【技术实现步骤摘要】
用于改善能量效率的装置和方法
[0001]本公开涉及带有优化的突发读取和写入数据访问的节能存储器阵列,以及用于从/向其中未使用元数据被存储在稀疏图谱中的重布置存储器子阵列读取和写入数据的方案。
技术介绍
[0002]诸如图形、深度学习、机器学习、人工智能处理等等之类的许多应用使用静态随机访问存储器(SRAM)来保存供训练的权重和已训练权重。传统上,六管(six transistor,6T)SRAM是在没有关于访问模式的任何知识的情况下设计的,即,是针对随机访问模式设计的。另外,存储器读取对于矩阵向量乘法内核贡献了相当大量的动态电容(dynamic capacitance,Cdyn),这种内核对于评估诸如卷积、完全连接或递归神经网络之类的各种深度神经网络(deep neural network,DNN)拓扑是关键的。
技术实现思路
[0003]根据本公开的一方面,提供了一种用于改善能量效率的装置,该装置包括:第一逻辑,用于确定对于从存储器读取和/或向存储器写入数据是否使能突发模式,其中所述存储器包括具有N个切片 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于改善能量效率的装置,该装置包括:第一逻辑,用于确定对于从存储器读取和/或向存储器写入数据是否使能突发模式,其中所述存储器包括具有N个切片的部分;其中每个切片包括耦合到位线(BL)、位线的反相(BL#)、列写入选择器和读取选择器的M个比特单元;其中来自每个切片的比特单元可由字线控制;以及第二逻辑,用于在确定所述突发模式被使能之后对于所述N个切片生成一个预充电脉冲和一个字线脉冲以执行M个读取操作。2.如权利要求1所述的装置,其中所述第二逻辑用于在确定所述突发模式被禁用之后对于所述N个切片生成M个预充电脉冲以执行M个读取操作。3.如权利要求1所述的装置,包括第三逻辑,用于在向所述存储器写入数据之前确定均衡化模式是否被使能。4.如权利要求3所述的装置,包括第四逻辑,用于在所述均衡化模式被使能的情况下在向所述存储器写入数据之前均衡化位线。5.如权利要求1所述的装置,包括第五逻辑,用于对于到所述N个切片的M个写入操作生成一个预充电脉冲和一个字线脉冲。6.如权利要求1所述的装置,包括第六逻辑,用于生成到所述N个切片的M个写入操作。7.如权利要求1至6的任何一项所述的装置,其中N等于64,并且M等于4。8.一种用于改善能量效率的方法,该方法包括:确定对于从存储器读取和/或向存储器写入数据是否使能突发模式,其中所述存储器包括具有N个切片的部分,其中每个切片包括M列并且每一列包括耦合到位线(BL)、位线的反...
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