一种集成电路芯片封装用无铅锡球制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成电路芯片封装用无铅锡球，属于集成芯片领域，包括内心，所述内心外部熔接有防氧化层，所述防氧化层外部熔接有减负层，所述减负层内部熔接有支撑点，所述支撑点外部熔接有防腐蚀层，所述防腐蚀层外部熔接有荧光层。通过设置抗腐蚀材料、抗氧化材料和抗压材料，提高了锡球的实用性。提高了锡球的实用性。提高了锡球的实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路芯片封装用无铅锡球


[0001]本技术涉及集成芯片
，尤其涉及一种集成电路芯片封装用无铅锡球。

技术介绍

[0002]锡球主要用途广泛用于马口铁、助熔剂、有机合成、化工生产、合金制造，以及电子行业中多组集成电路的装配等，还用于测定砷、磷酸盐的试剂、还原剂，镀锡制品等。
[0003]专利CN201820564616.5的公布了一种焊锡球，该锡球针对焊锡是利用加热工具使两点或多点金属导体牢固结合而达到导电。锡球是焊锡中的一种产品，锡球可分为有铅锡球和无铅锡球两种，均是用于线路板的焊接。纯锡制造，湿润性、流动性好，易上锡。焊点光亮、饱满，不会出现虚焊等不良现象。加入足量的抗氧化元素，抗氧化能力强。纯锡制造，锡渣少，减少不必要的浪费，通过焊层使锡球本体在焊接时能够充分与助焊剂均匀混合，减少锡球本体在焊接过程中产生的金属溶液的飞溅，从而提高产品的焊接稳定性。锡球本体熔化后产生助焊剂残渣，引流片能够对助焊剂残渣产生导流作用，使助焊剂的残渣在焊点周围形成层状附着，从而提高焊点处的连接牢固性。
[0004]上述锡球有些不足之处：1、上述锡球的抗氧化和抗挤压效果不佳，使用的环境具有高氧化性时，锡球会从内部被氧化，同时受到挤压则会变形受损，降低了锡球的实用性。2、上述锡球的抗腐蚀效果不佳，同时表面光泽度较差，影响使用效果。

技术实现思路

[0005]本技术提供一种集成电路芯片封装用无铅锡球，旨在采用防氧化材料和抗压材料，锡球内心由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层具有极高的强度，同时减负层内部熔接有二氧化硅制成的支撑点，使锡球整体的抗压效果大大提高，增加了锡球的实用性。
[0006]通过防腐蚀材料和高光泽度材料，减负层外部由聚氨基甲酸酯材料制成的防腐蚀层，避免了锡球受到外部的腐蚀，锡球的外层的荧光层由银单质材料制成，具有极高的光泽程度，提高了使用效果。
[0007]本技术提供的具体技术方案如下：
[0008]本技术提供的一种集成电路芯片封装用无铅锡球包括内心，所述内心外部熔接有防氧化层，所述防氧化层外部熔接有减负层，所述减负层内部熔接有支撑点，所述支撑点外部熔接有防腐蚀层，所述防腐蚀层外部熔接有荧光层。
[0009]可选的，所述防氧化层由铝合金材料制成。
[0010]可选的，所述减负层由钛合金材料制成。
[0011]可选的，所述支撑点由二氧化硅材料制成。
[0012]可选的，所述防腐蚀层由聚氨基甲酸酯制成。
[0013]可选的，所述荧光层由银单质制成。
[0014]本技术的有益效果如下：
[0015]1、本技术实施例提供一种集成电路芯片封装用无铅锡球，通过防氧化材料和抗压材料，锡球内心由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层具有极高的强度，同时减负层内部熔接有二氧化硅制成的支撑点，使锡球整体的抗压效果大大提高，增加了锡球的实用性。
[0016]2、通过防腐蚀材料和高光泽度材料，减负层外部由聚氨基甲酸酯材料制成的防腐蚀层，避免了锡球受到外部的腐蚀，锡球的外层的荧光层由银单质材料制成，具有极高的光泽程度，提高了使用效果。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术实施例的一种集成电路芯片封装用无铅锡球的正视剖面结构示意图。
[0019]图中：1、内心；2、防氧化层；3、减负层；4、支撑点；5、防腐蚀层；6、荧光层。
具体实施方式
[0020]为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0021]下面将结合图1对本技术实施例的一种集成电路芯片封装用无铅锡球进行详细的说明。
[0022]参考图1所示，本技术实施例提供的一种集成电路芯片封装用无铅锡球包括内心1，内心1外部熔接有防氧化层2，防氧化层2外部熔接有减负层3，减负层3内部熔接有支撑点4，支撑点4外部熔接有防腐蚀层5，防腐蚀层5外部熔接有荧光层6。
[0023]参考图1所示，防氧化层2由铝合金材料制成，锡球内心1由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层2制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层3具有极高的强度，同时减负层3内部熔接有二氧化硅制成的支撑点4，使锡球整体的抗压效果大大提高，增加了锡球的实用性。
[0024]参考图1所示，减负层3由钛合金材料制成，锡球内心1由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层2制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层3具有极高的强度，同时减负层3内部熔接有二氧化硅制成的支撑点4，使锡球整体的抗压效果大大提高，增加了锡球的实用性。
[0025]参考图1所示，支撑点4由二氧化硅材料制成，锡球内心1由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层2制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层3具有极高的强度，同时减负层3内部熔接有二氧化硅制成的支撑点4，使锡球整体的抗压效果大大提高，
增加了锡球的实用性。
[0026]参考图1所示，防腐蚀层5由聚氨基甲酸酯制成，减负层3外部由聚氨基甲酸酯材料制成的防腐蚀层5，避免了锡球受到外部的腐蚀，锡球的外层的荧光层6由银单质材料制成，具有极高的光泽程度，提高了使用效果。
[0027]参考图1所示，荧光层6由银单质制成，减负层3外部由聚氨基甲酸酯材料制成的防腐蚀层5，避免了锡球受到外部的腐蚀，锡球的外层的荧光层6由银单质材料制成，具有极高的光泽程度，提高了使用效果。
[0028]本技术实施例提供一种集成电路芯片封装用无铅锡球，锡球内心1由锡制成，外部由铝合金制成的防氧化层2制成，具有极强的抗氧化效果，外部由钛合金制成的减负层3具有极高的强度，同时减负层3内部熔接有二氧化硅制成的支撑点4，使锡球整体的抗压效果大大提高，减负层3外部由聚氨基甲酸酯材料制成的防腐蚀层5，避免了锡球受到外部的腐蚀，锡球的外层的荧光层6由银单质材料制成，具有极高的光泽程度。
[0029]显然，本领域的技术人员可以对本技术实施例进行各种改动和变型而不脱离本技术实施例的精神和范围。这样，倘若本技术实施例的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述无铅锡球包括内心(1)，所述内心(1)外部熔接有防氧化层(2)，所述防氧化层(2)外部熔接有减负层(3)，所述减负层(3)内部熔接有支撑点(4)，所述支撑点(4)外部熔接有防腐蚀层(5)，所述防腐蚀层(5)外部熔接有荧光层(6)。2.根据权利要求1所述的一种集成电路芯片封装用无铅锡球，其特征在于，所述防氧化层(2)由铝合金材料制成。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡弘鹏，杨秀缘，
申请(专利权)人：金易芯半导体科技嘉兴有限公司，
类型：新型
国别省市：