一种先进的4寸wafer镀锅衬圈制造技术

本实用新型专利技术提供了一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体、外沿、支撑角；所述外沿位于衬圈主体顶端的边缘处，且外沿与衬圈主体为一体式结构；所述支撑角位于衬圈主体底部的边缘处，且支撑角与衬圈主体为一体式结构；本实用新型专利技术通过对先进的4寸wafer镀锅衬圈的改进，具有结构简单、简洁轻便，设计合理，撑效果好、便于wafer的平稳摆放，稳定性强，同时还能有效减少wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，方便使用的优点，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。出现的问题和不足。出现的问题和不足。

【技术实现步骤摘要】
一种先进的4寸wafer镀锅衬圈


[0001]本技术涉及晶圆
，更具体的说，尤其涉及一种先进的4寸wafer镀锅衬圈。

技术介绍

[0002]Wafer一般是指晶圆，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。
[0003]离子镀膜是wafer必要的加工工序，离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基底上。它兼具蒸发镀的沉积速度快和溅射镀的离子轰击清洁表面的特点，特别具有膜层附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点。
[0004]但现有离子枪镀膜设备镀锅内缺少定位、放置装置，支撑效果较差，wafer的摆放平稳性较差，并且wafer边缘外圈的遮镀芯颗粒易损失，在使用时存在诸多问题。
[0005]有鉴于此，针对现有的问题予以研究改良，提供一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，旨在通过该技术，达到解决问题与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，包括：衬圈主体(1)、外沿(2)、支撑角(3)；其特征在于：所述外沿(2)位于衬圈主体(1)顶端的边缘处，且外沿(2)与衬圈主体(1)为一体式结构；所述支撑角(3)位于衬圈主体(1)底部的边缘处，且支撑角(3)与衬圈主体(1)为一体式结构。2.根据权利要求1所述的一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，其特征在于：所述外沿(2)位于衬圈主体(1)顶端的外侧，且外沿(2)的外径为105mm。3.根据权利要求1所述的一种先进的4寸wafer镀锅衬圈，其特征在于：所述外沿(2)为呈环形状的直角翻边，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯文，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：