【技术实现步骤摘要】
一种超宽带分布式功率放大器
[0001]本技术涉及集成电路
,特别涉及一种功率放大器。
技术介绍
[0002]宽带功率放大器是发射机系统中不可或缺的一部分,在发射机系统中,发射机的输出端口为功率放大器。功率放大器将混频器出来的小信号通过放大,达到适合天线长距离传输的信号强度,完成信号的传输。若功率放大器的输出功率不够,信号在输出路径上发生过大的衰减,信号链路将会中断,对用户的使用会有至关重要的影响。同时随着技术的发展,发射机系统的工作频段在不断变宽,超宽带功率放大器的应用和实现越来越重要。
[0003]现有技术中基于GaAs PHEMT工艺的宽带功率放大器其结构一般如图1所示,包括N个依次级联的PHEMT管:PHEMT1、PHEMT2至PHEMTN,以及微带传输线Mline1、Mline2至MlineN。根据带宽和性能要求,设计选用相应的级数、管子尺寸和外围微带线尺寸,其中PHEMT1到PHEMTN通常会采用相同尺寸的PHEMT管。然而,普通的分布式放大器在大功率和带宽之间不太容易达到共存。一般来说若需要高的带 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超宽带分布式功率放大器,其特征在于:包括输入端口、输出端口、以及位于输入端口与输出端口之间依次级联的若干级功率放大单元;每一级所述功率放大单元均包括微带传输线Mline和共源共栅晶体管模块;各共源共栅晶体管模块中均包括若干PHEMT管;从输入端口至输出端口,各级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中的PHEMT管的尺寸逐级递减。2.如权利要求1所述的超宽带分布式功率放大器,其特征在于:同级功率放大单元的共源共栅晶体管模块中的各PHEMT管的尺寸相同或相近。3.如权利要求1所述的超宽带分布式功率放大器,其特征在于:每一级功率放大单元的共源共栅晶体管模块均包括M个的PHEMT管,M≥2,其中:第一个PHEMT管的源极接地;第一个PHEMT管的栅极与输入端口连接;第i个PHEMT管的源极与第i
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1个PHEMT管的漏极连接,2≤i≤M;第M个PHEMT管的漏极与该级功率放大单元中的微带传输线Mline的一端相连。4.如权利要求3所述的超宽带分布式功率放大器,其特征在于:相邻的两级功率放大单元中,前一级功率放大单元中的微带传输线Mline的另一端,与后一级功率放大单元中的微带传输线Mlin...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋佳颖,
申请(专利权)人:南京米乐为微电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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