电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备制造方法及图纸

本公开提供了一种电流检测装置，包括：充电MOS晶体管，充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电；至少一个充电电流检测MOS晶体管，充电电流检测MOS晶体管检测电池装置的充电电流，充电电流检测MOS晶体管的漏极与充电MOS晶体管的漏极连接，充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对充电电流进行检测；校准电流生成电路，校准电流生成电路至少向充电MOS晶体管提供校准电流；以及采样校准控制器。本公开还提供一种半导体芯片、电池管理系统及用电设备。电池管理系统及用电设备。电池管理系统及用电设备。

【技术实现步骤摘要】
电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备


[0001]本公开涉及电流检测
，本公开尤其涉及一种电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备。

技术介绍

[0002]现有技术中大量的用电设备(电动汽车、手机等)使用电池组(或电池单元、电池包)来提供电能，需要通过电池组的放电为负载提供电能，并且也需要外接充电器对电池组进行充电。
[0003]电池组在充电和放电的过程中，需要对充电电流和放电电流进行检测，避免发生安全事故。
[0004]现有技术中，电流检测的方式通常在电池组回路中设置检测电阻，然而，检测电阻的设置必然会导致能量损耗、产生热量等，导致诸多不利后果。
[0005]另外，充放电电流的大小往往会发生变化，现有技术中的电流检测电路无法根据充放电电流的大小调整电流检测电路结构，例如较大的充放电电流可能导致电流检测电路的损坏，较小的充放电电流可能导致较差的检测精度。

技术实现思路

[0006]为了解决上述技术问题中的至少一个，本公开提供一种电流检测装置、半导体芯片、电池管理系统及用电设备。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流检测装置，其特征在于，包括：充电MOS晶体管，所述充电MOS晶体管的栅极用于接收充电控制信号以控制电池装置的充电；至少一个充电电流检测MOS晶体管，所述充电电流检测MOS晶体管检测所述电池装置的充电电流，所述充电电流检测MOS晶体管的漏极与所述充电MOS晶体管的漏极连接，所述充电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收充电检测控制信号以对所述充电电流进行检测，所述充电电流检测MOS晶体管的沟道宽长比与所述充电MOS晶体管的沟道宽长比的比值为1：M，其中M大于1；校准电流生成电路，所述校准电流生成电路至少向所述充电MOS晶体管提供校准电流；以及采样校准控制器，所述采样校准控制器基于所述校准电流以及所述比值获得所述充电电流检测MOS晶体管的理想充电电流检测值，且所述充电MOS晶体管被提供所述校准电流时，所述采样校准控制器采集所述充电电流检测MOS晶体管的测试充电电流检测值，并基于所述理想充电电流检测值与所述测试充电电流检测值生成校准参数。2.根据权利要求1所述的电流检测装置，其特征在于，还包括：放电MOS晶体管，所述放电MOS晶体管的栅极用于接收放电控制信号以控制所述电池装置的放电；至少一个放电电流检测MOS晶体管，所述放电电流检测MOS晶体管检测所述电池装置的放电电流，所述放电电流检测MOS晶体管的漏极与所述放电MOS晶体管的漏极连接，所述放电电流检测MOS晶体管的栅极用于接收放电检测控制信号以对所述放电电流进行检测，所述放电电流检测MOS晶体管的沟道宽长比与所述放电MOS晶体管的沟道宽长比的比值为1：N，其中N大于1。3.根据权利要求2所述的电流检测装置，其特征在于，所述校准电流生成电路至少向所述放电MOS晶体管提供校准电流，所述采样校准控制器基于所述校准电流以及所述比值1：N获得所述放电电流检测MOS晶体管的理想放电电流检测值，且所述放电MOS晶体管被提供所述校准电流时，所述采样校准控制器采集所述放电电流检测MOS晶体管的测试放电电流检测值，并基于所述理想...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：珠海迈巨微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：