【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置
[0001]本申请涉及显示
，并且更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶面板和显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的不断发展，面板业超大世代线(generation)体产能释放，出现了例如8.5代线、10代线、10.5代线等高世代线。世代线越高，玻璃基板的尺寸越大，可以切割出来的液晶面板的面积也就越大，相应地，在制备液晶面板过程中使用的光罩(也称掩模版)尺寸也随之增大。
[0003]目前在制造大尺寸的液晶面板时，由于光罩的有效曝光面积不足以覆盖整个面板，因此多采用光罩拼接工艺进行制备。具体而言，就是将大尺寸的玻璃基板划分成若干区域，使用光罩依次对各个区域进行曝光，最后拼合成大尺寸的液晶面板。这种工艺在曝光过程会存在光罩拼接区域，而在该区域内会产生显示不均的问题，即拼接姆拉(mura)。
[0004]目前可以通过以下方式来改善拼接mura，一种是将光罩拼接区域的遮光层例如黑色矩阵或遮光金属层的宽幅增加，一种是采用马赛克拼接方法，将锐利的拼接线转变为...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基板；设置于所述第一基板上的栅极线和数据线；设置于所述第一基板上的薄膜晶体管阵列层、色阻层和第一透明导电层；所述薄膜晶体管阵列层包括源漏电极、半导体层和栅极，所述源漏电极与所述数据线同层，且所述源漏电极与所述数据线相连接，所述栅极包括第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分与所述栅极线同层，且所述第一栅极部分与所述栅极线相连接，所述第二栅极部分与所述数据线同向，且所述第二栅极部分与所述第一栅极部分断开；所述半导体层位于所述源漏电极与所述栅极之间，所述源漏电极位于所述半导体层靠近所述第一基板一侧；所述色阻层位于所述半导体层之上，所述色阻层在与所述栅极线对应的位置设置有挖空区，所述挖空区用于设置所述第一栅极部分和所述栅极线，所述第二栅极部分位于所述色阻层上与所述数据线对应的位置；所述色阻层上设置有过孔，所述第一透明导电层通过所述过孔与所述源漏电极相接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体层。3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材料为氧化铟镓锌IGZO。4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置于所述第一基板与所述薄膜晶体管阵列层之间的透明层，所述透明层包括对位标记。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述透明层通过激光镭射于所述第一基板上。6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明层的材料为氧化铟锡ITO。7.根据权利要求1至6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置于所述色阻层之上的垫料，所述垫料填充于所述过孔中。8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：与所述第一透明导电层相绝缘的第二透明导电层，所述第二透明导电层用于形成公共电极；其中，所述第二透明导电层设置于所述薄膜晶体管阵列层与所述第一透明导电层之间；或者，所述第二透明导电层设置于所述第一透明导电层之上。9.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层还包括：位于所述半导体层两侧的第一绝缘层和第二绝缘层；其中，所述半导体层与所述源漏电极相接触，并通过所述第一绝缘层相隔；所述半导体层与所述栅极通过所述第二绝缘层相隔。10.根据权利要求1至8中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述栅极两侧的第三绝缘层和第四绝缘层；其中，
所述栅极与所述色阻层通过所述第三绝缘层相隔；所述栅极与所述第一透明导电层通过所述第四绝缘层相隔。11.一种液晶面板，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的阵列基板，和与所述阵列基板相对设置的彩膜基板。12.根据权利要求11中所述的液晶面板，其特...
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