一种二氧化锡核壳结构纳米晶的低温制备方法及在钙钛矿太阳电池中的应用技术

技术编号:31016871 阅读:40 留言:0更新日期:2021-11-30 02:59
本发明专利技术提供了一种二氧化锡核壳结构纳米晶及低温制备方法,及由该核壳结构纳米晶制得的钙钛矿太阳能电池,该二氧化锡二氧化锡核壳结构纳米晶包括二氧化锡纳米晶核层和包覆在二氧化锡纳米晶表面的壳层,对二氧化锡纳米晶进行包覆可得到电导率高、载流子密度大、载流子迁移率高和缺陷态密度低的二氧化锡核壳结构纳米晶,将其应用于钙钛矿太阳能电池中,可有效提高钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。有效提高钙钛矿太阳能电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化锡核壳结构纳米晶的低温制备方法及在钙钛矿太阳电池中的应用


[0001]本专利技术涉及钙钛矿太阳电池
,具体涉及二氧化锡核壳结构纳米晶的制备及将其作为电子传输材料用于钙钛矿太阳电池中的应用。

技术介绍

[0002]目前,二氧化钛(TiO2)是高效正式钙钛矿太阳电池器件中最广泛使用电子传输层材料。然而,TiO2在制备过程中通常需要高温烧结以获得较高的结晶质量及电子迁移率,并且TiO2具有较强的紫外光催化活性,对整个钙钛矿太阳电池器件的稳定性产生不利影响。因而,发展可低温制备、电子迁移率高、且不具备光催化活性的电子传输材料是十分有必要的。
[0003]二氧化锡(SnO2)在制备过程不需要高温处理,且具备较弱的光催化活性,对于制备高效稳定的正式钙钛矿太阳电池器件是十分合适的。尽管如此,SnO2电子传输材料仍存在薄膜电子迁移率较低、表面缺陷态密度高、载流子复合位点多等问题。

技术实现思路

[0004]基于上述技术背景,本专利技术人进行了锐意进取,研究发现:在二氧化锡纳米晶表面通过简单的包覆,即可得到具有表面包覆层的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二氧化锡核壳结构纳米晶,其特征在于,该二氧化锡核壳结构纳米晶包括二氧化锡纳米晶和包覆于二氧化锡表面的包覆层;所述包覆层选自三氧化二钕、五氧化二铌、氧化铷、氧化钴、二氧化锰、氧化锌、二氧化钛和五氧化二钒中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的二氧化锡核壳结构纳米晶,其特征在于,包覆层金属元素与二氧化锡中锡元素的摩尔比为(0.4~1.5):1。3.一种二氧化锡核壳结构纳米晶的制备方法,其特征在于,该制备方法包括:步骤1、配制包覆层前驱体溶液;步骤2、将二氧化锡与包覆层前驱体溶液混合,反应得到二氧化锡核壳结构纳米晶。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,包覆剂选自含钕、铌、铷、钴、锰、锌、钛或钒的氧化物、氯化物、氢氧化物和碳酸盐中的一种或几种。5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤2中,二氧化锡与包覆层前驱体溶液混合之前,优选溶于乙醇中制成分散液,再与包覆层前驱体溶液混合。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕银花王贤丰张志群蔡广志
申请(专利权)人:鞍山七彩化学股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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