一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法，属于电子元器件技术领域。该芯片材料，按照质量百分比，包括：四氧化三锰40％

【技术实现步骤摘要】
一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及电子元器件
，具体涉及一种热敏电阻器、芯片材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]负温度系数热敏电阻器是一种以高纯度过渡金属氧化物为主要材料制造的半导体陶瓷元件，它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因为在导电方式上完全类似锗、硅等半导体材料。温度低时，这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。因此它具有电阻值随温度的变化而相应变化的特性，即在一定测量功率下，电阻值随温度的上升而下降的特性。负温度系数热敏电阻器在室温下的变化范围在100～1000000欧姆，温度系数
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6.5％～
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2％。利用这一特性，负温度系数热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。
[0003]但是目前国内的同类产品阻值年漂移率≥1％。在某些控温精度要求比较高的领域(如医疗设备)是远远不是满足要求的。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片材料，其特征在于，按照质量百分比，包括：四氧化三锰40％
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50％；四氧化三钴30％
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40％；氧化铝10％
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20％；氧化铬2％
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8％，共计100％。2.一种权利要求1所述的芯片材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按照配比将各组分混合并球磨得到第一混合物；S2、将所述第一混合物烘干，之后升温至500
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600℃进行第一次煅烧，之后继续升温至900
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1000℃进行第二次煅烧，之后降温至500
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600℃保温得到第二混合物；S3、将所述第二混合物采用湿法流延工艺制成中间体；S4、将所述中间体升温至500
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600℃并保温，之后继续升温至1100
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1200℃并保温，之后降温至500
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600℃并保温得到所述芯片材料。3.根据权利要求2所述的芯片材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述第一次煅烧的时间为2
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3小时，所述第二次煅烧的时间为1
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1.5小时。4.根据权利要求2所述的芯片材料的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述保温的时间为2
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3小时。5.根据权利要求2所述的芯片材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨幼斌，郑传发，郑海法，李鄂胜，张先锋，
申请(专利权)人：湖北开特汽车电子电器系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：