半导体均压合成绝缘子制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体均压合成绝缘子，其技术方案包括芯棒、护套伞裙、金属端头和均压装置，在绝缘子体接近金属端头的芯棒上，有沿纵向排列Ｎ个的半导体合成材料层，半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙。能够完全弥补高压合成绝缘子上均压装置所欠缺部分特性，可实现对特高压合成绝缘子结构中不均匀电场的调整，与现有技术相比，本实用新型专利技术具有很高的电阻率，在很宽的温度和频率范围内其阻值仍能保持稳定，且对高压电晕放电和电弧放电具有很好的抵抗性，对地电容较大，能有效地改善端部电场场强分布。它完全能满足高压合成绝缘子的运行要求，不改变产品的外绝缘特性、雷电冲击、操作冲击水平，又能产生实质性的作用。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及输变电行业中的电力设备，具体说是一种基本电气元件绝缘子。
技术介绍
由于现有高压合成绝缘子电位分布不均匀，可见电晕和无线电干扰水平很难满足技术要求，这无疑会导致其电气强度降低，造成高压电晕放电和电弧放电及接地端电场分布不均匀。影响了电力设备运行的可靠性，和电网的安全运行。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够完全弥补高压合成绝缘子上均压装置所欠缺部分特性，可实现对高压合成绝缘子结构中不均匀电场的调整的半导体均压合成绝缘子。本技术的技术解决方案包括芯棒、护套伞裙、金属端头和均压装置，在合成绝缘子体接近金属端头的芯棒上，有沿纵向排列N个的半导体合成材料层，半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙。所述的沿纵向排列的N个半导体合成材料层，其电导率可以相同。所述的沿纵向排列的N个半导体合成材料层，其电导率也可不相同。所述的沿纵向排列的N个半导体合成材料层，其中N≥2。本技术的半导体合成材料层为半导体硅橡胶材料层。与现有技术相比，本技术为完善高压合成绝缘子的电气特性，在接近端部金具的芯棒上，沿纵向排列不同电导率的半导体合成材料，外面沿用传统的高温硫化硅橡胶，弥补均压装置对端部场强调节有限的现象，实现合成绝缘子结构中不均匀电场的调整。它完全能满足高压合成绝缘子的运行要求，不改变产品的外绝缘特性、雷电冲击、操作冲击水平，又能产生实质性的作用。本技术除具备装有均压装置的特高压合成绝缘子的所有优点外，还具有以下优点1.电阻率较高，在很宽的温度和频率范围内，其阻值仍能保持稳定； 2.耐高压电晕放电和电弧放电；3.对地电容较大，能有效地改善端部电场场强分布。以下结合附图提供的实施例对本技术进一步说明。附图为本技术结构示意图。具体实施方式附图中，在绝缘子体接近金属端头1的芯棒2上，将不同电导率的半导体合成材料，纵向排列，涂刷在芯棒上，形成3个不同电导率的半导体合成材料层(3、4、5)，外面沿用传统的高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙6。所述的半导体合成材料是在合成硅橡胶中添加导电炭黑而制成，在合成硅橡胶中添加不同比例的导电炭黑以调节其电导率，半导体合成材料层3的电导率为109Ω.cm，半导体合成材料层4的电导率为1010Ω.cm，半导体合成材料层5的电导率为1011Ω.cm，半导体合成材料层(3、4、5)的涂刷长度均为50mm。在已涂有半导体合成材料的芯棒上，采用传统工艺，高温硫化成硅橡胶合成绝缘子。将本技术和现有技术在三维元仿真条件下进行电场计算。情况表明现有技术的绝缘子体金属端头界面处最大场强为230V/mm。本技术的绝缘子体金属端头界面处最大场强为90V/mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体均压合成绝缘子，包括芯棒（２）、护套伞裙（６）、金属端头（１）和均压装置，其特征在于：在合成绝缘子体接近金属端头（１）的芯棒（２）上，有沿纵向排列Ｎ个的半导体合成材料层，半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙（６）。

【技术特征摘要】
1.一种半导体均压合成绝缘子，包括芯棒(2)、护套伞裙(6)、金属端头(1)和均压装置，其特征在于在合成绝缘子体接近金属端头(1)的芯棒(2)上，有沿纵向排列N个的半导体合成材料层，半导体合成材料层外面为高温硫化硅橡胶材料层及其护套伞裙(6)。2.根据权利要求1所说的半导体均压合成绝缘子，其特征在于所述的沿纵向排列的N个半导体合成材料层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓楠，杨红军，吴兆峰，李亚萍，彭绍梨，马向方，
申请(专利权)人：襄樊国网合成绝缘子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：42[中国|湖北]