显示设备制造技术

公开了一种显示设备。所述显示设备包括：基底，包括包含显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，设置在显示区域中，第一薄膜晶体管包括包含硅半导体的第一半导体层和与第一半导体层绝缘的第一栅电极；第二薄膜晶体管，设置在显示区域中，第二薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层绝缘的第二栅电极；第一信号线，在第一薄膜晶体管的一侧处沿第一方向延伸；第二信号线，在第一薄膜晶体管的相对侧处沿第一方向延伸；以及屏蔽图案，沿第一方向延伸，屏蔽图案与第一信号线至少部分地叠置。线至少部分地叠置。线至少部分地叠置。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请要求于2020年5月15日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0058447号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及一种显示设备，并且涉及一种由包括硅半导体的薄膜晶体管和包括氧化物半导体的薄膜晶体管驱动的显示设备。

技术介绍

[0003]显示设备通常可以包括显示元件和用于控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和布线。
[0004]为了精确地控制来自显示元件的光发射和光发射的程度，增加了电连接到一个显示元件的TFT的数量。因此，已经积极地进行了关于显示设备的高集成度和功耗的研究。
[0005]将理解的是，本
技术介绍
部分的背景旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，本
技术介绍
部分的背景还可以包括在此公开的主题的相应有效提交日期之前，作为相关领域技术人员未知或不理解的内容的一部分的思想、构思或认识。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：基底，包括包含显示元件的显示区域；第一薄膜晶体管，设置在所述显示区域中，所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体层，包括硅半导体；以及第一栅电极，与所述第一半导体层绝缘；第二薄膜晶体管，设置在所述显示区域中，所述第二薄膜晶体管包括：第二半导体层，包括氧化物半导体；以及第二栅电极，与所述第二半导体层绝缘；第一信号线，在所述第一薄膜晶体管的一侧处沿第一方向延伸；第二信号线，在所述第一薄膜晶体管的相对侧处沿所述第一方向延伸；以及屏蔽图案，沿所述第一方向延伸，所述屏蔽图案与所述第一信号线至少部分地叠置。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽图案和所述第一半导体层设置在同一层上。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动晶体管和发射控制晶体管，所述第二薄膜晶体管包括补偿晶体管，所述第一信号线电连接到所述补偿晶体管的栅电极以传输扫描信号，并且所述第二信号线电连接到所述发射控制晶体管的栅电极以传输发射控制信号。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动晶体管和开关晶体管，所述驱动晶体管中的半导体层和所述开关晶体管中的半导体层彼此成一体，并且在平面图中，所述屏蔽图案从所述驱动晶体管的所述半导体层与所述开关晶体管的所述半导体层之间的区域沿所述第一方向突出。5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二薄膜晶体管包括补偿晶体管，并且所述屏蔽图案与所述第二薄膜晶体管的所述补偿晶体管的半导体层叠置。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽图案在所述显示元件的发射时段期间接收正电压。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述屏蔽图案设置在所述基底与所述第一薄膜晶体管的所述第一半导体层之间。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动晶体管和发射控制晶体管，所述第二薄膜晶体管包括补偿晶体管，并且所述第一信号线包括发射控制线，所述发射控制线电连接到所述发射控制晶体管的栅电极以传输发射控制信号。9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：第一层间绝缘层，设置在所述第一栅电极与所述第二薄膜晶体管之间；第二层间绝缘层，与所述第二薄膜晶体管的所述第二栅电极叠置；第一电源电压线，设置在所述第二层间绝缘层上，所述第一电源电压线沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；第一平坦化层，与所述第一电源电压线叠置；以及
数据线，设置在所述第一平坦化层上，所述数据线沿所述第二方向延伸并且与所述第一电源电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：安俊勇，郭源奎，卞昌洙，金旼正，朴亨埈，严努力，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：