玻璃板和其制造方法技术

本发明专利技术提供一种新的玻璃板，其可利用于高频器件的基板或窗材料，且高频带下的传播损耗或传输损耗小。所述玻璃板是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。≥0.0004。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】玻璃板和其制造方法


[0001]本专利技术涉及玻璃板和其制造方法。

技术介绍

[0002]在以汽车为代表的交通工具、建筑物的室内日常使用雷达、移动电话等利用电波的设备(以下，称为“电波利用设备”)。特别是最近正积极地开发使用高频带(微波～毫米波)、更具体而言千兆赫频带、例如3～300GHz区域的电波的电波利用设备。
[0003]这样的高频用途的电波利用设备(以下，称为“高频器件”)中使用的电路基板一般使用树脂基板、陶瓷基板、玻璃基板等绝缘基板。为了确保高频信号的质量、强度等特性，对高频器件中使用的绝缘基板要求降低基于介电损耗、导体损耗等的传输损耗。
[0004]另一方面，对用作汽车等交通工具、建筑物的窗材料的玻璃板，要求可见光透过率高，紫外线和日照遮蔽性能高，视觉上也良好。专利文献1中公开了一种由具有特定组成的钠钙硅系玻璃构成的紫外线红外线吸收玻璃。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2002
‑
348143号公报

技术实现思路

[0008]然而，鉴于在汽车等交通工具的车内搭载毫米波雷达的情况、在建筑物内使用电子设备的情况，对于用作它们的窗材料的玻璃板，也与高频器件的绝缘基板同样地要求降低传播损耗、传输损耗。
[0009]因此，本专利技术的目的在于提供一种可利用于高频器件的基板、窗材料且高频带下的传播损耗、传输损耗小的新的玻璃板和其制造方法。
[0010]本专利技术涉及以下方案。r/>[0011]1.一种玻璃板，是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，
[0012]在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃，接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的10GHz的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。
[0013]2.根据上述1所述的玻璃板，其中，10GHz的相对介电常数为εrA，
[0014]在将使上述玻璃板升温至(Tg+50)℃，接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的10GHz的相对介电常数设为εr100时，满足0.95≤(εr100/εrA)≤1.05。
[0015]3.根据上述1或2所述的玻璃板，其中，主面的面积为350cm2以上。
[0016]4.根据上述1～3中任一项所述的玻璃板，其中，10GHz的介电损耗角正切为0.009以下。
[0017]5.根据上述1～4中任一项所述的玻璃板，其中，10GHz的相对介电常数为6.8以下。
[0018]6.根据上述1～5中任一项所述的玻璃板，其中，相隔40mm以上的任意两处的10GHz
的介电损耗角正切的差为0.0005以下。
[0019]7.根据上述1～6中任一项所述的玻璃板，其中，相隔40mm以上的任意两处的10GHz的相对介电常数的差为0.05以下。
[0020]8.根据上述1～7中任一项所述的玻璃板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有30～85％的SiO2。
[0021]9.根据上述1～8中任一项所述的玻璃板，其中，
[0022]以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有：
[0023]SiO
2 57～70％，
[0024]Al2O
3 5～15％，
[0025]B2O
3 15～24％，
[0026]Al2O3+B2O
3 20～40％，
[0027]Al2O/(Al2O3+B2O3)0.1～0.45，
[0028]MgO 0～10％，
[0029]CaO 0～10％，
[0030]SrO 0～10％，
[0031]BaO 0～10％，
[0032]Li2O 0～5％，
[0033]Na2O 0～5％，
[0034]K2O 0～5％，和
[0035]R2O(R＝碱金属)0～5％。
[0036]10.根据上述1～8中任一项所述的玻璃板，其中，
[0037]以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有：
[0038]SiO
2 55～80％，
[0039]Al2O
3 0～15％，
[0040]SiO2+Al2O
3 55～90％，
[0041]B2O
3 0～15％，
[0042]MgO 0～20％，
[0043]CaO 0～20％，
[0044]SrO 0～15％，
[0045]BaO 0～15％，
[0046]MgO+CaO 0～30％，
[0047]MgO+CaO+SrO+BaO 0～30％，
[0048]Li2O 0～20％，
[0049]Na2O 0～20％，
[0050]K2O 0～20％，和
[0051]R2O(R＝碱金属)0～20％。
[0052]11.根据上述1～9中任一项所述的玻璃板，其被用于对3.0GHz以上的高频信号进行处理的高频器件的基板。
[0053]12.根据上述1～8和10中任一项所述的玻璃板，其被用于窗材料。
[0054]13.一种玻璃板的制造方法，是制造上述1～12中任一项所述的玻璃板的方法，依次包括如下工序：
[0055]熔融、成型工序，将玻璃原料熔融，将所得到的熔融玻璃成型为板状，
[0056]降温工序，将上述成型为板状的熔融玻璃降温至相对于玻璃化转变温度Tg(℃)为(Tg－300)℃以下的温度而得到玻璃坯板，以及
[0057]热处理工序，对所得到的上述玻璃坯板从上述(Tg－300)℃以下的温度在不超过(Tg+50)℃的情况下升温至(Tg－100)℃～(Tg+50)℃的范围以及再次进行降温至(Tg－300)℃以下；
[0058]进行1次或2次以上的上述热处理工序，
[0059]1次上述热处理工序是上述玻璃坯板的温度超过(Tg－300)℃后经过处于(Tg－100)℃～(Tg+50)℃的范围的最高温度Temax℃并直至再次成为(Tg－300)℃以下为止，
[0060]在上述热处理工序整体中，上述玻璃坯板的温度处于(Tg－100)℃～(Tg+50)℃的范围内的总计时间是使用上述热处理工序整体中的上述玻璃坯板的最高温度Tmax℃并由下述式(1)表示的K(分钟)以上，
[0061]在各次上述热处理工序中，将上述每次的从上述最高温度Temax℃开始降温的最后时刻起直至最后通过(Tg－110)℃的时刻为止的时间设为t1(分钟)时，满足下述式(2)。
[0062]K＝[{(Tg+50)－Tmax}/10]+15
ꢀꢀ
式(1)
[0063]{Temax－(Tg－110)}/t1≤10
ꢀꢀ
式(2)
[0064]14.根据上述13所述的玻璃板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种玻璃板，是10GHz的介电损耗角正切为tanδA、玻璃化转变温度为Tg℃的玻璃板，在将使所述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的10GHz的介电损耗角正切设为tanδ100时，满足(tanδ100－tanδA)≥0.0004。2.根据权利要求1所述的玻璃板，其中，10GHz的相对介电常数为εrA，在将使所述玻璃板升温至(Tg+50)℃、接着以100℃/分钟降温至(Tg－150)℃时的10GHz的相对介电常数设为εr100时，满足0.95≤(εr100/εrA)≤1.05。3.根据权利要求1或2所述的玻璃板，其中，主面的面积为350cm2以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃板，其中，10GHz的介电损耗角正切为0.009以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃板，其中，10GHz的相对介电常数为6.8以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃板，其中，相隔40mm以上的任意两处的10GHz的介电损耗角正切的差为0.0005以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃板，其中，相隔40mm以上的任意两处的10GHz的相对介电常数的差为0.05以下。8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有30～85％的SiO2。9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有：SiO
2 57～70％、Al2O
3 5～15％、B2O
3 15～24％、Al2O3+B2O
3 20～40％、Al2O/(Al2O3+B2O3) 0.1～0.45、MgO 0～10％、CaO 0～10％、SrO 0～10％、BaO 0～10％、Li2O 0～5％、Na2O 0～5％、K2O 0～5％、和R2O 0～5％，其中R＝碱金属。10.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃板，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有：SiO
2 55～80％、Al2O
3 0～15％、SiO2+Al2O
3 55～90％、B2O
3 0～15％、MgO 0～20％、CaO 0～20％、
SrO 0～15％、BaO 0～15％、MgO+CaO 0～30％、MgO+CaO+SrO+BaO 0～30％、Li2O 0～20％、Na2O 0～20％、K2O 0～20％、和R2O 0～20％，其中R＝碱金属。11.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃板，其被用于对3.0GHz以上的高频信号进行处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋博之，黑岩裕，小野和孝，小川朝敬，松尾优作，
申请(专利权)人：AGC株式会社，
类型：发明
国别省市：