FD-SOI衬底结构及器件结构制造技术

本发明专利技术提供一种FD

【技术实现步骤摘要】
FD-SOI衬底结构及器件结构


[0001]本专利技术属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种FD-SOI衬底结构及器件结构。

技术介绍

[0002]体硅CMOS技术走到22nm之后，特征尺寸已很难继续微缩，急需革新技术来维持进一步发展。在候选技术之中，FDSOI(Fully Depleted SOI，全耗尽SOI)技术极具竞争力。对于FDSOI晶体管，硅薄膜自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结耗尽区，从而可改善DIBL(Drain Induced Barrier Lowering，漏致势垒降低)等短沟道效应，改善器件的亚阈特性，降低电路的静态功耗。此外，FDSOI晶体管无需沟道掺杂，可以避免RDF(Random Dopants Fluctuation，随机掺杂涨落)等效应，从而保持稳定的阈值电压，同时还可以避免因掺杂而引起的迁移率退化。
[0003]不同于FinFET工艺采用的3D晶体管结构，FD-SOI为平面工艺，可以有效降低工艺难度；与传统的体硅硅技术相较，FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(sou本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FD-SOI衬底结构，其特征在于，所述FD-SOI衬底结构包括依次层叠的硅基底、埋氧化层、顶锗硅层及硅材料层。2.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述的顶锗硅层的厚度范围介于60埃米～100埃米之间。3.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述硅材料层的厚度介于5埃米～20埃米之间。4.根据权利要求1所述的FD-SOI衬底结构，其特征在于：所述埋氧化层为二氧化硅层，其厚度范围介于100埃米～300埃米之间。5.一种FD-SOI器件结构，其特征在于，所述FD-SOI器件结构包括：如权利要求1～4任意一项所述的FD-SOI衬底结构；栅极结构，位于所述硅材料层上，包括依次堆叠的栅氧层、高k介质层、氮化钛层及栅极层，所述栅极结构两侧具有侧墙结构；锗硅凸层，形成于所述栅极结构两侧。6.根据权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐大朋，薛忠营，罗杰馨，柴展，
申请(专利权)人：上海功成半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：