【技术实现步骤摘要】
一种TFT用高纯铝蚀刻液高效生产装置
[0001]本技术涉及蚀刻液相关
,特别涉及一种TFT用高纯铝蚀刻液高效生产装置。
技术介绍
[0002]TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写。蚀刻液是通过侵蚀材料的特性来进行雕刻的一种液体,从理论上讲,凡能氧化钢而生成可溶性铜盐的试剂,都可以用来蚀刻敷铜箔板,但权衡对抗蚀层的破坏情况、蚀刻速度,蚀刻系数、溶铜容量、溶液再生及铜的回收、环境保护及经济效果等方面。现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置技术存在以下问题:现有的TFT用高纯铝蚀刻液生产装置在生产制造的过程中,生产工作的效率低而且生产出的蚀刻液蚀刻效率较低。
[0003]如专利号为CN211098792U的中国技术专利公开了一种TFT用高纯铝蚀刻液生产装置,包括底架板和储料桶,所述底架板的顶部中间左侧位置处设置有储料桶,所述储料桶的顶部位置处设置有传输管,所述传输管的顶部位置处与储料桶相对应的位置处设置有抽取泵,所述传输管的前端中间位置处设置有固定架,上述专利在现有的设备的基础上加装了新 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种TFT用高纯铝蚀刻液高效生产装置,包括储料桶(1),其特征在于:所述储料桶(1)顶部设置有传输管(2),所述传输管(2)上设置有与储料桶(1)相对应的抽取泵(3),所述传输管(2)另一端连接混合桶(4),所述储料桶(1)包括桶体(8),所述桶体(8)上设置有加料口(5),所述桶体(8)顶部设置有固定块(7),所述固定块(7)中间位置设置有抽料管(6),所述抽料管(6)顶部连接传输管(2),所述抽料管(6)的表面均匀的设置有多个抽料口,每个抽料口内均设置有滤网,所述固定块(7)底部连接伸缩罩(9)的一端,所述伸缩罩(9)的另一端连接悬浮环(10),所述伸缩罩(9)和悬浮环(10)均套设在抽料管(6)上,所述悬浮环(10)的内径与抽料管(6)的外径相适配,所述伸缩罩(9)的内径大于抽料管(6)的外径,所述伸缩罩(9)的长度与抽料管(6)的长度一致。2.根据权利要求1所述的一种TFT用高纯铝蚀刻液高效生产装置,其特征在于:所述混合桶(4)顶部设置有电机,所述电机通过传动轴(...
【专利技术属性】
技术研发人员:何珂,戈烨铭,汤晓春,
申请(专利权)人:江阴润玛电子材料股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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