一种电子束对中装置及对中方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电子束对中装置及对中方法，具体包括以下步骤：在真空状态下，产生电子束；对偏转线圈以一定步长施加偏转电流，并记录电流计的示数；计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时所施加的偏转电流；重复上述步骤，得到电子束对中参数，解决了传统电子束对中装置结构复杂，调整起来费时费力的问题，通过扫描方式完成电子束的对中，大大提高了对中精度且可实现调整过程的智能化且对中装置结构简单，操作方便。操作方便。操作方便。

【技术实现步骤摘要】
一种电子束对中装置及对中方法


[0001]本专利技术涉及电子束对中
，尤其涉及一种电子束对中装置及对中方法。

技术介绍

[0002]电子束即为电子汇集成束，其具有高能量密度，电子束是利用电子枪中阴极所产生的电子在阴阳极间的高压(25
‑
300KV)加速电场作用下被加速至很高的速度(0.3
‑
0.7倍光速)，经透镜会聚作用后，形成密集的高速电子流。
[0003]近年来，电子束广泛应用于加工焊接、检测成像、生产X光和生物灭菌等领域，而通常这些设备包括电子源、聚焦透镜、靶或样品托等，由于机械加工误差的存在，而无法保证这些组件的同轴性，进而容易导致电子束偏离预定的目标区域，而为了解决电子束偏离预定目标区域的问题，通常需引入偏转器，但是引入偏转器导致电子束对中装置结构复杂，且调整起来费时费力。

技术实现思路

[0004]本专利技术公开的一种电子束对中装置及对中方法，解决了传统电子束对中装置结构复杂，调整起来费时费力的问题，通过扫描方式完成电子束的对中，大大提高了对中精度且可实现调整过程的智能化。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案具体是这样实现的：
[0006]本专利技术一方面公开一种电子束对中方法，包括以下步骤：
[0007]在真空状态下，产生电子束；
[0008]对偏转线圈以一定步长施加偏转电流，并记录电流计的示数；
[0009]计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时所施加的偏转电流；
[0010]重复上述步骤，得到电子束对中参数。
[0011]进一步地，所述偏转电流在区间[
‑
I,+I]内。
[0012]本专利技术另一方面公开一种电子束对中装置，包括电子枪、电子束管、检测管、偏转线圈、电流计和计算机，其中，电子枪用以发射高速电子流，形成电子束；电子束管用以提供电子束的运行通道；所述检测管设置在所述电子束管的内部，且所述检测管的中心开设有通孔，用以实时检测电子束的对中情况；偏转线圈用以调节电子束的方向；所述电流计与所述检测管电连接，用以显示经过所述检测管的电子束的电流值，并传输至计算机；计算机用以接收并处理所述电流计检测到的经过所述检测管的电子束的电流值并控制所述偏转线圈中的偏转电流。
[0013]进一步地，所述电子束管由无磁金属或合金制成。
[0014]进一步地，所述偏转线圈为两组，包括水平方向线圈组和垂直方向线圈组，所述水平方向线圈组用以实现对电子束平垂直方向上的调节，所述垂直方向线圈组用以实现对电子束水平方向上的调节。
[0015]进一步地，所述检测管为良导体，且所述检测管通过绝缘件焊接在所述电子束管
内部。
[0016]进一步地，所述绝缘件由绝缘耐高温材料制成。
[0017]进一步地，所述检测管由耐高温导体和耐高温绝缘体钎焊而成。
[0018]有益技术效果：
[0019]1、本专利技术公开一种电子束对中方法，具体包括以下步骤：在真空状态下，产生电子束；对偏转线圈施加一定步长的偏转电流，并记录电流计的示数；计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时所施加的偏转电流；重复上述步骤，得到电子束对中参数，解决了传统电子束对中装置结构复杂，调整起来费时费力的问题，通过扫描方式完成电子束的对中，大大提高了对中精度且可实现调整过程的智能化；
[0020]2、本专利技术中，所述电子束管由无磁金属或合金制成，减少了电子束管对电子束方向的干扰；
[0021]3、本专利技术中，计算机用以接收并处理所述电流计检测到的经过所述检测管的电子束的电流值并控制所述偏转线圈中的偏转电流，使得电子束的对中过程可以实现智能化控制，省时省力；
[0022]4、本专利技术中，所述偏转线圈为两组，包括水平方向线圈组和垂直方向线圈组，所述水平方向线圈组用以实现对电子束平垂直方向上的调节，所述垂直方向线圈组用以实现对电子束水平方向上的调节，可以实现对电子束两个方向上调节。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0024]图1为本专利技术所述的一种电子束对中方法的步骤流程图；
[0025]图2为本专利技术所述的一种电子束对中装置的原理示意图；
[0026]图3为本专利技术所述的一种电子束对中装置中偏转线圈的截面图；
[0027]图4为本专利技术所述的一种电子束对中装置典型检测曲线图。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]下面结合附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。
[0030]本专利技术一方面公开一种电子束对中方法，参见图1，电子束对中方法包括以下步骤：
[0031]S1：在真空状态下，产生电子束；
[0032]具体地，在射线管或者电子枪中，利用真空设备将其内部抽至较好的真空状态，施加电流通过阴极灯丝产生大量的电子，在灯丝与阳极之间通过高压电源形成很强的电场，电子将从灯丝加速飞出进入电子束管。
[0033]S2：对偏转线圈以一定步长施加偏转电流，并记录电流计的示数；
[0034]具体地，进行电子束对中时，高速电子束会通过检测管，此时电流计有读数，利用
计算机对偏转线圈在[
‑
I,+I]区间以一定的步长施加偏转电流，并记录与检测管连接的电流计上显示的电流示数I。
[0035]S3：计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时所施加的偏转电流；
[0036]具体地，当通过检测管的电子束增加时，电流计的示数减小，当通过检测管的电子束减少时，电流计的示数增大，即电子束偏离；当电流计的示数最小时，说明此时检测管通过的电子束最多，即达到最佳对中状态，计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时的偏转电流。
[0037]S4：重复上述步骤，得到电子束对中参数。
[0038]具体地，要对其他偏转线圈进行同样步骤过程的扫描，最终得到电子束对中参数。
[0039]本专利技术的另一方面公开一种电子束对中装置，电子束对中装置包括电子枪、电子束管、检测管、偏转线圈、电流计和计算机，其中，电子枪用以发射高速电子流，形成电子束；电子束管用以提供电子束的运行通道，优选地，电子束管由无磁金属或者合金制成，减少了对电子束方向的干扰；检测管设置在电子束管的内部，且检测管的中心开设有通孔，用以实时检测电子束的对中情况，优选地，检测管由耐高温导体和耐高温绝缘体钎焊在一起，且所用两种材料的热膨胀系数要有较好的匹配；偏转线圈用以调节电子束的方向，优选地，参见图3，偏转线圈为两组，包括水平方向线圈组和垂直方向线圈组，水平方向线圈组用以实现对电子束平垂直方向上的调节，垂直方向线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子束对中方法，其特征在于，包括以下步骤：在真空状态下，产生电子束；对偏转线圈以一定步长施加偏转电流，并记录电流计的示数；计算机对扫描过程进行分析，得到电流计示数最小时所施加的偏转电流；重复上述步骤，得到电子束对中参数。2.根据权利要求1所述的一种电子束对中方法，其特征在于，所述偏转电流在区间[
‑
I,+I]内。3.一种电子束对中装置，其特征在于，包括：电子枪，用以发射高速电子流，形成电子束；电子束管，用以提供电子束的运行通道；检测管，所述检测管设置在所述电子束管的内部，且所述检测管的中心开设有通孔，用以实时检测电子束的对中情况；偏转线圈，用以调节电子束的方向；电流计，所述电流计与所述检测管电连接，用以显示经过所述检测管的电子束的电流值，并传输至计算机；计算机，用以接收并...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘骏，王刘成，孔文文，张伟，仇小军，
申请(专利权)人：无锡日联科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：