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一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料及其制备方法技术

技术编号:31026722 阅读:30 留言:0更新日期:2021-11-30 03:29
本发明专利技术提供了一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料,其特征在于:包括如下种类原料:锡、氧化铟、聚甲基丙烯酸甲酯。本发明专利技术具有宽波段、易调控的特点,可以覆盖全部大气窗口,增强材料的辐射制冷功率,逼近理论极限,本发明专利技术的制备方法操作简单,成本较低,适于推广应用。广应用。广应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及新材料制备
,特别是涉及一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]在目前的研究中,由于大气的初级窗口(8

13μm)贡献了大部分的冷却功率,同时相比于次级窗口更稳定可靠,不易受到水蒸气的影响。因此,人们在初级窗口波段投入了大量的努力,并设计了不同类型的近乎完美的红外发射器。各种研究报道显示,针对初级窗口的选择性光谱辐射发射器的制冷功率可以达到100W/m2以上,而且近年来报道的制冷功率仍在不断增加。因此,对该技术的极限冷却能力进行估算是目前研究的一个盲点,研究人员需要一个理论极限供进一步参考,来衡量已有的辐射制冷发射器设计的潜力以及重新思考被动辐射制冷在未来的应用方向。为此,长期以来被忽视的次级窗口(16

28μm)必须重新纳入辐射制冷装置设计的范畴,因为它可以在全球范围有效提供超过20W/m2的额外冷却功率。
[0003]现在广泛采取的聚合物基辐射制冷材料,其红外光谱特性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料,其特征在于:包括如下种类原料:锡、氧化铟、聚甲基丙烯酸甲酯。2.根据权利要求1中所述的基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料,其特征在于:按照体积计,锡掺杂氧化铟晶体3~5%、聚甲基丙烯酸甲酯95~97%。3.一种基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料的制备方法,其特征在于:制备锡掺杂氧化铟纳米晶:将醋酸铟粉末分散在正辛醚溶液中,加入2

乙基己酸亚锡,正辛酸以及胺类,并与醋酸铟悬浮液一起加入到密闭容器中,升温搅拌处理,溶解后在保护性气氛中升温,加热搅拌,然后高温搅拌,得到墨绿色溶液,冷却至室温,然后加入乙酸乙酯中离心提纯,离心后去除上层清液清液,离心得到的沉淀使用四氯化碳分散,然后洗涤离心得到锡掺杂氧化铟纳米晶;PMMA制备:将PMMA粉末溶解在有机溶剂中并搅拌,直到粉末完全溶解,溶液变成透明状;制备薄膜:将氧化铟与膜状PMMA混合后搅拌并且抽真空,混合后的浆料自然干燥制得基于氧化铟纳米晶掺杂的辐射制冷薄膜材料。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈智顾宇朱荣康
申请(专利权)人:扬州大学
类型:发明
国别省市:

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