微型发光二极管显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种微型发光二极管显示装置，包括一线路基板、一磊晶结构层、一金属导电层、一光转换层以及一遮光结构。磊晶结构层包括面向线路基板的一第一表面、远离线路基板的一第二表面、以及彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，该些微型发光二极管单元与线路基板电性连接。金属导电层设置于第二表面且直接接触磊晶结构层，金属导电层的各光转换区域分别对应于该些微型发光二极管单元的其中之一。光转换层设置于部分的该些光转换区域内。遮光结构不覆盖该些光转换区域。其中，在垂直线路基板的接合表面的方向上，金属导电层的厚度大于磊晶结构层的厚度。晶结构层的厚度。晶结构层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示装置


[0001]当世界都在关注未来显示技术时，微型发光二极管(Micro LED)是最被看好的技术之一。简单来说，Micro LED是将LED微缩化和矩阵化的技术，将数百万乃至数千万颗小于100微米，比一根头发还细的晶粒，排列整齐放置在基板上。与现阶段OLED(有机发光二极管)显示技术相比，Micro LED同样是自主发光，却因使用材料的不同，因此可以解决OLED最致命的“烙印”问题，同时还有低功耗、高对比、广色域、高亮度、体积小、轻薄、节能等优点。因此，全球各大厂皆争相投入Micro LED技术的研发。

技术介绍

[0002]当世界都在关注未来显示技术时，微型发光二极管(Micro LED)是最被看好的技术之一。简单来说，Micro LED是将LED微缩化和矩阵化的技术，将数百万乃至数千万颗小于100微米，比一根头发还细的晶粒，排列整齐放置在基板上。与现阶段OLED(有机发光二极管)显示技术相比，Micro LED同样是自主发光，却因使用材料的不同，因此可以解决OLED最致命的“烙印”问题，同时还有低功耗、高对比、广色域、高亮度、体积小、轻薄、节能等优点。因此，全球各大厂皆争相投入Micro LED技术的研发。
[0003]在现有的微型发光二极管显示装置中，为了要得到均匀的亮度及降低功耗(power consumption)，一般都是通过金属网格(metal grid)的导电结构使微型发光二极管的半导体层与驱动基板电性连接。但是，在高解析度(高PPI，例如UHD、AR/VR)显示装置的要求下，在相当小的微型发光二极管的半导体层中制作金属网格的工艺容忍度会越低，直接影响了显示装置的工艺合格率。
[0004]因此，如何提供一种可符合高解析度的要求，并具有较高工艺合格率的微型发光二极管显示装置，一直是业界相当重视的课题之一。

技术实现思路

[0005]有鉴于上述问题，本专利技术的目的为提供一种有别于现有技术的新形态微型发光二极管显示装置，能够符合高解析度显示装置的要求，同时具有较高的工艺合格率。
[0006]为达上述目的，依据本专利技术的一种微型发光二极管显示装置，包括一线路基板、一磊晶结构层、一金属导电层、一光转换层以及一遮光结构。线路基板具有一接合表面。磊晶结构层设置于线路基板的接合表面，磊晶结构层包括面向线路基板的一第一表面、远离线路基板的一第二表面、以及彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，该些微型发光二极管单元于第一表面上并与线路基板电性连接，该些微型发光二极管单元由线路基板控制发光。金属导电层设置于磊晶结构层远离线路基板的第二表面且直接接触磊晶结构层，金属导电层定义彼此间隔的多个光转换区域，各光转换区域分别对应于该些微型发光二极管单元的其中之一。光转换层设置于部分的该些光转换区域内且用以转换所对应的微型发光二极管单元的发光波长。遮光结构具有多个第一遮光部设置于金属导电层上，该些第一遮光部不覆盖该些光转换区域。其中，在垂直线路基板的接合表面的方向上，金属导电层的厚度
大于磊晶结构层的厚度。
[0007]在一实施例中，磊晶结构层的第二表面为一平坦表面。
[0008]在一实施例中，各光转换区域为金属导电层中所形成的一贯穿孔。
[0009]在一实施例中，贯穿孔与对应的微型发光二极管单元在垂直接合表面的方向上重叠设置，且微型发光二极管单元发出的光线通过贯穿孔以显示影像。
[0010]在一实施例中，磊晶结构层包括一连续的半导体层，该些微型发光二极管单元共用该半导体层。
[0011]在一实施例中，线路基板更具有多个导电电极，该些导电电极的其中之一通过一导电件与该些微型发光二极管单元的其中之一电性连接。
[0012]在一实施例中，线路基板输出一共电极的信号通过导电件、磊晶结构层传送至金属导电层。
[0013]在一实施例中，遮光结构还具有多个第二遮光部设置于磊晶结构层的第二表面，该些第二遮光部露出磊晶结构层的第二表面中，对应于该些微型发光二极管单元的部分区域。
[0014]在一实施例中，各第二遮光部与相邻的该些光转换区域之间具有间隙。
[0015]在一实施例中，微型发光二极管显示装置更包括一透光层，其设置于遮光结构远离金属导电层的一侧。
[0016]在一实施例中，部分的透光层的材料填入未设置光转换层的该些光转换区域内。
[0017]在一实施例中，微型发光二极管显示装置更包括一滤光层，其设置于光转换层远离磊晶结构层的一侧，滤光层包括多个滤光部，光转换层包括多个光转换部，各滤光部与各光转换部对应设置。
[0018]在一实施例中，各光转换部的一截面形状为倒梯形。
[0019]在一实施例中，磊晶结构层更包括朝向光转换层突出的多个突出部，各突出部分别与该些微型发光二极管单元的其中之一对应设置。
[0020]在一实施例中，光转换层包括多个光转换部，各光转换部的一截面形状为倒梯形，且各突出部的一截面形状为梯形。
[0021]在一实施例中，该些突出部彼此为独立构件。
[0022]在一实施例中，同一个像素的多个突出部彼此连接，相邻像素的两个相邻的突出部彼此为独立构件。
[0023]在一实施例中，光转换层具有远离磊晶结构层的一顶面，金属导电层具有远离磊晶结构层的一上表面，顶面与上表面齐平。
[0024]承上所述，在本专利技术的微型发光二极管显示装置中，并不以传统的金属网格使微型发光二极管单元与驱动基板电性连接，而是利用较厚的金属导电层协助各微型发光二极管单元的电流的传导，借此有助于微型发光二极管单元的发光效能，同时可得到均匀的亮度及降低功耗。因此，相较于利用金属网格使微型发光二极管与驱动基板电连接的现有技术来说，本专利技术的微型发光二极管显示装置可以符合高解析度的显示要求，也可具有较高的工艺合格率。
附图说明
[0025]图1A为本专利技术一实施例的一种微型发光二极管显示装置的示意图。
[0026]图1B为图1A的微型发光二极管显示装置中，沿割面线A
‑
A的剖面图。
[0027]图1C为本专利技术另一实施例的一种微型发光二极管显示装置的示意图。
[0028]图2A至2G分别为本专利技术不同实施例的微型发光二极管显示装置的示意图。
具体实施方式
[0029]以下将参照相关说明书附图，说明依本专利技术一些实施例的微型发光二极管显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
[0030]图1A为本专利技术一实施例的一种微型发光二极管显示装置的示意图；图1B为图1A的微型发光二极管显示装置中，沿割面线A
‑
A的剖面图；图1C为本专利技术另一实施例的一种微型发光二极管显示装置的示意图。
[0031]图1A和图1C绘示的微型发光二极管显示装置1包括有多个像素(Pixel)P，该些像素P配置成由行与列构成的矩阵状。如图1A所示，本实施例的各像素P包括并排配置的三个子像素(Sub
‑
pixel)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示装置，其特征在于，包括：一线路基板，具有一接合表面；一磊晶结构层，设置于该线路基板的该接合表面上，该磊晶结构层包括面向该线路基板的一第一表面、远离该线路基板的一第二表面、以及彼此间隔配置的多个微型发光二极管单元，该些微型发光二极管单元位于该第一表面上并与该线路基板电性连接，该些微型发光二极管单元由该线路基板控制发光；一金属导电层，设置于该磊晶结构层的该第二表面且直接接触该磊晶结构层，该金属导电层定义彼此间隔的多个光转换区域，各该光转换区域分别对应于该些微型发光二极管单元的其中之一；一光转换层，设置于部分的该些光转换区域内且用以转换所对应的该微型发光二极管单元的发光波长；以及一遮光结构，具有多个第一遮光部设置于该金属导电层上，该些第一遮光部不覆盖该些光转换区域；其中，在垂直该线路基板的该接合表面的方向上，该金属导电层的厚度大于该磊晶结构层的厚度。2.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，该磊晶结构层的该第二表面为一平坦表面。3.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，各该光转换区域分别为该金属导电层中所形成的一贯穿孔。4.如权利要求3所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，该贯穿孔与对应的该微型发光二极管单元在垂直该接合表面的方向上重叠设置，且该微型发光二极管单元发出的光线通过该贯穿孔以显示影像。5.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，该磊晶结构层包括一连续的半导体层，该些微型发光二极管单元共用该半导体层。6.如权利要求1所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，该线路基板更具有多个导电电极，该些导电电极的其中之一通过一导电件与该些微型发光二极管单元的其中的一电性连接。7.如权利要求6所述的微型发光二极管显示装置，其特征在于，该线路基板输出一共电极的信号通过该导电件、该磊晶结构层传送至该金属导电层。8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦烨，孙圣渊，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：