一种平板耦合脊波导半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种平板耦合脊波导半导体激光器，属于半导体激光器件的技术领域，包括外延层，所述外延层的顶部设有一宽脊波导和分别位于该宽脊波导两侧的一窄脊波导，并通过各个所述窄脊波导限制宽脊波导的横向电场模式，且窄脊波导的宽度小于宽脊波导的宽度；其中，对所述宽脊波导施加正向偏置电压，对各所述窄脊波导施加反向偏置电压，以达到能提高单个激光器的输出功率，并能保持较好光束质量的目的。的。的。

【技术实现步骤摘要】
一种平板耦合脊波导半导体激光器


[0001]本专利技术属于半导体激光器件的
，具体而言，涉及一种平板耦合脊波导半导体激光器。

技术介绍

[0002]平板波导半导体激光器具有结构简单、功率高、成本较低等优点，被广泛应用于激光医疗、自由空间光通信、泵浦源、相控阵雷达、先进材料加工等方面。其中，976nm波长附近的平板波导半导体激光器主要用于掺镱光纤激光器光纤激光器的泵浦，能获得更高的光
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光转换效率。
[0003]目前的平板波导半导体激光器虽然输出功率高，但其存在多模激射，输出激光的光束质量较差，这限制了平板波导半导体激光器的应用，提高光束质量的主要方法为在平板波导半导体激光器中添加横向结构来限制光子的横向电场。
[0004]通过在平板波导上从覆盖层向下刻蚀一个窄脊形波导，来形成窄脊波导激光器结构，脊形宽度通常为2
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4um，用来抑制波导内部横向高阶电场模，实现单模输出。由于窄脊形波导横截面积小，支持的模场面积窄，造成腔面功率密度大，散热不良，易发生光学腔面灾变(COMD)，大大降低了单个激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平板耦合脊波导半导体激光器，包括外延层，其特征在于，所述外延层的顶部设有一宽脊波导和分别位于该宽脊波导两侧的一窄脊波导，并通过各个所述窄脊波导限制宽脊波导的横向电场模式，且窄脊波导的宽度小于宽脊波导的宽度；其中，对所述宽脊波导施加正向偏置电压，对各所述窄脊波导施加反向偏置电压。2.根据权利要求1所述的平板耦合脊波导半导体激光器，其特征在于，所述宽脊波导上设有第一脊波导电极，通过第一脊波导电极对所述宽脊波导施加正向偏置电压。3.根据权利要求2所述的平板耦合脊波导半导体激光器，其特征在于，通过探针或键合方式连接第一脊波导电极以施加正向偏置电压。4.根据权利要求1所述的平板耦合脊波导半导体激光器，其特征在于，各所述窄脊波导上分别设有第二脊波导电极，通过第二脊波导电极对各所述窄脊波导施加反向偏置电压。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺钰雯，周坤，杜维川，李弋，何林安，高松信，唐淳，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：发明
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