线圈部件制造技术

本发明专利技术提供一种无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件的线圈部件。线圈部件（１）具备由磁性材料构成的磁芯（２）、以及由导电性材料构成的端子电极部（３ｂ）和线圈部（３ａ），其特征在于：以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，当将所述磁芯（２）所具有的绝缘电阻设为Ｒ↓［Ｍ］（Ω）、将所述线圈部件（３ａ）所具有的峰值阻抗设为Ｚ↓［０］（Ω）时，构成为Ｒ↓［Ｍ］≥２０Ｚ↓［０］的关系。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及所有的线圈部件，主要涉及电源电路中使用的线圈部件。
技术介绍
近年来，特别是对安装在电源系统电路中的线圈部件来说，为了谋求直流重叠特性的改善而强烈要求高性能化，为了响应该情况，公知有使用最大饱和磁通密度Bm较高的材料来作为磁芯材料的方案。作为最大饱和磁通密度Bm较高的材料，可举出锰类的铁素体磁性材料和金属类的磁性材料。但是，对于这些材料来说，由于其材料固有的绝缘电阻值较低，所以在使用这些材料制造线圈部件时，例如，如专利文献1所示，公知有使用表面具有绝缘性覆盖膜的导体的方案。此外，如专利文献2所示，还公知有利用绝缘性涂料等对线圈部件中使用的磁芯进行涂覆的方案。日本专利公开特开2002-324714号公报[专利文献2]日本专利公开特开平06-120050号公报但是，专利文献1记载的线圈部件在制造线圈部的导体时，需要在导体上形成绝缘性覆盖膜，产生了制造步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。此外，由于必须除去遍及导体表面的整个区域形成的绝缘性覆盖膜中位于成为端子电极部的部位或位于与端子电极连接的部位的绝缘性覆盖膜，所以也产生了由此引起的制造步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。此外，虽然专利文献2记载的线圈部件为了确保磁芯与线圈部的绝缘性而对磁芯的表面进行绝缘性树脂的涂覆，但是却产生了涂覆步骤的增加以及与其相关的成本增加的问题。进而，在专利文献2记载的线圈部件中，因在涂覆步骤时产生的涂敷或绝缘性覆盖膜的厚度不均匀，还产生了线圈部件的绝缘不良等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于考虑到上述问题，提供一种无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件的线圈部件。这样的目的由下述(1)、(2)的本专利技术来达成。(1)一种线圈部件，具备由磁性材料构成的磁芯、以及由导电性材料构成的端子电极部和线圈部，其特征在于以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，当将所述磁芯所具有的绝缘电阻设为RM(Ω)、将所述线圈部件所具有的峰值阻抗设为Z0(Ω)时，是RM≥20Z0的关系。(2)如上述(1)记载的线圈部件，其特征在于所述线圈部用平板状的构件构成。按照本专利技术，由于无需在磁芯与线圈部之间设置绝缘构件，所以可以去掉导体或磁芯中的绝缘部的形成步骤，减少了线圈部件的制造成本。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的线圈部件的等效电路的图。图2是本专利技术第1实施方式的线圈部件的图。图3以图表显示了由测定所得的表1示出的线圈部件的阻抗Z的频率特性。图4是本专利技术第2实施方式的线圈部件的图。图5以图表显示了由测定所得的表2示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。图6是本专利技术第3实施方式的线圈部件的图。图7以图表显示了由测定所得的表3示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。图8是本专利技术第4实施方式的线圈部件的图。图9以图表显示了由测定所得的表4示出的线圈部件中的阻抗Z的频率特性。具体实施例方式下面，参照附图对用于实施本专利技术的线圈部件的优选方式进行说明，但本专利技术并不限于以下的方式。图1是示意性地表示本专利技术的线圈部件的等效电路的图。当使用图1所示的等效电路来考虑线圈部件的结构时，本专利技术的线圈部件的阻抗Z可看作是Z1电感L与线圈部件的直流电阻RC的串联阻抗Z2浮置电容CZ3磁芯的绝缘电阻RM的并联阻抗。此外，根据以下的公式1所示的(1)式至(4)式，可得到线圈部件的阻抗Z的频率特性。(公式1)Z1＝XL+R1＝[2πf·L]+RC...... (1)Z2=XC=1[2πf·C]······(2)]]>Z3＝RM...... (3)Z=1[1Z1+1Z2+1Z3]······(4)]]>公式1的各式中使用的线圈部件的直流电阻RC的含义是R-Coil，磁芯的绝缘电阻RM的含义是R-Magnetic。此外，后述的谐振频率f0下的阻抗Z作为峰值阻抗Z0进行处理。例如，公式1的(3)式中的Z3即磁芯的绝缘电阻RM越小，(4)式中的1/Z3的值就越大，其结果是，该线圈部件的阻抗Z有降低倾向，谐振频率f0下的峰值阻抗Z0也降低。也就是说，成为容易对磁芯通上电流的状态。因此，在此种情况下，就需要线圈部件中使用的导体和磁芯之间的绝缘处理。相反，在磁芯的绝缘电阻RM例如具有与一般的镍类铁素体的绝缘电阻(例如从材料固有的电阻系数ρ＞107Ω·cm求出的绝缘电阻)相同或者其以上的值的情况下，(4)式中的1/Z3的值变小。其结果是，由于磁芯的绝缘电阻RM几乎不对线圈部件的阻抗Z和峰值阻抗Z0施加影响，所以就不会对磁芯通上电流。因此，此种情况下，就无需线圈部件中使用的导体和磁芯之间的绝缘处理。这样，若磁芯的绝缘电阻RM在不对由公式1所示的(1)式至(4)式求出的线圈部件的阻抗Z和阻抗Z0产生影响的范围内，则理论上即使不在导体和磁芯之间实施绝缘处理，流过线圈部件的电流也只会通过导体而不会对磁芯进行通电，因此可以确保线圈部件的所希望的电气特性。<第1实施方式> 首先，对本专利技术的线圈部件的第1实施方式进行说明。图2是本专利技术第1实施方式的线圈部件的图。图2(a)是立体图，图2(b)是俯视图，图2(c)是侧视图，图2(d)是仰视图。如图2所示，本实施方式的线圈部件1包括筒状方形的由铁素体类芯体构成的磁芯2、以及带状的导体3。在本实施方式中，导体3向形成在磁芯2的大致中央部的孔部21插通，在磁芯2的内部，形成有平板状的线圈部3a。此外，向磁芯2的外部露出的导体3被进行弯曲加工，由此，形成了端子电极部3b。导体3用导电性材料构成。在本实施方式中，由于导体3上未形成绝缘性皮膜等绝缘部，所以导体3的导电性材料成为直接与磁芯2的磁性材料相接触的结构。此外，在线圈部3a与磁芯2的表面之间形成有磁气间隙g。表1中示出了使电感L(μH)、线圈部件的直流电阻RC(Ω)、浮置电容C(pF)的值恒定而只使磁芯的绝缘电阻RM(Ω)的值变化地对本实施方式的线圈部件1进行测定的情况下的峰值阻抗Z0(Ω)的测定结果。表1 此处，定义磁芯的绝缘电阻RM不对线圈部件的峰值阻抗Z0产生影响的范围。该范围是指下述这样的范围将在绝缘电阻RM为1010Ω(作为现实的磁芯的绝缘电阻值假设充分高的值)时得到的线圈部件的峰值阻抗Z0作为基准值，具有从该值开始的-5％以内的峰值阻抗Z0。另外，规定为基准值的-5％以内的范围的根据是因为一般认为实际上导体自身所具有的直流电阻或磁芯的磁气特性的不均匀存在于5％左右的范围内，这会使峰值阻抗Z0的值变动5％左右。因此，在本实施方式的线圈部件的测定中，即使因磁芯的绝缘电阻RM的值而使峰值阻抗Z0在从基准值开始的5％内变动，作为线圈部件的性能也会判断为是在允许范围内。由表1的结果(对基准值％)可知本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线圈部件，具备由磁性材料构成的磁芯、以及由导电性材料构成的端子电极部和线圈部，其特征在于：以所述磁性材料与所述导电性材料相接触的方式构成，当将所述磁芯所具有的绝缘电阻设为Ｒ↓［Ｍ］（Ω）、将所述线圈部件所具有的峰值阻抗设为Ｚ↓［０］（Ω）时，是Ｒ↓［Ｍ］≥２０Ｚ↓［０］的关系。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-11 2005-3277661.一种线圈部件，具备由磁性材料构成的磁芯、以及由导电性材料构成的端子电极部和线圈部，其特征在于以所述磁性材料与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：川原井贡，
申请(专利权)人：胜美达集团株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]