低功率存储器制造技术

电荷转移晶体管耦合在位线与用于感测放大器的感测节点之间。在读取操作期间，电荷转移驱动器驱动电荷转移晶体管的栅极电压以控制电荷转移晶体管在电荷转移时段期间是否导通。在电荷转移时段之前，位单元耦合到位线以将位单元影响电压驱动到位线上。电荷转移驱动器驱动栅极电压，使得电荷转移晶体管仅在位单元影响电压等于位线的预充电电压时导通。元影响电压等于位线的预充电电压时导通。元影响电压等于位线的预充电电压时导通。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低功率存储器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年4月15日提交的美国非临时专利申请第16/849,616号和于2019年4月17日提交的美国临时专利申请第62/835,160号的优先权和权益，这两个申请每个通过引用整体并入本文，就像在下文中完全阐述一样，并且用于所有适用目的。


[0003]本申请涉及存储器，并且更具体地涉及低功率存储器。

技术介绍

[0004]在常规的静态随机存取存储器(SRAM)中，位单元在读取操作期间连接到一对位线。在读取操作之前，位线被预充电到用于位单元的电源电压。根据位单元的二进制内容，位线对中的真位线(True bit line)或互补位线将从其预充电状态略微放电。例如，假定位单元存储二进制1。由于二进制1值，互补位线然后将从其被充电到电源电压的预充电状态放电。但是位单元会将真位线保持在其预充电状态。
[0005]因此，读取操作将在位线对上产生电压差。该位线电压差不是全轨(full rail)，而是等于电源电压的一部分。例如，如果电源电压为1伏，则该电压差可能仅为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器，包括：位线；位单元，被配置为响应于所述位单元中存储的位而在字线断言时段期间将所述位线充电到位单元影响电压；感测放大器；第一感测节点，用于所述感测放大器；第一电荷转移晶体管，具有连接到所述位线的源极和连接到所述第一感测节点的漏极；以及电荷转移驱动器，被配置为在电荷转移时段期间将所述第一电荷转移晶体管的栅极充电到栅极电压，以响应于所述存储的位等于第一二进制值而使得所述第一电荷转移晶体管导通，并且响应于所述存储的位等于所述第一二进制值的补码而使得所述第一电荷转移晶体管保持关断。2.根据权利要求1所述的存储器，还包括：预充电电路，被配置为在预充电时段期间将所述位线充电到电源电压，并且其中所述第一电荷转移晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。3.根据权利要求2所述的存储器，还包括被配置为在所述预充电时段期间将所述第一感测节点放电到地的晶体管。4.根据权利要求1所述的存储器，还包括：预充电电路，被配置为在预充电时段期间将所述位线放电到地，并且其中所述第一电荷转移晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。5.根据权利要求4所述的存储器，还包括被配置为在所述预充电时段期间将所述第一感测节点充电到电源电压的晶体管。6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括虚设位线。7.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括反相器。8.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷转移驱动器包括二极管接法晶体管，所述二极管接法晶体管具有与所述第一电荷转移晶体管的栅极连接的栅极。9.根据权利要求1所述的存储器，其中所述感测放大器包括反相器，所述反相器被配置为将所述第一感测节点的电压反相以感测所述存储的位的二进制值。10.根据权利要求1所述的存储器，还包括：互补位线；第二电荷转移晶体管，具有连接到所述互补位线的源极和连接到用于所述感测放大器的第二感测节点的漏极，其中所述电荷转移驱动器还被配置为驱动所述第二电荷转移晶体管的栅极电压。11.根据权利要求10所述的存储器，其中所述感测放大器包括复位置位锁存器。12.根据权利要求11所述的存储器，其中所述复位置位锁存器包括成对的交叉耦合的NAND门。13.根据权利要求1所述的存储器，其中所述存储器被合并到蜂窝电话中。14.一种用于使用电荷转移晶体管感测由位单元存储的位的方法，包括：将位线预充电到等于预充电电压，同时具有连接到所述位线的源极和连接到感测节点
的漏极的电荷转移晶体管关断，以将所述感测节点与所述位线隔离；在所述位线的所述预充电之后，将所述位单元耦合到所述位线，同时所述电荷转移晶体管保持关断，以将所述位线充电到位单元影响电压，所述位单元影响电压响应于所述位等于第一二进制值而等于所述预充电电压，并且所述位单元影响电压响应于所述位等于第二二进制值而与所述预充电电压相差位线差异电压；在电荷转移时段期间将所述电荷转移晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑春明，金基中，晶昌镐，V，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：