一种离子迁移管温度保护装置制造方法及图纸

技术编号:36656917 阅读:17 留言:0更新日期:2023-02-18 13:24
本实用新型专利技术提供了一种离子迁移管温度保护装置,包括:驱动电路,与所述离子迁移管内部加热电阻电连接,用于向所述加热电阻端提供输出电压,以控制所述加热电阻的加热温度;磁场采集器,设置在所述离子迁移管外部,用于采集所述加热电阻的磁场信息;处理器,分别与所述驱动电路、所述磁场采集器件电连接,根据所述磁场信息控制所述驱动电路的输出频率和/或输出占空比,以控制所述驱动电路的输出电压。可以通过磁场信息分析磁场频率以及磁场占空比,进而判断当前离子迁移管的温度反馈系统以及加热电阻的加热温度是否出现异常现象,从而保证离子迁移管内部温度保持在正常工作状态。证离子迁移管内部温度保持在正常工作状态。证离子迁移管内部温度保持在正常工作状态。

【技术实现步骤摘要】
一种离子迁移管温度保护装置


[0001]本技术涉及磁场采集
,具体涉及一种离子迁移管温度保护装置。

技术介绍

[0002]离子迁移谱在爆炸物或毒品检测等领域发挥了重要的作用,而迁移管是离子迁移谱内部的核心部件,是对待反应物进行离子反应和迁移的重要场所。待反应物经过管路进入迁移管,在迁移管内部的电离区,被放射源轰击成为带电的离子形式,然后,离子在迁移管内特定的电场进行迁移,最终打到迁移管另一端的电流感应电极上,进而通过计算离子的飞行时间而得到带电情况。
[0003]在离子迁移管工作过程中,离子迁移管内部还需保持在一定的温度。目前,通常在离子迁移管内部设置加热电阻为离子迁移管内部进行加热,并在离子迁移管内部设置温度传感器以采集离子迁移管内部温度,从而根据采集的温度对加热电阻进行进一步控制。
[0004]然而,在实际工作过程中,虽然可以通过温度传感器对离子迁移管内部温度进行检测,但是,当温度传感器发生故障或离子迁移管内部其他元器件发生损坏的情况下,温度反馈系统获取的温度信息不准确。又由于离子迁移管内部密闭性高,无法进一步获知离子迁移管内部温度,从而会出现加热电阻温度失控的现象,对离子迁移管的安全性产生一定的影响。

技术实现思路

[0005]因此,本技术要解决现有技术中在温度传感器等发生故障的情况下,离子迁移管内部温度会出现失控的技术问题,从而提供一种离子迁移管温度保护装置。
[0006]根据第一方面,本技术实施例提供了一种离子迁移管温度保护装置,包括:
[0007]驱动电路,与所述离子迁移管内部加热电阻电连接,用于向所述加热电阻端提供输出电压,以控制所述加热电阻的加热温度;
[0008]磁场采集器,设置在所述离子迁移管外部,用于采集所述加热电阻的磁场信息;
[0009]处理器,分别与所述驱动电路、所述磁场采集器件电连接,根据所述磁场信息控制所述驱动电路的输出频率和/或输出占空比,以控制所述驱动电路的输出电压。
[0010]可选地,离子迁移管温度保护装置,还包括:
[0011]第一电阻,第一端与所述磁场采集器电连接;
[0012]谐振电容,第一端与所述第一电阻的第二端连接,第二端接地。
[0013]可选地,离子迁移管温度保护装置,还包括:
[0014]放大电路,输入端与所述谐振电容的第一端电连接;
[0015]滤波电路,输入端与所述放大电路的输出端电连接,输出端与所述处理器电连接。
[0016]可选地,所述驱动电路,包括:
[0017]可控开关,第一端与所述加热电阻电连接,第二端接地;
[0018]驱动芯片,输入端与所述处理器电连接,输出端与所述可控开关的控制端电连接。
[0019]可选地,离子迁移管温度保护装置,还包括:
[0020]温度传感器,设置在所述离子迁移管内部;
[0021]信号放大器,与所述温度传感器电连接,且与所述处理器电连接。
[0022]可选地,所述磁场采集器为电感。
[0023]可选地,所述可控开关为全控型功率半导体器件。
[0024]可选地,所述放大电路,包括:
[0025]信号放大器,第一端与所述第一电阻的第二端电连接;
[0026]第二电阻,第一端与所述信号放大器的第二端电连接,第二端接地;
[0027]第三电阻,第一端与所述第二电阻的第一端电连接,第二端与所述信号放大器的输出端电连接。
[0028]可选地,所述滤波电路,包括:
[0029]第四电阻,第一端与所述信号放大器的输出端电连接,第二端与所述处理器电连接;
[0030]滤波电容,第一端与所述第四电阻的第二端电连接,第二端接地。
[0031]本技术技术方案,具有如下优点:
[0032]本技术提供一种离子迁移管温度保护装置,利用设置在离子迁移管外部的磁场采集器采集流经加热电阻的加热电流所产生的磁场的磁场信息,可以通过磁场信息分析磁场频率以及磁场占空比,进而判断当前离子迁移管的温度反馈系统以及加热电阻的加热温度是否出现异常现象。同时,通过磁场信息分析出的磁场频率以及磁场占空比还可以进一步调节驱动电路的输出频率和/或输出占空比,进而调节加热电阻至离子迁移管工作的加热温度,从而保证离子迁移管内部温度保持在正常工作状态。
[0033]且离子迁移管属于精密管路,内部的元器件越少,其准确度越高。采用本实施例提供的离子迁移管温度保护装置,不需要在迁移管内部再设置其他元器件,只需将驱动电路在离子迁移管外部与加热电阻连接,即可检测并控制加热电阻的温度。不仅保证了离子迁移管的安全性,而且不会破坏离子迁移管的密闭性,进而在温度传感器发生损坏的情况下,降低了离子迁移管的维修成本。当然,本实施例中提供的离子迁移管温度保护装置也可以在离子迁移管内部的温度传感器未发生损坏的情况下使用,可以双重保障离子迁移管的安全。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1为本申请实施例中一种离子迁移管温度保护装置的一个具体示例的组成图;
[0036]图2为本申请实施例中驱动电路的一个具体示例的电路图;
[0037]图3为本申请实施例中放大、滤波电路的一个具体示例的电路图。
具体实施方式
[0038]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0039]在本技术的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0040]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0041]此外,下面所描述的本技术不同实施方本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子迁移管温度保护装置,其特征在于,包括:驱动电路,与所述离子迁移管内部加热电阻电连接,用于向所述加热电阻端提供输出电压,以控制所述加热电阻的加热温度;磁场采集器,设置在所述离子迁移管外部,用于采集所述加热电阻的磁场信息;处理器,分别与所述驱动电路、所述磁场采集器件电连接,根据所述磁场信息控制所述驱动电路的输出频率和/或输出占空比,以控制所述驱动电路的输出电压。2.根据权利要求1所述的离子迁移管温度保护装置,其特征在于,还包括:第一电阻,第一端与所述磁场采集器电连接;谐振电容,第一端与所述第一电阻的第二端连接,第二端接地。3.根据权利要求2所述的离子迁移管温度保护装置,其特征在于,还包括:放大电路,输入端与所述谐振电容的第一端电连接;滤波电路,输入端与所述放大电路的输出端电连接,输出端与所述处理器电连接。4.根据权利要求1所述的离子迁移管温度保护装置,其特征在于,所述驱动电路,包括:可控开关,第一端与所述加热电阻电连接,第二端接地;驱动芯片,输入端与所述处理器电...

【专利技术属性】
技术研发人员:兰迪王群磊张博宋国翠杨宇翔
申请(专利权)人:苏州微木智能系统有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1