【技术实现步骤摘要】
一种固态发射机监测控制保护电路及其控制方法
[0001]本专利技术涉及发射机控制
,具体涉及一种固态发射机监测控制保护电路及其控制方法。
技术介绍
[0002]发射机监测控制保护单元是发射机的状态监测与发射保护脉冲控制的单元,主要完成发射保护脉冲的检测、控制、为功放链路提供发射保护信号,同时负责响应上位机控制指令,采集各单元模块状态信息、向上位机实时上报发射机状态信息,根据发射机或单元模块状态进行控制保护。
[0003]发射保护脉冲是发射机功放链路的必要信号,通常采用具有很强抗干扰能力的差分信号形式。发射机功放链路需要多路发射机保护脉冲,需要对发射保护脉冲进行转换驱动。传统的发射保护脉冲驱动电路,通常使用AM26C32进行电平转换,再使用多个AM26C31进行驱动转换为多路差分信号,需要同时使用AM26C32、AM26C31两种芯片,外围电路相对复杂。
[0004]传统脉冲检测电路使用AD采样,由单片机进行检测,由于单片机还需要承担其他实时任务,可能导致脉冲检测较大延迟,限制了控制保护单元的扩展能力,目前缺少兼顾实时性和通用性、器件种类少的技术方案。
技术实现思路
[0005]为了克服现有技术存在的缺陷与不足,本专利技术提供一种固态发射机监测控制保护电路及其控制方法,采用主副两个ARM处理器实现主控制逻辑与脉冲检测任务分离,由于主控制逻辑与脉冲检测任务相比,任务种类多、延时较大,为避免主控逻辑影响到脉冲检测和驱动的实时性,主ARM处理器负责逻辑控制,响应上位机或外部节点对发射保护 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种固态发射机监测控制保护电路,其特征在于,包括:主ARM处理器、副ARM处理器、发射脉冲驱动电路、发射脉冲检测电路和发射脉冲控制电路;所述主ARM处理器、副ARM处理器分别与发射脉冲控制电路连接,所述发射脉冲控制电路与发射脉冲驱动电路连接,所述发射脉冲检测电路与副ARM处理器连接,所述主ARM处理器用于响应上位机或功放链路对发射保护脉冲的控制请求,所述副ARM处理器用于发射脉冲宽度和占空比检测;所述发射脉冲驱动电路设有两级RS
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485芯片,用于将一路发射保护脉冲驱动为两级多路发射保护脉冲,第一级RS
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485芯片同相及反向输入端与发射保护脉冲信号输入端连接,第一级RS
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485芯片RO输出端与第二级RS
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485芯片的DI端连接,第二级RS
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485芯片输出,所述第一级RS
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485芯片的RE使能端与所述发射脉冲控制电路输出端连接;所述发射脉冲控制电路设有RS
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485芯片D1、三极管V1、三极管V2和三极管V3,三极管V1的基极与副ARM处理器连接,三极管V1的集电极接地,三极管V1的发射极与三极管V3的基极连接,三极管V2的基极与主ARM处理器连接,三极管V2的集电极接地,三极管V2的发射极与三极管V3的基极连接,三极管V3的基极与RS
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485芯片D1的RO端连接,三极管V3的集电极与高电平连接,并与发射脉冲控制电路输出端连接,三极管V3的发射极接地;RS
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485芯片D1将雷达静默信号422差分高电平转换成逻辑高电平,从RO端输出,发射保护脉冲驱动电路正常输出,副ARM处理器输出逻辑电平控制信号,高电平时发射保护脉冲禁止输出,主ARM处理器输出逻辑电平控制信号,高电平时发射保护脉冲禁止输出,所述发射脉冲控制电路输出端输出发射保护脉冲控制信号;所述发射脉冲检测电路设有RS
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485芯片D23,RS
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485芯片D23的同相及反向输入端与发射保护脉冲信号输入端连接,RS
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485芯片D2将发射保护脉冲转换成逻辑电平从RO端输出,RS
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485芯片D2的RO端与副ARM处理器连接,副ARM处理器检测发射脉冲宽度和占空比。2.根据权利要求1所述的固态发射机监测控制保护电路,其特征在于,还设有供电电路和紧急关机控制电路,所述供电电路包括显示屏供电电路、MCU供电电路和422供电电路,所述显示屏供电电路向外部人机交互显示屏提供直流12V供电,所述422供电电路向脉冲驱动电路提供直流5V供电,所述MCU供电电路用于给主ARM处理器供电,所述紧急关机控制电路接收外部向固态发射机发送的紧急关机信号,控制固态发射机关机。3.根据权利要求1所述的固态发射机监测控制保护电路,其特征在于,所述发射脉冲驱动电路的第一级RS
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485芯片设有3路,每一路设有一个RS
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485芯片,第二级RS
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【专利技术属性】
技术研发人员:宋朋,郑德文,李江武,江蓉,
申请(专利权)人:海华电子企业中国有限公司,
类型:发明
国别省市:
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