本发明专利技术涉及物理气相沉积表面处理技术领域，具体涉及到一种基于PVD制备防指印黑色膜的方法及镀膜件。本申请的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，通过采用磁控溅射在待镀件表面沉积形成镀膜层，实现采用PVD镀膜技术，得到高端质感的黑色层，取代传统水电镀高浓度酸碱和铬酸等重污染的原料，且没有废水处理和排放问题；且镀膜层具有防指纹效果，同时致密性和耐磨性优异。本发明专利技术生产过程中具有无废水排放、成本低和性能优异等优点，可广泛应用于五金、家电、卫浴及汽车配件等领域。卫浴及汽车配件等领域。卫浴及汽车配件等领域。
【技术实现步骤摘要】
基于PVD制备防指印黑色膜的方法及镀膜件
[0001]本专利技术涉及物理气相沉积表面处理
，具体涉及到一种基于PVD制备防指印黑色膜的方法及镀膜件。
技术介绍
[0002]金属或塑料表面产品需要增强抗腐蚀性、增加硬度、防止磨耗、提高导电性、润滑性、耐热性、和表面美观等功能，往往需要进行电镀处理。电镀工艺发展到现在，已经是目前非常重要的加工技术，在防护和装饰等用途上占有很大比重。尤其在电子工业、通信和军工、航天等领域大量在采用功能性电镀技术。虽然电镀的应用十分广泛，但电镀也是污染的三大行业之一，也会给人的健康带来极大的危害。
[0003]随着环保要求的提升，近年来发展了多种仿电镀技术，如一种用于五金工件表面的仿电镀加工工艺，依次包括以下步骤：喷底漆，使工件表面均匀地喷涂UV底漆并使UV底漆固化成膜；真空镀膜，将喷底漆后的工件放置于真空环境中，通过蒸馏或溅射的方式，以使工件上均匀的覆盖一层镀膜层；喷面漆，在镀膜层上均匀的喷涂高温亮光油漆；上色，将工件完全浸泡于染色剂中，以使工件表面着色。虽然可以得到仿电镀的金属层，但过程中包含真空镀膜，喷涂两道面漆和浸染上色，工序复杂，加工成本高，漆膜层不耐磨，且上色所用的染色剂为有毒性有机物，会对人体和环境造成一定危害。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种基于PVD制备防指印黑色膜的方法及镀膜件。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：基于PVD制备防指印黑色膜的方法，包括以下步骤：
[0006]S1、待镀件预处理：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，随后将待镀件放入真空炉中；
[0007]S2、待镀件清洗：真空炉中抽真空，升温至120～150℃，充入Ar，启动Ti弧靶，对待镀件进行等离子清洗；
[0008]S3、底层膜：关闭Ti弧靶，启动TiCrAl溅射靶，继续充入Ar，加载
‑
70～
‑
90V偏压，在待镀件表面沉积TiCrAl膜底层膜；
[0009]S4、黑色膜：关闭TiCrAl溅射靶，持续启动石墨靶，充入Ar，加载
‑
40～
‑
60V偏压，持续时间为2～5分钟，TiCrAl膜上沉积防指印黑色膜。
[0010]进一步的，还包括防指印黑色膜沉积完成后关闭石墨靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至55℃～60℃后，取出镀膜件。
[0011]进一步的，将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，包括采用硫酸溶液或磷酸溶液对待镀件表面进行预处理。
[0012]进一步的，待镀件清洗过程中在真空炉内偏压
‑
700～
‑
900V情况下对待镀件进行
离子清洗。
[0013]进一步的，底层膜沉积过程中，真空炉内压强为6.0
×
10
‑3～8.0
×
10
‑3Pa。
[0014]进一步的，底层膜的厚度为0.03～0.06μm；所述黑色膜的厚度为0.02～0.05μm。
[0015]进一步的，步骤S3中Ar的流量为100～250sccm，靶电流为5～10A，电镀时间为5～8分钟。
[0016]进一步的，黑色膜沉积过程中还包括充入C2H2气体。
[0017]进一步的，步骤S4中Ar流量降低至40～80sccm，C2H2气体流量为150～250sccm，C2H2气体通入时间为1～5分钟。
[0018]一种镀膜件，包括待镀件，所述待镀件表面镀有采用上述的基于PVD制备防指印黑色膜的方法制得的镀膜层。
[0019]本专利技术的有益效果：由上述对本专利技术的描述可知，与现有技术相比，本专利技术的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，通过采用PVD镀膜技术，可以得到高端质感的黑色层，取代传统水电镀高浓度酸碱和铬酸等重污染的原料，且没有废水处理和排放问题；且镀膜层采用大功率溅射，从而得到防指纹，致密性和耐磨性优异的复合镀膜层。本专利技术生产过程中具有无废水排放、成本低和性能优异等优点，可广泛应用于五金、家电、卫浴及汽车配件等领域。
附图说明
[0020]图1为本专利技术优选实施例中镀膜件的剖视图；
[0021]附图标记：1、待镀件；2、镀膜层；201、底层膜；202、黑色膜。
具体实施方式
[0022]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0024]参照图1所示，一种镀膜件，包括待镀件1，所述待镀件1表面镀有采用上述的基于PVD制备防指印黑色膜的方法制得的镀膜层2。
[0025]本专利技术的优选实施例，基于PVD制备防指印黑色膜的方法，包括以下步骤：
[0026]S1、待镀件预处理：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，随后将待镀件放入真空炉中；
[0027]S2、待镀件清洗：真空炉中抽真空，升温至120～150℃，充入Ar，启动Ti弧靶，对待镀件进行等离子清洗；
[0028]其中，待镀件清洗过程中在真空炉内偏压
‑
700～
‑
900V情况下对待镀件进行离子清洗；
[0029]S3、底层膜：关闭Ti弧靶，启动TiCrAl溅射靶，继续充入Ar，加载
‑
70～
‑
90V偏压，在待镀件表面沉积TiCrAl膜底层膜；
[0030]其中，底层膜沉积过程中，真空炉内压强为6.0
×
10
‑3～8.0
×
10
‑3Pa，Ar的流量为
100～250sccm，靶电流为5～10A，电镀时间为5～8分钟，底层膜的厚度为0.03～0.06μm；
[0031]S4、黑色膜：关闭TiCrAl溅射靶，持续启动石墨靶，充入Ar，加载
‑
40～
‑
60V偏压，持续时间为2～5分钟，TiCrAl膜上沉积防指印黑色膜，其中所述黑色膜的厚度为0.02～0.05μm；
[0032]作为本专利技术的优选实施例，其还可具有以下附加技术特征：还包括防指印黑色膜沉积完成后关闭石墨靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至55℃～60℃后，取出镀膜件。
[0033]本实施例中，将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，包括采用硫酸溶液或磷酸溶液对待镀件表面进行预处理。
[0034]本实施例中，黑色膜沉积过程中还包括充入C2H2气本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于PVD制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、待镀件预处理：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，随后将待镀件放入真空炉中；S2、待镀件清洗：真空炉中抽真空，升温至120～150℃，充入Ar，启动Ti弧靶，对待镀件进行等离子清洗；S3、底层膜：关闭Ti弧靶，启动TiCrAl溅射靶，继续充入Ar，加载
‑
70～
‑
90V偏压，在待镀件表面沉积TiCrAl膜底层膜；S4、黑色膜：关闭TiCrAl溅射靶，持续启动石墨靶，充入Ar，加载
‑
40～
‑
60V偏压，持续时间为2～5分钟，TiCrAl膜上沉积防指印黑色膜。2.根据权利要求1所述的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：还包括防指印黑色膜沉积完成后关闭石墨靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至55℃～60℃后，取出镀膜件。3.根据权利要求1所述的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：将待镀件表面油污洗净并脱去待镀件表面氧化膜，包括采用硫酸溶液或磷酸溶液对待镀件表面进行预处理。4.根据权利要求1所述的基于PVD制备防指印黑色膜的方法，其特征在于：所述待镀件清洗过程中在真空炉内偏压
【专利技术属性】
技术研发人员：池松，
申请(专利权)人：厦门大锦工贸有限公司，
类型：发明
国别省市：
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