一种离子迁移系统技术方案

本发明专利技术提供一种离子迁移系统，包括：第一高电压源、迁移谱仪以及稳压模块。通过设置的稳压模块用以输出第二高电压源至所述迁移管，所述迁移管可以形成电场，驱动离子的迁移。进而可以节省对应所述迁移管的一个高电压源，节约成本，整体的系统的面积也会变小。整体的系统的面积也会变小。整体的系统的面积也会变小。

【技术实现步骤摘要】
一种离子迁移系统


[0001]本专利技术涉及迁移谱仪
，具体涉及一种离子迁移系统。

技术介绍

[0002]在基于迁移管的离子迁移谱仪中，一般包括电离源，迁移管和检测器等。在迁移管中需要有一个高压才能在迁移管内创建电场，使在离子源处生成的离子飞往检测器。电离源除了放射源外，同样也需要一个高压源。现有的非放射性离子源的迁移谱技术往往需要用到两个高压源，一个用于电离源，另一个用于驱动离子的迁移。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服需要同时利用两个高压源的问题，从而提供一种新的离子迁移系统。
[0004]第一方面，本专利技术提供一种离子迁移系统，包括：第一高电压源；迁移谱仪，所述迁移谱仪的离子源连接所述第一高电压源；以及稳压模块，所述稳压模块的一端分别连接所述第一高电压源、所述迁移谱仪的迁移管，所述稳压模块的另一端连接接地端，所述稳压模块用以输出第二高电压源至所述迁移管。
[0005]进一步地，所述稳压模块包括稳压器或电压基准元件。
[0006]进一步地，所述稳压模块包括n个串联连接的稳压二极管；第k个稳压二极管的负极连接第k+1个稳压二极管的正极，k为大于等于1且小于n的整数；第1个稳压二极管的正极连接所述接地端，第n个稳压二极管的负极连接所述第一高电压源。
[0007]进一步地，所述稳压模块包括n个串联连接的稳压二极管；第k个稳压二极管的正极连接第k+1个稳压二极管的负极，k为大于等于1且小于n的整数；第1个稳压二极管的负极连接所述接地端，第n个稳压二极管的正极连接所述第一高电压源。
[0008]进一步地，所述的离子迁移系统还包括：负载电阻，所述负载电阻的一端连接所述第一高电压源，所述负载电阻的一端连接所述离子源。
[0009]进一步地，所述的离子迁移系统还包括：分压模块，所述分压模块的一端分别连接所述迁移管、所述稳压模块以及所述第一高电压源，所述分压模块的另一端连接接地端，所述分压模块用以接收所述第二高电压源。
[0010]进一步地，所述迁移谱仪包括反应区、离子门以及迁移区；所述迁移管由多个电极环堆叠形成，分压模块连接所述电极环。
[0011]进一步地，所述分压模块包括m个串联连接的分压电阻R1～Rm，所述分压电阻的数量与所述迁移管的电极环数量相对应，每个分压电阻的一端对应连接所述迁移管的电极环；第1个分压电阻R1的一端连接接地端，第m个分压电阻Rm的一端分别连接所述稳压模块以及所述第一高电压源。
[0012]进一步地，所述的离子迁移系统还包括：屏蔽网及电容，所述屏蔽网连接第1个分压电阻R1的一端；所述电容的一端连接第1个分压电阻R1的一端，所述电容的另一端连接第
1个分压电阻R1的另一端。进一步地，所述迁移谱仪定义有反应区以及迁移区，所述反应区设于所述迁移区与所述离子源之间且靠近所述离子源；所述迁移谱仪还包括检测器以及与所述检测器连接的放大器。
[0013]本专利技术技术方案，具有如下优点：
[0014]本专利技术提供一种离子迁移系统，通过设置的稳压模块用以输出第二高电压源至所述迁移管，所述迁移管可以形成电场，驱动离子的迁移。进而可以节省对应所述迁移管的一个高电压源，节约成本，整体的系统的面积也会变小。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本专利技术实施例中提供的离子迁移系统的功能模块图；
[0017]图2为本专利技术实施例中提供的离子迁移系统的功能模块图；
[0018]图3为本专利技术在其他实施例中提供的离子迁移系统的功能模块图；
[0019]附图说明：
[0020]离子迁移系统100；分压模块130；迁移谱仪110；
[0021]稳压模块120；迁移管102；离子源101；
[0022]检测器103；放大器104。
具体实施方式
[0023]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0026]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0027]如图1及图2所示，本专利技术提供一种离子迁移系统100，包括：第一高电压源HV
‑
IN、迁移谱仪110以及稳压模块120。
[0028]所述迁移谱仪110的离子源连接所述第一高电压源HV
‑
IN。
[0029]所述稳压模块120的一端分别连接所述第一高电压源HV
‑
IN、所述迁移谱仪的迁移管101，所述稳压模块120的另一端连接接地端GND，所述稳压模块120用以输出第二高电压源至所述迁移管102。
[0030]本专利技术提供一种离子迁移系统100，通过设置的稳压模块120用以输出第二高电压源至所述迁移管102，所述迁移管102可以形成电场，驱动离子的迁移。进而可以节省对应所述迁移管102的一个高电压源，节约成本，整体的系统的面积也会变小。
[0031]参照图2所示，以下将具体说明各个模块的结构和功能。
[0032]所述第一高电压源HV
‑
IN用于离子源101，连接离子源101，对检测样品形成带电离子。
[0033]所述迁移谱仪110包括有反应区、离子门以及迁移区，所述反应区设于所述迁移区与所述离子源101之间且靠近所述离子源101；所述迁移谱仪110还包括检测器103以及与所述检测器连接的放大器104。所述迁移管102中包括多个电极环，迁移管102是由电极片(即电极环)与绝缘垫片交替堆叠构成的。
[0034]迁移谱仪指在电场和支持气体环境中，根据物质群(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子迁移系统，其特征在于，包括：第一高电压源；迁移谱仪，所述迁移谱仪的离子源连接所述第一高电压源；以及稳压模块，所述稳压模块的一端分别连接所述第一高电压源、所述迁移谱仪的迁移管，所述稳压模块的另一端连接接地端，所述稳压模块用以输出第二高电压源至所述迁移管。2.根据权利要求1所述的离子迁移系统，其特征在于，所述稳压模块包括稳压器或电压基准元件。3.根据权利要求1所述的离子迁移系统，其特征在于，所述稳压模块包括n个串联连接的稳压二极管；第k个稳压二极管的负极连接第k+1个稳压二极管的正极，k为大于等于1且小于n的整数；第1个稳压二极管的正极连接所述接地端，第n个稳压二极管的负极连接所述第一高电压源。4.根据权利要求1所述的离子迁移系统，其特征在于，所述稳压模块包括n个串联连接的稳压二极管；第k个稳压二极管的正极连接第k+1个稳压二极管的负极，k为大于等于1且小于n的整数；第1个稳压二极管的负极连接所述接地端，第n个稳压二极管的正极连接所述第一高电压源。5.根据权利要求1所述的离子迁移系统，其特征在于，还包括：负载电阻，所述负载电阻的一端连接所述第一高电压源，所述负载电阻的一端连接所述离子源。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李灵锋，卢文成，顾浩，李鹏，汪小知，
申请(专利权)人：苏州微木智能系统有限公司，
类型：发明
国别省市：