一种硅片制绒产线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片制绒产线，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉，第一链式酸洗机，第一插片机，氧化槽，第一清水槽，制绒槽，第二清水槽，第二插片机，第二链式酸洗机，链式烘干炉。本实用新型专利技术在制绒槽前道设置链式氧化炉，可在制绒之前，在链式氧化炉中对硅片进行高温氧化处理，使硅片表面的有机脏污分解，可完全去除硅片表面的有机脏污，可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。等问题。等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片制绒产线


[0001]本技术涉及一种硅片制绒产线。

技术介绍

[0002]光伏发电是太阳能能源利用中最重要的组成部分，它是一种环保的，用之不竭的可再生能源，符合光伏行业高效率、低成本的追求。对于单晶硅电池，表面反射率是影响太阳能电池效率转换的重要因素之一，为降低表面反射率，制绒工艺起到了重要作用。
[0003]制绒的目的为在原生硅片表面产生织构以达到陷光作用，从而提高对太阳光的吸收率，进而提高电池的光电转换率。目前市面上的制绒工艺仍为传统的湿法工艺，此法在制绒结束后，硅片上会大概率出现白斑、亮点等问题，这严重影响了产线硅片的直通率，降低了产线效率。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术的缺陷，本技术提供一种硅片制绒产线，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉，第一链式酸洗机，氧化槽，第一清水槽，制绒槽。
[0005]优选的，还包括位于制绒槽后道、且按先后工序依次设置的：第二清水槽，第二链式酸洗机，链式烘干炉。
[0006]优选的，所述第一链式酸洗机包括按先后工序依次设置的：酸洗区，漂洗区。
[0007]优选的，所述第一链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头，第一链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头。
[0008]优选的，所述第一链式酸洗机和氧化槽之间还设有第一插片机。
[0009]优选的，所述第二链式酸洗机包括按先后工序依次设置的：酸洗区，漂洗区。
[0010]优选的，所述第二链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头，第二链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头。
[0011]优选的，所述第二清水槽和第二链式酸洗机之间还设有第二插片机。
[0012]优选的，所述链式氧化炉内置刚玉轴和加热灯管。
[0013]经研究发现，之所以硅片制绒会出现白斑、亮点等问题，主要是因为硅片表面残留有有机脏污。本技术在制绒槽前道设置链式氧化炉，可在制绒之前，在链式氧化炉中对硅片进行高温氧化处理，使硅片表面的有机脏污分解，可完全去除硅片表面的有机脏污，可避免因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题。
[0014]但本技术的技术人经研究发现，为了完全去除硅片表面的有机脏污，链式氧化炉的温度较高（300～800℃），处理时间较长（180～250s），高温氧化处理完成后，硅片表面会形成一层较厚的SiO2层，该SiO2层的厚度不小于2nm（该SiO2层的厚度为2～8nm），该较厚的SiO2层会影响制绒，不利于制绒。为了防止该较厚的SiO2层影响制绒，本技术在制绒槽前道还设置第一链式酸洗机，可在第一链式酸洗机中对硅片进行酸洗（酸洗采用氢氟酸溶液），使该较厚的SiO2层完全去除。
[0015]但本技术的技术人经研究发现，上述较厚的SiO2层去除后，硅片表面为疏水状态，而硅片表面处于疏水状态也会影响制绒，也不利于制绒。为了防止硅片表面处于疏水状态而影响制绒，本技术在制绒槽前道还设置氧化槽，可在氧化槽中对硅片进行再次氧化，使硅片表面再次形成SiO2层，可通过控制再次氧化的工艺参数（氧化槽中采用由2%～6% H2O2、1%～3%无机碱、余量为去离子水配制的氧化处理液，于60～70℃对硅片氧化处理2～3min），来控制再次形成的SiO2层的厚度，使再次形成的SiO2层的厚度不大于0.6nm（再次形成的SiO2层的厚度控制在0.2～0.6nm），该超薄的SiO2层不仅不会影响制绒，还会使硅片表面处于亲水状态，有利于制绒。
[0016]制绒的根本为Si与制绒液进行反应。若硅片表面的SiO2厚度不小于2nm，制绒时对硅片的表面处理会不够，导致反应不完全，硅片表面反射率过高。当SiO2厚度不大于0.6nm时，配合现有的制绒工艺，能制绒完全，不会影响制绒。
[0017]另外，采用本技术硅片制绒产线来生产制绒片，除制绒步骤外，其他许多步骤都可以链式进行操作，更高效。
[0018]综上所述，本技术不仅能解决因有机脏污残留在硅片表面而使制绒出现白斑、亮点等问题，还能提高制绒的产量，降低制绒的不良率，具有推广价值。
附图说明
[0019]图1是本技术的示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。
[0021]本技术提供一种硅片制绒产线，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉1，第一链式酸洗机2，第一插片机3，氧化槽4，第一清水槽5，制绒槽6，第二清水槽7，第二插片机8，第二链式酸洗机9，链式烘干炉10；
[0022]链式氧化炉1内置刚玉轴和加热灯管；
[0023]第一链式酸洗机2包括按先后工序依次设置的：酸洗区21，漂洗区22；第一链式酸洗机2的酸洗区21设有带液滚轮和喷头，第一链式酸洗机2的漂洗区22设有滚轮和喷头；
[0024]第二链式酸洗机9包括按先后工序依次设置的：酸洗区91，漂洗区92；所述第二链式酸洗机9的酸洗区91设有带液滚轮和喷头，第二链式酸洗机9的漂洗区92设有滚轮和喷头。
[0025]本技术还提供上述硅片制绒产线的生产过程：
[0026]1）若干片硅片进入链式氧化炉1进行高温氧化处理，高温氧化处理的温度为300～800℃，时间为180～250s，使硅片表面的有机脏污分解，以去除硅片表面的有机脏污，且硅片表面形成SiO2层；
[0027]2）经过步骤1）处理后的硅片进入第一链式酸洗机2的酸洗区21进行2～6min常温酸洗，以去除硅片表面的SiO2层；酸洗所用酸液由5wt%～10wt% HF和余量的去离子水配制而成；
[0028]3）经过步骤2）处理后的硅片进入第一链式酸洗机2的漂洗区22进行3～9min常温
漂洗，以去除硅片表面残留的酸液；
[0029]4）经过步骤3）处理后的硅片经第一插片机3插片后进入氧化槽4进行再次氧化，时间为2～3min，温度为60～70℃，使硅片表面再次形成SiO2层，以使硅片表面处于亲水态，且再次形成的SiO2层的厚度控制在0.2～0.6nm；氧化槽4中的氧化处理液由2wt%～6wt% H2O2、1wt%～3wt%无机碱和余量的去离子水配制而成；无机碱可以选择KOH或NaOH；
[0030]5）经过步骤4）处理后的硅片进入第一清水槽5常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的氧化处理液；
[0031]6）经过步骤5）处理后的硅片进入制绒槽6于75～85℃制绒6～8min，在硅片表面形成绒面结构；制绒槽6中的制绒液由0.5wt%～1wt%制绒添加剂、1wt%～3wt%无机碱和余量为去离子水配制而成；无机碱可以选择KOH或NaOH；
[0032]7）经过步骤6）处理后的硅片进入第二清水槽7常温漂洗3～5min，以去除硅片表面残留的制绒液；
[0033]8）经过步骤7）处理后的硅片经第二插片机8放片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片制绒产线，其特征在于，包括按先后工序依次设置的：链式氧化炉，第一链式酸洗机，氧化槽，第一清水槽，制绒槽。2.根据权利要求1所述的硅片制绒产线，其特征在于，还包括位于制绒槽后道、且按先后工序依次设置的：第二清水槽，第二链式酸洗机，链式烘干炉。3.根据权利要求1或2所述的硅片制绒产线，其特征在于，所述第一链式酸洗机包括按先后工序依次设置的：酸洗区，漂洗区。4.根据权利要求3所述的硅片制绒产线，其特征在于，所述第一链式酸洗机的酸洗区设有带液滚轮和喷头，第一链式酸洗机的漂洗区设有滚轮和喷头。5.根据权利要求1或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马琦雯，邓舜，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：