一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法技术

本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入碘源0.001-5s，吹扫1-180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入掺杂源0.001-5s，吹扫1-180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法


[0001]本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]碘化亚铜(CuI)在常温下呈白色粉末状或者白色晶体状。熔点为606℃，沸点为1290℃。室温下就可以结晶析出，不易被可见光分解，溶于水和乙醇，本征为P型半导体材料，相较于其他P型半导体材料(如CuCl，Cu2O) 性能更加稳定。CuI禁带宽度的理论值和实验值为3.1eV到3.2eV，对可见光透明，作为本征为P型的材料，铜空位为主要的浅能级(大约0.5eV)受主缺陷。CuI的亲和能大约为2.1eV，费米能级约为5.1eV，对比于其他半导体材料(如Si，TiO2，ZnO，ZnS等)CuI是价带顶能级最小的材料。如此的特性使得CuI很容易与金属电极或者ITO等透明电极形成良好的欧姆接触。相反，如P型的ZnO的费米能级达到大约7.3eV，很难与金属形成欧姆接触。因此CuI既可以做透明电极又可以做PN结的P型材料，同时在透明电子器件应用中是一个不错的选择。
[0003]据报道，以CuI作为P型材料制备的发光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，其中，所述方法包括：在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入碘源0.001-5s，吹扫1-180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001-5s，吹扫1-180s，通入掺杂源0.001-5s，吹扫1-180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出，得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述衬底的加热温度范围为室温-500℃；所述管路的加热温度范围为室温-200℃；所述腔室的加热温度范围为室温-200℃。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述反应源的加热温度范围为室温-200℃。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述铜源包括[双(三甲基甲硅烷基)乙酰亚基](六氟乙酰基丙酮酸根)铜(I)、新癸酸铜、双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜、...

【专利技术属性】
技术研发人员：明帅强，赵丽莉，李楠，何萌，卢维尔，夏洋，高雅增，文庆涛，李培源，冷兴龙，刘涛，屈芙蓉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：