具有传送高速数据路径和传送低速数据路径的存储模块、及具有该存储模块的存储系统技术方案

技术编号:3084830 阅读:153 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供了具有用于传送高速数据的路径和用于传送低速数据的路径的存储模块、以及具有该存储模块的存储系统。该存储模块包括多个半导体存储器件、第一连接器、以及第二连接器。多个半导体存储器件被安装在存储模块上。第一连接器被安装在存储模块上的预定位置,并接收低速数据。第二连接器被安装在与第一连接器的位置不同的位置,连接在传输线路和光纤之间,并传送高速数据。低速数据包括电源电压和地电压。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及计算机中使用的存储模块,并尤其涉及具有用于传送高速信号的路径和用于传送包括电源提供信号的低速信号的路径的存储模块、以及具有该存储模块的存储系统。
技术介绍
图1为传统存储模块的视图。参照图1,存储模块10包括多个半导体存储器件11_i(i为从1到9)以及具有多个连接端子的第一连接器13。图2为具有传统存储模块的存储系统的视图。参照图2,存储系统20包括主板21、安装在主板21的印刷电路板(PCB)上的芯片组(或控制器)23、以及两个存储模块10_1和10_2。存储模块10_1和10_2被分别插入到插槽25_1和25_2中。将从芯片组23输出的数据和命令信号通过主板21的PCB上的总线、第一连接器13和PCB上的存储模块10_1和10_2的总线分别输入到多个半导体存储器件11_i(i为从1到9)。将从PCB上的每个存储模块10_1和10_2中的多个半导体存储器件输出的数据分别通过PCB上的每个存储模块10_1和10_2中的总线、第一连接器13和主板21的PCB输出到芯片组23。在通过PCB上的总线来传送命令信号、电源提供信号、和超高速数据的情况中,通过PCB上的总线传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储模块,包括:多个半导体存储器件,被安装在存储模块上;第一连接器,被安装在存储模块上的预定位置,并接收低速数据;以及第二连接器,被安装在与第一连接器的位置不同的位置,连接在传输线路和光纤之间,并传送高速数据。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储模块,包括多个半导体存储器件,被安装在存储模块上;第一连接器,被安装在存储模块上的预定位置,并接收低速数据;以及第二连接器,被安装在与第一连接器的位置不同的位置,连接在传输线路和光纤之间,并传送高速数据。2.如权利要求1所述的存储模块,其中,低速数据包括电源电压和地电压。3.如权利要求1所述的存储模块,其中,预定位置为存储模块的边缘。4.一种存储模块,包括多个半导体存储器件,被安装在存储模块上;第一连接器,被安装在存储模块上的预定位置,并具有用于将预定的电源提供信号提供到多个半导体存储器件中的每个的多个连接端子;以及第二连接器,被安装在与第一连接器的位置不同的位置,并输入和输出数据。5.如权利要求4所述的存储模块,还包括转换器,其通过第二连接器接收数据,将该数据转换为并行数据,并将该并行数据输出到多个半导体存储器件,或接收从多个半导体存储器件输出的并行数据,将该并行数据转换为串行数据,并将该串行数据输出到第二连接器。6.如权利要求4所述的存储模块,其中,通过连接到第二连接器的传输线路或光纤线缆来接收或传送数据。7.如权利要求4所述的存储模块,其中,预定的电源提供信号包括电源电压、地电压、以及时钟信号。8.如权利要求4所述的存储模块,其中,存储模块为单列直插式存储器模块和双列直插式存储器模块中的一个。9.如权利要求4所述的存储模块,其中,第二连接器与第一连接器相对地安装。10.如权利要求4所述的存储模块,其中,第二连接器位于多个半导体存储器件之间。11.如权利要求4所述的存储模块,其中,预定位置为存储模块的边缘。12.一种存储模块,包括多个半导体存储器件,被安装在存储模块上;第一连接器,被安装在存储模块上的预定位置,并具有用于将预定的电源提供信号提供到多个半导体存储器件中的每个的多个连接端子;以及多个第二连接器,被安装在与第一连接器的位置不同的位置,并从对应的半导体存储器件输入数据、或将数据输出到对应的半导体存储器件。13.如权利要求12所述的存储模块,还包括多个转换器,多个转换器中的每个通过对应的第二连接器接收数据输入,将该数据转换为并行数据,并将该并行数据输出到对应的半导体存储器件,或接收从对应的半导体存储器件输出的并行数据,将该并行数据转换为串行数据,并将该串行数据输出到对应的第二连接器。14.如权利要求12所述的存储模块,其中,预定位置为存储模块的边缘。15.一种在具有多个半导体存储器件的存储模块中传送数据的方法,该方法包括通过安装在存储模块上预定位置的多个第一连接端子接收电源提供信号;以及将通过安装在与多个第一连接器的位置不同的位置的多个第二连接器而从多个半导体存储器件输出的并行数据转换为串行数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔桢焕
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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