一种显示面板、制作方法以及投影仪技术

本发明专利技术公开了一种显示面板、制作方法以及投影仪。其中一具体实施例的应用于投影仪的显示面板板包括：光源、依次设置在光源出光侧的彩膜基板、液晶层以及阵列基板；其中，所述阵列基板包括第一衬底以及设置在第一衬底朝向所述光源一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括沟道区；所述彩膜基板包括第二衬底以及设置在第二衬底背离所述光源一侧上的黑矩阵，所述黑矩阵与所述沟道区对应设置，用于遮挡所述光源出射的光照射到所述沟道区。本发明专利技术实施例利用黑矩阵对光源出射的光进行遮挡以避免光源照射到阵列基板的薄膜晶体管的沟道区，既能够保证显示性能，又能够取消遮光层的结构设计，简化显示面板的整体结构，提高制备效率。提高制备效率。提高制备效率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、制作方法以及投影仪


[0001]本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种显示面板、制作方法以及投影仪。

技术介绍

[0002]对于现有的显示产品，例如投影仪产品，该类显示产品在制备过程中较多的掩膜板(Mask)制程，而如何缩减掩膜板制程的工艺次数一直是行业主要探究方向。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种发声装置以及显示系统，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0005]本专利技术第一方面提供了一种显示面板，应用于投影仪，所述显示面板包括：光源、依次设置在光源出光侧的彩膜基板、液晶层以及阵列基板；其中，
[0006]所述阵列基板包括第一衬底以及设置在第一衬底朝向所述光源一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括沟道区；
[0007]所述彩膜基板包括第二衬底以及设置在第二衬底背离所述光源一侧上的黑矩阵，所述黑矩阵与所述沟道区对应设置，用于遮挡所述光源出射的光照射到所述沟道区。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，应用于投影仪，其特征在于：所述显示面板包括：光源、依次设置在光源出光侧的彩膜基板、液晶层以及阵列基板；其中，所述阵列基板包括第一衬底以及设置在第一衬底朝向所述光源一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括沟道区；所述彩膜基板包括第二衬底以及设置在第二衬底背离所述光源一侧上的黑矩阵，所述黑矩阵与所述沟道区对应设置，用于遮挡所述光源出射的光照射到所述沟道区。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵在所述第二衬底上的投影覆盖对应的所述沟道区在所述第二衬底上的投影。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的离子掺杂浓度被设置为使得所述薄膜晶体管的漏电流降低至预设允许范围。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的离子掺杂浓度为4e
+14
～6e
+14
cm
‑3。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述第一掺杂区和所述沟道区之间的第一过渡区以及位于所述第二掺杂区和所述沟道区之间的第二过渡区；所述第一过渡区和所述第二过渡区的离子掺杂浓度分别小于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的离子掺杂浓度。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一过渡区和所述第二过渡区的离子掺杂浓度设置为3e
+13
～5e
+13
cm
‑3。7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述漏电流的预设允许范围为10
‑
14
～10
‑
12
A。8.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：形成阵列基板，所述阵列基板包括第一衬底以及设置在第一衬底朝向所述光源一侧的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括沟道区；形成彩膜基板，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桐，庞鲁，王超，王振，常志强，党少聪，穆世杰，董兴，白强强，
申请(专利权)人：鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：