从而产生光。

技术实现思路

[0007]一个或多个实施方式包括胺化合物和包括其的有机发光装置。
[0008]实施方式的另外方面将部分地在如下的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过实践本公开呈现的实施方式而认识到。
[0009]根据实施方式的一个方面，提供了由式1表示的胺化合物。
[0010]式1
[0011][0012]在式1中，L1至L4、L
11
和L
12r/>可各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0013]a1至a4、a11和a12可各自独立地为选自0至5的整数，
[0014]Ar1至Ar4可各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0015]排除其中Ar1至Ar4中的两个或更多个各自包括胺基的情况(例如，Ar1至Ar4各自不包括胺基)，
[0016]R1至R3可为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，
[0017]D1至D3各自为氘，
[0018]b1至b3和c1至c3可各自独立地为选自0至4的整数，
[0019]b1和c1之和、b2和c2之和以及b3和c3之和各自为4，
[0020]c1、c2和c3之和可为1或更大，并且
[0021]取代的C5‑
C
60
碳环基团、取代的C1‑
C
60
杂环基团、取代的C1‑
C
60
烷基、取代的C2‑
C
60
烯基、取代的C2‑
C
60
炔基、取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的C6‑
C
60
芳基、取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
[0022]氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基，
[0023]各自被选自下述中的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及所述第一电极和所述第二电极之间且包括发射层的有机层；并且所述有机发光装置包括至少一种由式1表示的胺化合物：式1其中L1至L4、L
11
和L
12
各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，a1至a4、a11和a12各自独立地为选自0至5的整数，Ar1至Ar4各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，Ar1至Ar4各自不包括胺基，R1至R3各自为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，D1至D3各自为氘，b1至b3和c1至c3各自独立地为选自0至4的整数，b1和c1之和、b2和c2之和以及b3和c3之和各自为4，c1、c2和c3之和为1或更大，并且所述取代的C5‑
C
60
碳环基团、所述取代的C1‑
C
60
杂环基团、所述取代的C1‑
C
60
烷基、所述取代的C2‑
C
60
烯基、所述取代的C2‑
C
60
炔基、所述取代的C1‑
C
60
烷氧基、所述取代的C3‑
C
10
环烷基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烷基、所述取代的C3‑
C
10
环烯基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烯基、所述取代的C6‑
C
60
芳基、所述取代的C6‑
C
60
芳氧基、所述取代的C6‑
C
60
芳硫基、所述取代的C1‑
C
60
杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基；
各自被选自下述中的至少一个取代的C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基和C1‑
C
60
烷氧基：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)和
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)；C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；各自被选自下述中的至少一个取代的C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C6‑
C
60
芳氧基、C6‑
C
60
芳硫基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)和
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)；以及
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)和
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地选自氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
60
炔基、C1‑
C
60
烷氧基、C3‑
C
10
环烷基、C1‑
C
10
杂环烷基、C3‑
C
10
环烯基、C1‑
C
10
杂环烯基、C6‑
C
60
芳基、C1‑
C
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述有机层进一步包括所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区以及所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。3.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述至少一种由式1表示的胺化合物包括在所述空穴传输区中。4.如权利要求3所述的有机发光装置，其中所述空穴传输区包括所述空穴传输层，并且所述至少一种由式1表示的胺化合物包括在所述空穴传输层中。5.如权利要求4所述的有机发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括具有
‑
3.5eV或更小的最低未占分子轨道能级的p
‑
掺杂剂。6.如权利要求3所述的有机发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且所述掺杂剂包括包含苯乙烯类化合物的荧光掺杂剂。7.如权利要求3所述的有机发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且所述掺杂剂包括磷光掺杂剂。8.如权利要求2所述的有机发光装置，其中所述电子传输区包括碱金属、碱土金属、稀
土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或任何其组合。9.一种由式1表示的胺化合物：式1其中L1至L4、L
11
和L
12
各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，a1至a4、a11和a12各自独立地为选自0至5的整数，Ar1至Ar4各自独立地为取代的或未取代的C5‑
C
60
碳环基团，或取代的或未取代的C1‑
C
60
杂环基团，Ar1至Ar4各自不包括胺基，R1至R3各自为氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷基、取代的或未取代的C2‑
C
60
烯基、取代的或未取代的C2‑
C
60
炔基、取代的或未取代的C1‑
C
60
烷氧基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烷基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烷基、取代的或未取代的C3‑
C
10
环烯基、取代的或未取代的C1‑
C
10
杂环烯基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳氧基、取代的或未取代的C6‑
C
60
芳硫基、取代的或未取代的C1‑
C
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)或
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)，D1至D3各自为氘，b1至b3和c1至c3各自独立地为选自0至4的整数，b1和c1之和、b2和c2之和以及b3和c3之和各自为4，c1、c2和c3之和为1或更大，并且所述取代的C5‑
C
60
碳环基团、所述取代的C1‑
C
60
杂环基团、所述取代的C1‑
C
60
烷基、所述取代的C2‑
C
60
烯基、所述取代的C2‑
C
60
炔基、所述取代的C1‑
C
60
烷氧基、所述取代的C3‑
C
10
环烷基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烷基、所述取代的C3‑
C
10
环烯基、所述取代的C1‑
C
10
杂环烯基、所述取代的C6‑
C
60
芳基、所述取代的C6‑
C
60
芳氧基、所述取代的C6‑
C
60
芳硫基、所述取代的C1‑
C
60
杂芳基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1‑
C
60
烷基、C2‑
C
60
烯基、C2‑
C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珉知，郑恩在，韩相铉，金东俊，朴韩圭，赵素嬉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：